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1. KR1020110049852 - 고순도 실리콘을 생산하기 위한 저비용 제조방법 및 이의 유도체

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명 세 서
고순도 실리콘을 생산하기 위한 저비용 제조방법 및 이의 유도체{LOW COST ROUTES TO HIGH PURITY SILICON AND DERIVATIVES THEREOF}
기 술 분 야
 본 발명은 실리콘에 관한 것으로, 더 자세하게는 농업 폐기물의 실리콘으로 부터 추출되는 것과 같은 고순도 실리콘에 관한 것이다.
배 경 기 술
 본 출원은 2008년 8월 6일 출원된 미국 임시출원 번호 61/086,546의 우선권을 주장하며, 해당출원의 모든 내용은 레퍼런스로 본 출원에 통합된다.
 본 발명은 국립과학재단(National Science Foundation) Award No. IIP-0740215 및 미국 에너지국(U.S. Department of Energy) Contract No. DE- FG36-08GO18009에 의한 정부지원으로 개발되었다. 상기 정부는 본 발명에 대한 특정권리(certain rights)를 갖는다.
 에너지 독립(energy independence)은 글로벌 온난화에 의한 예상되는 기후변화 및 에너지원(energy sources)으로부터 추출된 탄화수소에 대한 지속적으로 증가하는 의존성에 기인하는 현대의 우선과제이다. 태양 에너지와 같은, 특히 실리콘 태양전지(photovoltaics, PVs)가 리스트에 높은 위치를 차지하는 것을 볼 때, 재생가능하고, 깨끗하며, 풍부한 에너지원에 대한 필요는 명백하다. 실리콘 태양전지의 더 급속한 적용을 방해하는 요소는, 현재의 이들에 대한 높은 비용으로 단결정 또는 다결정의 웨이퍼의 생산에 사용되는 태양전지급 실리콘(photovoltaic grade silicon , 즉 "Si pv")의 제한된 공급에 기인한다.
 실리콘은 지구 표면에 존재하는 두번째로 풍부한 물질임에도 불구하고, 태양전지를 만들기 위해 필요한 고순도 실리콘은 고가인데, 이들의 생산에는 고에너지를 필요로 하며 복잡한 고비용의 공정이 현재 사용되기 때문이다. 큰 자본 비용이 관여된다는 의미는 Si pv 생산량을 끌어올리는 데에는 많은 시간이 걸린다는 것이다. 2006년에는, 처음으로 볼륨기준으로 Si pv에 대한 수요량이 반도체 또는 전자급 실리콘(semiconductor or electronics grade silicon, 즉 "Si eg")에 대한 수요량을 초과하였다. 현재, Si pv를 생산하는 몇몇의 회사는 증가하는 고객의 요구를 맞출 수 없으므로, 태양에너지에 있어서의 급속한 성장을 위한 가능성을 감소시키고 있다.
 모든 풀들은(밀, 벼, 보리, 귀리 등) SiO 2를 흡수하는데, "고순도 석영(high purity quartz)"에서 발견되는 정도의 표준적인 불순물로 최소한의 결합의 상당한 양이 이들의 줄기 및 씨의 껍질에 퇴적한다. 그러므로 이들 식물은 이들의 구조에 결합된 실리카를 자연적으로 전처리-정제(pre-purify)한다. 예를 들면, 이들 풀들에 있어서 왕겨(rice hull)는 높은 실리카 함량을 갖는다.
 많은 Si pv 및 Si eg 생산자들은 지멘스 Si 정제 공정(Siemens Si purification process, 즉, 석영 암석 정제 공정(the quartz rock purification process))으로 알려진 공정 및 이의 변형된 공정에 의존한다. 이러한 공정은 석영 암석으로부터 시작하는 많은 단계를 포함하고, 금속급 Si(metallurgical grade silicon, 즉, "Si mg")를 생산하는 탄소 소스를 포함한다. Si mg는 더 가공되어 부식성, 독성 및 잠재적 오염물질인 클로로실란을 생산하고, 이후에 몇개의 고에너지 단계를 거친 후에 Si eg / pv를 생산한다.
 최근 대부분의 Si 화합물은 Si mg로부터 생산될 수 있는데, 이는 비교적 높은 온도(예를 들면, 약 1500 ℃ 이상), 비교적 높은 비용의 장비 및 비교적 높은 에너지 강도 공정(예를 들면, 화학식 1-3)에서 실리카의 열탄소 환원(carbothermal reduction)(화학식 1)에 의해서 생산될 수 있다. 전자급 실리콘(Si eg) 및 태양전지급 실리콘(Si pv)을 위해서는 더 높은 고순도가 요구되며, 지멘스 공정 (및 관련 변형 공정)에 일반적으로 적용될 수 있는 화학식 (4)-(6)에 기재된 단계와 같은 추가적인 공정이 요구된다. 화학식 (4)-(6)에 의해 기재된 반응은 상당한 양의 SiCl 4, HCl, Cl 2 또는 이들의 조성물을 부산물로 생성할 수 있으며, 이들은 제한된 용도를 갖을 수 있다. 또한, HCl, SiCl 4 또는 이들 모두는 적은 손실로 재활용이 가능할 것으로 여겨지고 있다. 그럼에도 불구 하고, 클로로실란, Cl 2 및 HCl 기체는 부식성, 독성 및 오염성을 갖기 때문에, 상기 생산 공정은 고비용이고 광범위한 환경적인 제어 또는 다른 안정장치가 요구되며, 이는 물질의 전체 비용에 추가될 수 있다.
