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1. KR1020170000045 - SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ KO ]
청구의 범위
청구항 1
기판; 및

상기 기판으로부터 돌출되며, 상기 기판과 동일한 물질로 이루어진 제1층과 상기 제1층 상에 상기 기판과 다른 물질로 이루어진 제2층을 포함하는 볼록부들을 포함하고,상기 제2층의 높이는 상기 제1의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 2
제1 항에 있어서,

상기 볼록부의 높이에 대한 상기 제1층의 높이 비율은 0.1 내지 0.4인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 3
제1항에 있어서,

상기 제1층의 높이는 240nm 내지 380nm인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 4
제1항에 있어서,

상기 제2층은 상기 기판보다 굴절률이 작은 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 5
제1항에 있어서,

상기 제2층은 상기 기판보다 굴절률이 작은 복수의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 6
제1항에 있어서,

상기 제2층의 굴절률은 1 내지 1.7인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 7
제1항에 있어서,상기 제2층은 SiO x, SiO xN y, 또는 MgF 2로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 8
제1항에 있어서,

상기 제2층은 반구 또는 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 9
제1항에 있어서,

상기 볼록부들은 규칙적인 격자 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 10
기판;

상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 기판과 동일한 물질로 이루어진 제1층과 상기 제1층 상에 상기 기판과 다른 물질로 이루어진 제2층을 포함하는 볼록부들;

상기 볼록부들이 배치된 상기 기판의 일면 상에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광 적층체;

를 포함하고,상기 제1층의 높이는 240nm 내지 380nm인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.