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1. (KR1020160027540) NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Office : Republic of Korea
Application Number: 1020140115313 Application Date: 01.09.2014
Publication Number: 1020160027540 Publication Date: 10.03.2016
Publication Kind : A
IPC:
G11C 16/30
G11C 16/06
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30
Power supply circuits
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
CPC:
H01L 27/1157
G11C 16/14
G11C 16/3427
H01L 27/11575
H01L 27/11582
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
삼성전자주식회사
Inventors: NAM, SANG WANNAM, SANG WAN
남상완
Agents: 특허법인 고려
Priority Data:
Title: (EN) NONVOLATILE MEMORY DEVICE
(KO) 불 휘발성 메모리 장치
Abstract: front page image
(EN) The present invention provides a nonvolatile memory device, preventing deletion of string selection transistors or ground selection transistors when deletion of a selected memory block is operated, which comprises: a plurality of memory cells stacked in a direction vertical to a substrate; the string selection transistors connected between the memory cells and bit lines; string selection lines connected to the string selection transistor; and one direction elements connected between the substrate and the string selection lines for transferring bias voltage in the direction of the string selection lines from the substrate when a deletion operation is performed. COPYRIGHT KIPO 2016
(KO) 본 발명에 따른 불 휘발성 메모리 장치는 기판과 수직 방향으로 적층되는 복수의 메모리 셀; 상기 복수의 메모리 셀과 비트 라인 사이에 연결되는 스트링 선택 트랜지스터; 상기 스트링 선택 트랜지스터에 연결되는 스트링 선택 라인; 그리고 상기 기판과 상기 스트링 선택 라인 사이에 연결되고, 소거 동작 시 상기 기판으로부터 상기 스트링 선택 라인 방향으로 바이어스 전압을 전달하기 위한 단방향 소자를 포함한다.