 
 이와 같이, 본 기술분야에서 고순도 실리콘 물질 및 이의 유도체를 생산하는 대체적인 방법에 대한 연구를 계속해야할 필요성이 남아 있다. 하나의 시도는 Amick 외에 의해서 1979,3,23에 출원된 미국 특허 4,214,920(엑손, Exxon)에 개시되어 있는 데, 모든 목적을 위한 참조로 본 명세서에 통합된다. 연소단계를 거친 왕겨재(rice hull ash, 본 명세서에서는 "RHA"로 지칭함)가 아님 코크스화된 왕겨의 용도를 엑손은 개시하고 있는데, 이러한 용도는 붕소가 1 ppm 이하의 함량에서 직접적으로 Si를 생산하는 것이다. 도 1을 참조하면, 이러한 공정은 왕겨(본 명세서에서는 "RH"로 지칭함)를 공급하는 단계(10)를 포함한다. RH, 전세계 어디에서 생산된 것이든 상관없이, 비교적 유사한 불순물 수준을 갖는다. 상기 엑손 공정은, 끓인 10% HCl 수용액으로 상기 RH를 침출(leaching)하는 단계, 이후에 전자급 물로 세척하는 클리닝 단계(11)를 포함한다. 그리고나서, 상기 공정은 900℃(비산화 분위기에서, 상당한 양의 가스와 연기를 배출하며)에서, 낮은 불순물 함량을 유지하면서 C:SiO 2이 약 4:1의 비의 물질을 생성하도록 공기/1% HCl을 흘리면서 상기 왕겨를 코크스화하는 단계(12)를 포함한다.상기 코크스화 단계 이후에, 상기 특허는 상기 C:SiO 2의 비를 약 4:1이 되도록 조정하기 위하여 CO 2를 흘리면서 950℃에서 추가적으로 코크스화하는 단계(15)를 포함한다. 그리고, 상기 생성된 입자는, 상기 입자를 수크로스 바인더(sucrose binder)와 혼합하고 이러한 혼합물로 펠릿을 형성하는 펠릿화 단계(16)를 사용하여 펠릿(pellet)으로 가공된다. 또한, 상기 공정은 태양전지급 실리콘을 생산하기 위하여, 전기로(electric arc furnace ,예를 들면 아르곤 분위기를 사용하는) 내에서 약 1900℃에서 상기 펠릿을 가열하는 단계(17)를 포함한다.
발명의 내용
   해결하려는 과제
 이와 같이, 왕겨재와 같은 농업폐기물(agricultural waste products, "AWP")로부터 얻어진 높은 표면적 SiO 2으로부터 직접 또는 간접적으로 하나 또는 그 이상의 다양한 Si 화합물의 합성을 위한 공정에 대한 필요성이 존재하는데, 이들 공정은 간단한 특징이 있으며(예를 들면, 더 적은 가열단계, 더 적은 세척단계, 더 적은 침출단계와 같이 더 적은 단계를 요구하며; 비교적 빠른 하나 또는 그 이상의 단계를 사용하고; 비교적 낮은 공정 온도를 사용하며; 또는 이들 모두의 조합인 경우이다), 더 환경 친화적이며, 더 에너지 효율적이고(예를 들면, 적어도 20% 더 에너지 효율적이다), 또는 이들의 조합으로 특징지어진다.
   과제의 해결 수단
 본 발명의 하나의 양태에서는, 본 발명은 무정형 실리카, 탄소 및 불순물을 갖는 농업폐기물(예를 들면, 왕겨를 태우면 생성되는 왕겨재와 같은 미가공 농업폐기물을 태운 재)을 준비하는 단계; 상기 농업폐기물로부터 불순물을 추출하는 단계; 탄소와 실리카의 비를 변화시키는 단계; 및 상기 실리카를 고순도 실리콘(예를 들면 태양전지 실리콘)으로 환원시키는 단계를 포함하는 고순도 실리콘을 제조하는 방법에 관한 것이다.
 본 발명의 또 다른 양태는, 무정형 실리카, 탄소 및 불순물을 포함하는 농업폐기물("AWP")이며, 탄소 대 실리카의 무게비가 약 5:95 내지 60:40의 범위를 가지는 상기 AWP를 준비하는 단계; 추출된 농업폐기물을 형성하기 위하여, 산성 수용액의 제1 애플리케이션을 포함하는 하나 또는 그 이상의 산성 수용액의 애플리케이션을 이용하여 상기 AWP로부터 상당량의 불순물을 추출하는 단계; 세척된 농업폐기물("AWP cl")을 형성하기 위하여 탄소 대 실리카의 비를 약 1:1 내지 약 5:1의 범위의 비로 증가시키기 위한, 반면에 적어도 일부분의 추출된 실리카는 암모늄 실리케이트(ammonium silicate)이며, 수산화암모늄(ammonium hydroxide)과 추출된 농업폐기물의 접촉(예를 들면 반응)에 의해서 실리콘에 대한 탄소의 비를 변화시키는 단계; 물, 알코올 또는 이들 모두에서 암모늄 실리케이트를 재결정화시키는 단계; 실직적으로 불순물을 줄이거나 없애기 위하여 상기 재결정된 암모늄 실리케이트에 알코올(예를 들면, 알칸올(alkanol))을 적용하는 단계; 상기 AWP cl로부터 불순물을 더 줄이거나 없애기 위하여 수산화암모늄과 접촉하는 단계 이후에, 상기 AWP cl에 산성 수용액의 제2 애플리케이션을 적용하는 단계; 전자급 콜로이드 실리카와 AWP cl을 결합하는 단계; 상기 결합된 전자급 콜로이드 실리카와 AWP cl를 압축하는 단계; 및 적어도 1300℃(예를 들면 적어도 1400℃)의 온도로, 열가열, 플라즈마가열 또는 이들 조합의 가열을 이용하여 고순도 실리콘(예를 들면 태양전지급 실리콘)을 형성하기 위하여 상기 압축된 전자급 콜로이드 실리카와 AWP cl를 환원하는 단계를 포함하는 고순도 실리콘 생산방법이다.
 그러나, 본 발명의 또 다른 양태는, 무정형 실리카, 탄소 및 불순물을 포함하고, 약 5:95 내지 약 60:40의 범위의 탄소 대 실리카의 비를 갖는 왕겨재를 준비하는 단계; 추출된 왕겨재를 형성하기 위하여 상기 왕겨재로부터 산성 수용액을 사용하여 상당량의 불순물을 추출하는 단계; 클린 왕겨재, RHA cl을 형성하기 위한 탄소 대 실리카의 비를 약 1:1 내지 약 5:1의 범위의 비까지 증가시키기 위하여 상기 추출된 왕겨재와 수산화암모늄(예를 들면, 수산화테트라알킬암모늄(tetraalkylammonium hydroxide))의 반응에 의해서, 탄소 대 실리카의 비를 변화시키는 단계; 적어도 약 1000℃의 온도에서 가스 분위기(예를 들면, 공기, 비활성가스 또는 환원분위기)에서 가열하여 태양전지급 실리콘 RHA cl로부터 상기 실리카를 열탄소 환원하는 단계를 포함하는 고순도 실리콘의 생산방법이다.
 또한, 본 발명의 또 다른 양태는, 농업폐기물을 준비하는 단계; 일부분 또는 모든 상기 실리카를 추출하기 위해서 수산화 암모니늄과 상기 농업폐기물을 반응시키는 단계; 및 상기 추출된 실리카로부터 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane), 실리케이트 옥타애나이온(silicate octaanion), 옥타하이드리도디메틸실록시옥타실세스퀴옥산(octahydridodimethylsiloxyoctasilsesquioxane), 실세스퀴옥산(silsesquioxane) 및 이들의 유도체, 또는 이들의 혼합물을 생산하는 단계를 포함하는 공정을 지시한다.
 본 발명의 다양한 양태들은, 반응 횟수의 감소, 반응 속도의 증가(예를 들면, 열타소 환원 속도는 상기 석영/탄소 접근과 비교해서 10배 이상, 100배 이상 또는 1000배 이상 증가될 수 있다), 전기로의 처리량의 증가(예를 들면, 적어도 2배, 적어도 약 10배 또는 적어도 약 100배에 달하는 만큼), 환원에 필요한 전기에너지의 감소, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있는 밀접한 혼합(intimate mixing)으로부터의 공정상 유리한 점의 장점을 가질 수 있다.
   발명의 효과
 본 명세서의 논의에서는, 본 발명은 Si pv와 같은 고순도 실리콘을 생산하는 다양한 방법(예를 들면, 비교적 저비용의 방법)을 증명한다. 이들 방법들은 농업폐기물(예를 들면, 왕겨재)과 같은 재생가능한 폐기물로부터 시작하여, 바람직하게도 클로로실란에 대한 필요성을 제거하고, 하나 또는 그 이상의 고에너지 단계를 제거하고, 또는 모두 제거할 수 있다. 바이오매스 연료 전기발전기 또는 열에너지의 일부분 또는 전부를 획득 또는 변환하는 다른 장치에서 연소되는 바이오매스로부터 얻을 수 있는 왕겨재와 같은 농업폐기물은, 전체 에너지 이득에 기인하는 단계와 함께 시작될 수 있다. 일실시예에 따르면, 상기 바이오매스 변환(예를 들면, 상기 연소 단계로부터 얻어지는 에너지)으로부터의 에너지 이득은 상기 재(예를 들면, 상기 RHA)가 고순도 실리콘(예를 들면, Si pv)으로 변환되는데 필요한 에너지보다 더 클 수 있다.
도면의 간단한 설명
 도 1은 상기 선행기술의 공정의 순서도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예의 순서도를 도시한 것이다.
도 3은 압축된 물질을 제조하기 위한 실례의 장치의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 하나의 양태를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 하나의 양태에 사용될 수 있는 유도전기로(induction furnace)의 단면을 도시한 것이다.
도 6a는 본 발명의 하나의 양태에 사용될 수 있는 전기로의 단면을 도시한 것이다.
도 6b는 본 발명의 하나의 양태에 사용될 수 있는 전기로의 단면을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 일실시예를 도시한 순서도이다.
도 8은 x-선 회절 곡선(x-ray diffraction curve)을 도시한 것이다.
발명을 실시하기 위한 구체적인 내용
 본 명세서에서 사용될 때에는, 다르게 정의되지 않는 한, 하기의 용어는 하기에 열거된 정의를 갖는다.
 Si mg는 98중량% 보다 큰 실리콘 농도(예를 들면, 약 98중량% 내지 약 99.9중량%)를 가지는 금속급 실리콘(Metallurgical Grade Silicon)을 의미한다. 개량된 Si mg는 99.9중량% 보다 큰 실리콘 농도(예를 들면, 약 99.9중량% 내지 약 99.999중량%)를 가지는 개량된 금속급 실리콘을 의미한다. Si pv는 99.999중량% 보다 큰 실리콘 농도(예를 들면, 약 99.999중량% 내지 약 99.99999중량%)를 가지는 태양전지급 실리콘(Photovoltaic Grade Silicon)을 의미한다. Si eg는 99.99999중량% 보다 큰 실리콘 농도(예를 들면, 약 99.9999999중량%)를 가지는 전자급 실리콘(Electronoics Grade Silicon)을 의미한다. 고순도 실리콘은 약 98중량% 보다 큰, 바람직하게는 약 99.9 중량% 보다 큰, 더 바람직하게는 약 99.999 중량% 보다 큰, 가장 바람직하게는 약 99.9999 중량% 보다 큰 Si 농도를 갖는 실리콘이다. 전자급 물(Electronic Grade Water)은 ASTM D5127-90에 개시된 조건을 만족하는 물이다. 예를 들면, E-I 타입, E-Il 타입, E-III 타입 및 E-IV 타입의 물은 전기 저항이 각각 18, 17.5, 12 및 0.5 MΩ-cm 보다 크다. 전자급 알코올(Electronic Grade Alcohol)은 알코올 타입을 위한 특정 ASTM 테스트 방법에 개시된 조건을 만족하는 알코올(예를 들면 n-부틸 알코올급은 ASTM D304에 개시된다)이다. 환원 분위기(reducing atmosphere)는 실질적으로 산화가 방지되는 분위기를 말한다(예를 들면, 산소 및 다른 산화성 가스가 실질적으로 또는 전혀 존재하지 않는 분위기).
 다른 기재가 없다면, 본 명세서에서의 ppm이라는 용어는 질량에 기초한 100만분의 1을 의미한다. 다른 기재가 없다면, "실리콘 대 탄소의 비", "탄소 대 실리코의 비", "실리카 대 탄소의 비" 및 "탄소 대 실리카의 비"는 몰비(molar ratio)를 의미한다.
 일반적으로, 본 발명은 무정형 실리카, 탄소 및 불순물을 포함할 수 있는 왕겨재(RHA)와 같은 하나 또는 그 이상의 농업폐기물(AWP)들을 준비하는 단계, 상당량의 불순물을 추출하는 단계, 탄소 대 실리카의 비를 변화시키는 단계, 및 실리카(SiO 2)를 고순도 실리콘(예를 들면, 금속급 실리콘, 바람직하게는 개량된 금속급 실리콘, 및 가정 바람직하게는 태양전지급 실리콘(Si pv))으로 환원시키는 단계를 포함하는 고순도 실리콘을 제조하는 향상된 방법과 관련된 것이다.
 도 2를 참조하면, 본 발명의 하나의 양태의 공정은 RHA(예를 들면 약 0.4 g/cm 3의 밀도를 갖는)와 같은 농업폐기물을 준비하는 단계(20); 약 0.1 내지 약 10시간(예를 들면, 약 1시간) 동안 침출(예를 들면, 끊인 산성 수용액에서), 이후의 물(예를 들면, 전자급 물)로의 세척, 또는 산성 밀링(acid milling)(예를 들면, 약 0.5 내지 3일 동안 산성 수용액에서), 이후 물로의 세척(예를 들면, 전자급 물) 또는 이들 모두에 의한 상기 RHA로부터 불순물을 추출하는 단계(21); 수산화암모늄(예를 들면 CH 3J 4NOH)을 사용하고, 가열 또는 끓는 알코올(예를 들면 메탄올)에서 환류(reflux)하고 필터링하여 상기 RHA로부터 실리카를 추출하는 단계(22); 실리케이트 옥타애나이온(silicate octaanion)(예를 들면, 실세스퀴옥산 또는 다른 실리콘 화합물을 형성하는)를 회수하기 위해 필터액을 분리하는 선택적인 단계(25); 침출단계를 사용하고 물(예를 들면, 전자급 물)로 세척하고 상기 물질을 압축하여 상기 RHA로부터 다시 불순물을 추출하는 단계(26); 및 Si pv와 같은 고순도 금속성 실리콘을 생성하도록 상기 물질을 열탄소 환원하는 단계(27)를 포함한다.
 본 발명의 공정에 사용되는 출발물질은 실리콘을 포함하는 모든 농업폐기물(AWP) 또는 이들의 부산물이다. 이들 중에서 바람직한 AWP들은 왕겨재(rice hull ash, RHA), 볏짚재(rice straw ash), 생물연료 폐기물(biofuel waste), 옥수수 껍질 재(corn husk ash) 등과 이들의 혼합물이다. 가장 바람직한 AWP는 RHA이다. 상기 AWP는 바람직하게는 재 또는 원료 AWP의 연소(예를 들면, 약 10% 보다 큰 산소 분자 농도의 분위기, 약 10% 보다 큰 이산화탄소 분자 농도의 분위기, 또는 이들 모두, 바람직하게는 약 10% 보다 큰 산소 분자 농도의 분위기와 같은 산소 분위기에서의 연소)로부터 발생한 미립자이다. 상기 원료 AWP(예를 들면, 옥수수 껍질, 왕겨 및 이들과 같은)는 이들의 바이오매스 연료 가치(fuel value)를 위해서 연소될 수 있으며, 공간의 절약, 상기 AWP의 생산 또는 이들의 조합을 위해서 연소될 수 있다. AWP를 준비하는 단계는 분쇄(grinding), 절단(cutting), 체로 치기(sieving), 침전(sedimenting), 압착(pressing), 파기(shredding), 혼합(blending), 녹이기(melting), 또는 그 밖의 하나 또는 그 이상의 단계를 추가적으로 포함할 수 있으며, 농업폐기물이 추가적인 공정을 위한 상기 AWP의 기공이 노출되도록 일반적으로 도와줄 수 있다. 이는 상기 AWP 메쉬(mesh) 크기를 감소시키는 단계 및/또는 팽화 밀도(bulking density)를 증가시키는 단계(예를 들면, 부피의 감소시키기)는 비록 필요하지 않아도, 취급 및/또는 저장을 위해서 바람직한 것으로 평가된다.
 일반적으로 AWP들은 실리카(예를 들면, 무정형 실리카 및 선택적, 부분적으로 결정화된 실리카), 탄소 및 몇몇의 불순물을 포함한다. 예를 들면, RHA와 같은 AWP 재는 탄소(C)인 잔류물(더 바람직하게는 무정형 탄소(C), 그리고 상기 탄소는 상기 재의 전체 중량 기반의 약 2 내지 약 40 중량%의 농도로 존재하는 것이 바람직하다)과 불순물과 함께, 약 60 내지 약 98 중량%의 실리카를 포함하는 것이 바람직하다. 실리카(예를 들면, 무정형 실리카)와 탄소(예를 들면, 무정형 실리카)의 전체 농도는 상기 재(예를 들면, 상기 RHA)의 전체 중량 기반의 80 중량% 보다 큰 것이 바람직하고, 90 중량% 보다 큰 것이 더 바람직하고, 또한 2 중량% 보다 큰 것이 바람직하며, 94 중량% 보다 큰 것이 가장 바람직하다. 무정형 실리카와 무정형 탄소의 그 밖의 농도를 갖는 재들도 또한 사용될 수 있다. 상기 AWP는 적어도 약 0.01 g/cm 3, 바람직하게는 적어도 약 0.1 g/cm 3, 더 바람직하게는 적어도 약 0.2 g/cm 3, 및 가장 바람직하게는 적어도 약 0.3 g/cm 3(예를 들면, 약 0.3 내지 약 0.9 g/cm 3)의 밀도(예를 들면, 벌크 밀도)를 갖는 것이 바람직하다고 평가된다.
 AWP는 약 5:95 내지 약 60:40(예를 들면, 약 5:95 내지 약 25:75) 범위의 C:SiO 2의 비를 갖는 다양한 소스로부터 얻을 수 있다. 상기 AWP에서의 상기 SiO 2 농도는 상기 AWP 중량 대비 적어도 약 40%, 바람직하게는 적어도 약 60%, 더 바람직하게는 적어도 70 중량%, 그리고 가장 바람직하게는 적어도 75%일 수 있다. 부분적으로 무정형이거나 실질적으로 무정형(예를 들면, 적어도 80%, 적어도 90% 또는 적어도 95%의 상기 SiO 2, 상기 탄소, 또는 이들 모두가 무정형인)인 상기 SiO 2와 탄소, 밀접하게 결합되도록 혼합된(예를 들면, 초미세한(submicron) 또는 분자 수준으로) 상기 SiO 2와 탄소, 또는 이들 모두인 것과 같은 상기 AWP의 하나 또는 그 이상의 물성은 상기 AWP를 석영과 단순한 탄소 소스의 혼합물보다 더 높은 반응성을 갖게 하므로, 공정의 이점과 상기 석영/탄소 접근보다 더 높은 순도를 제공한다(예를 들면, 모든 목적을 위해 본 명세서에 레퍼런스로 참조되는 Amick et al의 미국 특허 번호 4,214,920에서 논의된 바와 같이).
 생물연료 공정으로부터의 잔여물은 농업폐기물들을 Si pv로 직접적으로 변환하기 위한 대체적인 방법에서 이용될 수 있다. 생물연료 공정에서의 이러한 잔여물들은 실리카 함유 식물을 포함할 수 있다. 실리콘을 생산하기 위한 생물연료 공정의 부산물의 이용에 의해서, 이들 생물연료 공정은 더욱 바람직한 것이 될 수 있다.
 불순물을 추출하는 단계
 상기 방법은 상기 AWP로부터 상당량의 불순물들을 추출하는 단계를 하나 또는 그 이상(예를 들면, 적어도 2개, 또는 적어도 3개의) 포함하는 것이 바람직하다. 미정제된 AWP(예를 들면, 미정제된 RHA)에 잔존할 수 있는 불순물의 예는, 알루미늄(예를 들면, 거의 1000 ppm의 농도), 칼슘(예를 들면, 거의 4000 ppm의 농도), 칼륨(예를 들면, 거의 25000 ppm의 농도), 또는 이들의 조합을 포함한다.
 특별히 제한하는 것은 아니지만, 상기 불순물을 추출하는 단계의 하나 또는 그 이상의 단계는 산(예를 들면, 수용성 산)으로 세척하는 하나 또는 그 이상의 단계를 포함할 수 있다. 바람직하게는 하나 또는 모든 상기 세척 단계는 물로 세척하는 하나 또는 그 이상의 단계가 뒤따를 수 있으며, 이는 추출된 불순물의 제거를 더 잘 도와주기 위해서이다. 사용할 수 있는 산 세척의 예는, 산성 밀링(acid milling)과 산성 침출(acid leachimg)(예를 들면, 가열된 산을 사용하는)를 포함한다. 바람직하게로는 상기 공정은 하나 또는 그 이상의 산성 밀링 단계, 하나 또는 그 이상의 침출 단계 또는 이들 모두의 단계를 포함한다.
 산으로 세척하는 상기 단계는 산성 수용액으로 상기 AWP를 접촉하는 단계를 포함할 수 있다. 산으로 세척하는 상기 단계는 상기 AWP로부터 실직적인 상당량의 불순물을 제거할 수 있는 어떠한 산성 수용액도 사용할 수 있다. 사용될 수 있는 산의 예는 무기산(mineral acid), 카르복실산(carboxylic acid) 또는 이들의 조합의 산을 포함한다. 상기 산은 비교적 강산(예를 들면, 산해리상수(an acid dissociation constant, pKa)가 약 2보다 작고, 바람직하게는 약 0보다 작고, 가장 바람직하게는 약 -2 보다 작은 값을 갖는 산)인 것이 바람직하다. 특별히 제한하는 것은 아니지만, 상기 산성 수용액은 황산, 염산, 메탄설포닉산(methanesulfonic acid), 트리플로로메탄설포닉산(trifluormethanesulfonic acid), 포름산(formic acid), 아세트산, 프로판산(propanoic acid) 또는 그 밖의 산, 또는 이들의 조합의 산을 포함할 수 있다. 물의 예는 수돗물(tap water), 탈이온수(deionized water), 증류수, 전자급 물 등, 또는 이들의 조합인 물을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 산성 수용액에서의 산의 농도는 상기 AWP로부터 하나 또는 그 이상의 불순물을 부분적 또는 완전히 제거하는데 효과가 있는 어떠한 농도일 수 있다. 산성 수용액의 산농도는 적어도 약 1중량%, 바람직하게는 적어도 약 3중량%, 더 바람직하게는 적어도 약 5중량%, 좀더 바람직하게는 적어도 약 9중량%, 가장 바람직하게는 적어도 약 10 중량%인 것일 수 있다. 또한, 상기 산성 수용액은 약 75 중량% 보다 적은, 바람직하게는 약 50 중량%, 더 바람직하게는 약 40 중량% 보다 적은, 좀더 바람직하게는 약 27 중량% 보다 적은, 가장 바람직하게는 약 25중량% 보다 적은 산농도를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 산성 수용액의 산농도는 용액 중량 대비 약 1% 내지 약 75%, 약 10% 내지 약 50%, 약 3% 내지 약 37%, 또는 약 5% 내지 약 40%의 범위일 수 있다. 상기 수용액은 바람직하게는 약 7보다 적은, 더 바람직하게는 약 5보다 적은, 가장 바람직하게는 약 3보다 적은 pH를 갖는다.
 불순물을 추출하는 상기 단계는 단일 애플리케이션 또는 복수 애플리케이션(예를 들면, 단계들(stages)), 배치모드(batch mode) 또는 연속모드(continuous mode)에서 이루어질 수 있다. 불순물의 추출단계가 이루어지는 동안에, 산성 수용액으로 하나 또는 그 이상의 산성 수용액의 애플리케이션을 사용하여 상기 농업폐기물로부터 추출될 수 있는 상기 불순물들은 심사숙고된다. 더 자세히 살펴보면, 예를 들면, 상기 산성 수용액은, 단일 애플리케이션, 연속 애플리케이션의 시리즈, 복수의 분리 애플리케이션 등에서, 하나 또는 그 이상의 다른 방법 단계들의 이전, 동안 또는 이후(예를 들면, 상기 압축단계 이전, 상기 환원단계 이전, 상기 비를 변화시키는 단계 이후 등)에 적용될 수 있다.
 상기 AWP, 실리카, 또는 그 밖의 실리콘 함유 화합물의 순도가 증가함에 따라, 상기 공정(예를 들면, 불순물이 제거되는 단계의 동안 또는 뒤이은 어떠한 공정 단계의 동안)에 불순물의 첨가를 방지하는 것이 중요할 수 있는 것으로 생각된다. 이와 같이, 고순도(예를 들면, 약 99 중량% 보다 큰, 약 99.9 중량% 보다 큰, 약 99.99 중량% 보다 큰, 약 99.999 중량% 보다 큰, 또는 전자급) 화합물(예를 들면, 물, 알코올, 산, 염기, 용매 및 그 밖의 화합물)은 불순물을 추출하는 상기 단계 및/또는 본 명세서에 기재된 다른 단계의 어느 단계에서 사용될 수 있다.
 바람직하게는, 상기 불순물은 이들 상기 불순물 모두가 추출될 수 있거나, 또는 개별적인 불순물들(예를 들면, 붕소, 인, 알루미늄, 전이금속 등)은 상기 추출된 AWP의 총중량에 대한 중량 대비 약 100ppm보다 적은 양으로, 바람직하게는 약 50ppm 보다 적은 양으로, 더 바람직하게는 약 25ppm보다 적은 양으로 존재할 수 있다.
 상기 산 세척 단계는 적절한 시간으로 불순물의 의미 있는 양을 제거할 수 있는 어떠한 온도도 사용할 수 있다. 상기 산 세척 단계는 산 세척 온도(즉, 산성 수용액의 온도)가 비교적 낮은(예를 들면, 약 5℃ 내지 약 25℃) 것 또는 비교적 높은(예를 들면, 약 25℃ 보다 큰) 것을 사용할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 추출 단계는 상기 산성 수용액(예를 들면, 상기 용액의 끓는 점으로)에서 상기 AWP를 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 산 세척 온도는 120℃ 낮거나 바람직하게는 100℃ 보다 낮을 수 있다. 예를 들면, 상기 온도는 약 25℃ 내지 약 120℃, 바람직하게는 약 50℃ 내지 약 100℃의 범위일 수 있다. 그러나, 높은 온도에서는(예를 들면, 100℃ 보다 큰 경우), 상기 산성 용액은 상기 산농도 및 타입에 따라 끓기 시작할 수 있는 것으로 여겨진다. 상기 산의 강도, 고형물 농도, 혼합, 온도 및 필요한 제품의 특징에 따라서, 상기 불순물 추출 단계는, 적어도 약 3초, 바람직하게는 적어도 약 6초, 더 바람직하게는 적어도 약 15분, 좀더 바람직하게는 적어도 약 1시간, 가장 바람직하게는 적어도 약 3시간(예를 들면, 적어도 약 10시간)의 산 세척 시간(예를 들면, 단일 산 세척 단계), 전체 산 세척 시간(예를 들면, 하나 또는 그 이상의 산 세척 단계 전체의) 또는 이들 모두의 시간에서 이루어질 수 있다. 또한, 상기 불순물 추출 단계는 약 50 시간 보다 적은, 더 바람직하게는 약 40시간 보다 적은, 가장 바람직하게는 20시간 보다 적은 산 세척 시간, 전체 산 세척 시간 또는 이들 모두의 시간에서 이루어질 수 있다.
 상당량의 불순물을 함유하는 상기 AWP의 추출 단계는 상기 추출된 AWP(예를 들면, 추출된 RHA와 같은 추출된 재)에 대한 전체 불순물 수준을 낮출 수 있으며, 모든 목적을 위하여 본 명세서에 레퍼런스로 통합되는 미국 특허 4,214,920에서 논의된 불순물 수준과 대비하여 유사하거나 오히려 낮은 불순물 수준이다. 각 경우에서 유사한 또는 상이한 산농도를 갖는 복수의 추출 단계의 수행(예를 들면, 연속적으로, 하나 또는 그 이상의 다른 단계와 시차를 가지고, 또는 이들 모두의 경우)은, 미국 특허 4,214,920에서 논의된 상기 불순물 수준(또는 바람직하게는 더 낮은)의 추가적인 감소를 제공할 수 있다. 불순물을 추출하는 적어도 하나의 단계는 실리카가 제거되어 상기 AWP의 기공(즉, 다공성 물질을 만들기 위한)을 여는(예를 들면, 노출하는) 것을 특징으로 하는 단계를 유리하게 따를 수 있는 것을 놀랍게도 발견되었다.
 상기 논의된 바와 같이, 불순물을 추출하는 단계(예를 들면, 불순물을 추출하는 각각의 단계)는 물(예를 들면, 차가운 물, 따뜻한 물, 끓는 물, 또는 이들의 조합인 물)에서 상기 불순물이 추출된 AWP를 행굼(rinsing) 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 추출된 AWP의 행굼 단계에 사용될 수 있는 물의 예는 이에 한정되는 것은 아니지만, 수돗물, 탈이온수, 증류수, 전자급 물 등 또는 이들의 조합인 물을 포함할 수 있다. 바람직하게는 탈이온수, 증류수, 전자급 물 또는 이들의 조합인 물이 사용된다.
 산성 밀링
 상기 논의된 바와 같이, 산성 밀링(acid milling)은 바람직한 산 세척 방법 중의 하나이다. 이처럼, 상기 불순물 추출 단계는 하나 또는 그 이상의 산성 밀링 단계를 포함할 수 있다. 산성 밀링은 수용성 산과 밀링 미디어(미네럴, 금속 또는 다른 결정 물질의 . 입자와 같은)를 사용하는 습식 밀링 공정이다. 특별히 제한하는 것은 아니지만, 상기 산성 밀링 단계는 지르코니아(zirconia) 밀링 미디어, HCl 수용액(상기 기재된 것과 같은), 또는 이들 모두를 사용할 수 있다. 상기 산성 밀링 단계는 상기에 기재된 상기 일반적인 산 세척 단계의 어떤 산 세척 시간과 산 세척 온도라도 사용할 수 있다. 이를 사용할 때에는, 하나 또는 그 이상의 산성 밀링 단계의 전체 시간은 약 0.5 시간보다 길고, 더 바람직하게는 약 2시간보다 길고, 좀더 바람직하게는 약 6시간보다 길고, 가장 바람직하게는 약 12시간보다 긴 것이 바람직하다. 하나 또는 그 이상의 산성 밀링 단계의 전체 시간은 약 10일보다 짧고, 더 바람직하게는 5일보다 짧고, 좀더 바람직하게는 약 3일보다 짧으며, 가장 바람직하게는 약 2일보다 짧은 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 산성 밀링을 위한 전체 시간은 약 1일일 수 있다. 바람직하게는 산성 밀링 단계는 상기 AWP(예를 들면, 상기 RHA)의 평균 입자크기를 줄인다. 상기 산성 밀링 단계(들) 이후에, 상기 AWP의 평균 입자크기는 약 100㎛보다 작은 것이 바람직하다. 상기 산성 밀링 단계(예를 들면, 상기 최초 산성 밀링 단계)는 최소한 80ppm의 철 제거, 최소한 420ppm의 Mg 제거, 최소한 250ppm의 Na 제거, 최소한 10000ppm의 K 제거 또는 이들의 조합되는 제거를 해낼 수 있다. 상기 불순물 추출 단계는, 재흡수된 불순물들을 제거하기 위한 하나 또는 그 이상의 끓는 물로 세척하는, 하나 또는 그 이상의 밀링된 AWP의 세척 단계를 추가적으로 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 끓는 물 세척은 약 80ppm의 Fe, 약 1300 ppm의 Mg, 약 50ppm의 Al, 약 80ppm의 Na, 3600ppm의 K를 제거할 수 있다. 또한, 상기 AWP( 예를 들면, 상기 RHA)에 존재하는 초기의 어떠한 인(phosphorous)도 상기 공정의 이 시점에서 완전히 제거될 수 있다(예를 들면, 검출 한계 이하의).
 산성 침출
 상기 논의된 바와 같이, 산성 침출(acid leaching)은 바람직한 또다른 산 세척 방법이다. 이처럼, 상기 불순물 추출 단계는 하나, 둘 또는 그 이상의 산성 침출 단계들을 포함할 수 있다. 상기 산성 침출은 다른 산 세척 단계(바람직하게는 상기 공정은 적어도 하나의 밀링 단계와 적허도 하나의 침출 단계를 포함할 수 있다)가 추가될 수 있다. 상기 산성 침출 단계는 상기 기재된 산 세척 시간들과 상기 기재된 산 세척 시간, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 일반적으로, 상기 산성 침출 단계는 끓는 산(예를 들면, 적어도 약 3중량% 산, 바람직하게는 적어도 약 25중량%의 산을 함유하는 수용성 산)을 사용한다. 바람직하게는 상기 산성 침출 단계를 위한 시간은 약 0.25 내지 약 18시간이다. 상기 개시된 어떠한 산도 상기 산성 침출 단계에 사용될 수 있다. 특별히 제한하는 것은 아니지만, 상기 산성 침출 단계는 약 3중량% 내지 약 37 중량% HCl을 함유하는 HCl 수용액을 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 침출 단계는, 상기 산성 밀링 단계를 뒤따르는 세척단계에 대한 상기에 기재된 바와 같은 끓는 물로 세척하는 하나 또는 그 이상의 단계가 뒤따른다. 특히, 산성 침출 단계와 끓는 물 세척 단계응 모두 사용하는 것은 산성 침출 단계만을 사용한 경우보다 적어도 5배(바람직하게는 적어도 20, 예를 들면 약 40배) 더 많이 Fe 불순물을 제거할 수 있다. 상기 AWP(예를 들면, 상기 RHA)로부터 불순물을 추출하는 단계는 두개 또는 그 이상의 산성 침출 단계(일반적으로 각 침출 단계를 따르는 끓는 물 세척 단계와 함께)를 포함하는 것이 바람직하다.
 실리카 추출
 본 발명의 방법은 탄소와 실리카의 비(즉, C:SiO 2 비)를 변화시키는(예를 들면, 증가하는) 하나 또는 그 이상의 단계 및/또는 상기 AWP로부터 상기 실리카를 완전히 제거하는 하나 또는 그 이상의 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 몇몇의 상기 AWP는 비교적 높은 C:SiO 2 비를 가지는 물질로 변환될 수 있고, 몇몇의 상기 AWP는 실질적으로 SiO 2가 없는 물질로 변환될 수 있고 또는 이들 모두의 물질로 변환될 수 있다. 상기 탄소 대 실리카의 비를 변화시키는 단계와 상기 실리카를 완전히 제거하는 단계는 일반적으로 상기 AWP가 수산화 암모늄(Ammonium hydroxide)과 반응하는 단계와 같은 실리카를 추출하는 단계를 포함하며, 실리카는 상기 AWP로부터 부분적으로 또는 완전히 제거된다. 바람직하게는 실리카를 추출하는 상기 단계는 실리카의 농도를 낮추는데, 상기 AWP의 표면적을 증가시키는데, 다공성 물질의 형성, 클린 탄소의 생성하는데 또는 이들의 조합된 경우에 사용될 수 있다.
 탄소 대 실리카의 비를 변화시키는 단계는 "클린" AWP(즉, "AWP cl")를 제조할 수 있으며, 하나 또는 그 이상의 실리카 추출 단계를 사용하여 일부 또는 모든 실리카가 추출되는 방법에 의한다. 실리카 추출 단계에서 상기 AWP로부터 추출되는 상기 실리카의 백분율은 실리카 추출 단계 이전의 AWP에 존재하는 상기 SiO 2의 전체 중량 대비하여 바람직하게는 적어도 약 30%, 더 바람직하게는 적어도 약 50%, 좀더 바람직하게는 적어도 약 65%, 그리고 가장 바람직하게는 적어도 약 80%이다. 예를 들면, 상기 실리카 추출 단계는 초기에는 75 중량% SiO 2와 25 중량% 탄소를 함유하는 AWP를 사용할 수 있으며, 수산화암모늄과 반응하여 상기 SiO 2의 농도가 50%까지 감소될 수 있으며, 상기 AWP cl 조성물은 약 60% SiO 2와 약 40% 탄소가 될 수 있다. 상기 AWP cl의 C:SiO 2의 비는 약 20:1보다 작을 수 있으며, 바람직하게는 약 4:1보다 작을 수 있으며, 가장 바람직하게는 약 2:1(예를 들면, 약 1:1)보다 작을 수 있다. 비를 변화시키는 단계의 상기 AWP와 수산화암모늄 간의 반응시간은 상기 추출된 AWP의 C:SiO 2의 초기 비, AWP cl의 C:SiO 2의 비 또는 이들 모두의 비에 의해서 결정될 수 있다.
 일반적으로 상기 AWP cl는 비교적 높은 표면적을 갖는 다공성 물질일 수 있다. 상기 실리카 추출 단계 이후의 상기 AWP(즉, 상기 AWP cl)의 상기 표면적(예를 들면, BET 표면적)은 일반적으로 상기 실리카 추출 단계 이전의 상기 AWP의 표면적 보다 크다. 예를 들면, 상기 실리카 추출 단계 이후의 상기 AWP와 상기 실리카 추출 단계 이전의 AWP의 BET 표면적의 비는 1.1 보다 클 수 있고, 바람직하게는 2보다 크고, 더 바람직하게는 3보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 5보다 크고, 그리고 가장 바람직하게는 약 10보다 클 수 있다. 이처럼, AWP cl의 BET 표면적은 약 1 m 2/g보다 클 수 있고, 바람직하게는 약 8 m 2/g보다 크고, 더 바람직하게는 약 50 m 2/g보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 100m 2/g보다 크고, 가장 바람직하게는 약 150 m 2/g보다 클 수 있다.
 바람직한 일 실시예에 있어서, 상기 수산화암모늄은 상기 AWP로부터 실리카를 제거할 수 있는 것이라면 어떠한 수산화암모늄도 사용할 수 있다. 수산화암모늄은 수산화테트라알킬암모늄(tetraalkylammonium hydroxide) 등과 같은 4기(基) 수산화암모늄인 것이 바람직하다. 바람직한 수산화테트라알킬암모늄의 예는 수산화테트라메틸암모늄(tetramethylammonium hydroxide), 수산화테트라에틸암모늄(tetraethylammonium hydroxide), 수산화트리메틸옥틸암모늄(trimethyloctylammonium hydroxide), 수산화트리메틸에탄올암모늄(trimethylethanolammonium hydroxide), 수산화트리에틸프로판올암모늄(trimethylpropanolammonium hydroxide) 등 또는 이들의 조합을 포함하지만, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 수산화암모늄은 알코올, 염기, 물 또는 이들의 조합을 포함하는 용액과 같은 용액에 존재할 수 있다. 바람직하게는, 상기 수산화암모늄은 하나 또는 그 이상의 알코올을 포함하거나 실질적으로 이들로 이루어진 용액에 존재할 수 있다. 실리카 추출 단계에 사용하기 위한 바람직한 알코올은 약 180℃보다 낮으며, 더 바람직하게는 약 150℃보다 낮은 끓는 점을 갖는 알코올을 포함한다. 상기 알코올은 바림직하게는 약 1 내지 8의 탄소원자, 더 바람직하게는 약 1 내지 5의 탄소원자를 포함하는 알코올이다. 특별히 제한하는 것은 아니지만, 사용될 수 있는 알코올은, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, n-부탄올 또는 이들의 조합의 알코올을 포함한다. 상기 실리카 추출 온도는 7일 이내에 상기 AWP로부터 실질적으로 상당량의 실리카가 추출될 수 있는 어떤 온도도 가능하다. 상기 실리카 추출 온도는 바람직하게는 약 30 ℃보다 크고, 더 바람직하게는 약 60 ℃보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 80 ℃보다 크며, 가장 바람직하게는 약 100 ℃보다 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 실리카 추출 온도는 용액에서의 알코올의 끓는 점 또는 끓는 점과 가까운 온도(예를 들면, 1기압에서의 끓는 점의 약 20 ℃ 이내, 바람직하게는 약 10℃ 이내, 더 바람직하게는 5℃ 이내)일 수 있다. 예시를 위해서, 상기 공정은 약 78 ℃에서의 에탄올 환류 또는 약 118 ℃에서의 n-부탄올 환류와 같은 알코올 환류(refluxing) 단계를 포함할 수 있다. 상기 실리카 추출 시간(즉, 상기 AWP가 상기 수산화암모늄과 반응하는 시간)은 상기 실리카 추출 시간, 초기 C:SiO 2 비 또는 이들 모두에 의존될 수 있다. 상기 실리카 추출 시간은 상기 AWP로부터 실질적으로 상당한 양의 실리카가 추출될 수 있는 어떠한 시간도 가능하다. 상기 실리카 추출 시간은 바람직하게는 약 0.1분보다 크고, 더 바람직하게는 약 5분보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 20분보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 80분보다 크고, 가장 바람직하게는 300분보다 큰 것이 바람직하다. 상기 실리카 추출 시간은 바람직하게는 약 48시간보다 적고, 더 바람직하게는 약 24시간 보다 적고, 그리고 가장 바람직하게는 약 10시간보다 적은 것이 바람직하지만, 좀더 긴 실리카 추출 시간들도 사용될 수 있다.
 SDRHA 및 SARHA
 본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 상기 AWP cl은 약 2:1 보다 큰 탄소 대 실리카의 비를 갖는 실리카가 고갈된 왕겨재(silica depleted rice hull ash, 즉, "SDRHA")와 같은 실리카가 고갈된 AWP이다. 상기 실리카 고갈된 AWP(예를 들면, 상기 SDRHA)은 약 9:1보다 적은 탄소 대 실리카 비를 가질 수 있지만, 더 높은 탄소 대 실리카 비 또한 예상된다.
 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예는, 상기 AWP cl은 약 2:1과 같거나 작은 탄소 대 실리카 비를 가지는 실리카가 조정된 왕겨재(silica adjusted rice hull ash, 즉 "SARHA")와 같은 실리카 조정된 AWP이다. 상기 실리카 조정된 AWP(예를 들면, 상기 SARHA) 적어도 약 0.9:1의 탄소 대 실리카 비를 가질 수 있다. 특히 유용한 SARHA는 약 1.3:1 내지 약 2.0:1, 바람직하게는 약 1.45:1 내지 약 1.95:1, 더 바람직하게는 약 1.60:1 내지 약 1.90:1, 그리고 가장 바람직하게는 약 1.70:1 내지 1.85의 탄소 비를 갖는 SARHA이다.
 상기 개시에 따르면, 상기 공정은 선택적으로 상기 AWP로부터 상기 실리칼를 완전히 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 만약에 사용된다면, 상기 실리카를 완전히 제거하는 단계는, 상기 AWP(예를 들면, 불순물 추출된 AWP)로부터 가능한 많은 양의 실리카를 추출하는 하나 또는 그 이상의 실리카 추출 단계를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 공정은 하나 또는 그 이상(예를 들면, 모두)의 상기 실리카 추출 단계 이전의 초기 실리카의 중량에 대해 적어도 90%, 적어도 98% 또는 적어도 99%의 실리카가 추출되는 하나 또는 그 이상의 실리카 추출 단계(상기에 기재된 것과 같은)를 포함할 수 있다. 만약에 사용된다면, 상기 실리카를 완전히 제거하는 단계는 약 90중량% 보다 큰, 바람직하게는 약 95 중량% 보다 큰, 그리고 가장 바람직하게는 약 99 중량% 보다 큰 탄소 농도를 갖는 탄소가 풍부한 물질을 남길 수 있다. 상기 공정은 또한 상기 탄소가 풍부한 물질에서 상기 불순물을 제거하거나 감소시키는 하나 또는 그 이상의 산 세척 단계(상기에서 개시된 산 세척 단계와 같은)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 공정은 상기 탄소 풍부 물질을 "클린 탄소"를 형성하기 위하여 상기 불순물 수준을 감소시킬 수 있는 하나 또는 그 이상의 불순물을 추출하는(상기 기재된 것과 같이, 예를 들면, 하나 또는 그 이상의 산 세척단계) 추가적인 단계로 보내는 단계를 포함할 수 있다. 상기 클린 탄소는 약 95 중량% 보다 크고, 바람직하게는 약 99 중량%보다 크고, 더 바람직하게는 약 99.9 중량%보다 크고, 그리고 가장 바람직하게는 약 99.99 중량%보다 큰 탄소의 순도를 가질 수 있다.
 상기 실리카 추출 단계는 일반적으로 실리케이트 옥타애나이온(silicate octaanion, "OA", 예를 들면, 용해성 실리케이트 옥타애나이온)를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 OA는 본 명세서에서 논의된 바와 같이 실세스퀴옥산(silsesquioxane) 물질을 제조하는데 선택적으로 사용될 수 있다. 상기 OA는 예를 들면 재결정화에 의해서 선택적으로 정제될 수 있다. 예를 들면, 적어도 약 99.9 중량%, 바람직하게는 적어도 약 99.9 중량%, 더 바람직하게는 약 99.99 중량%, 그리고 가장 바람직하게는 적어도 약 99.999 중량%의 실리카 순도를 갖는 OA를 형성하기 위하여 알칸올(예를 들면, 부탄올)과 같은 알코올과 차가운 세척을 사용하여 상기 OA는 재결정될 수 있다. 상기 OA(예를 들면, 상기 정제된 OA)는 하기의 기재와 같이 혼합물(admixture)을 함유하는 실리카를 형성하는 조합 단계에 선택적으로 사용될 수 있다.
 상기 논의된 바와 같이, 본 발명은 불순물 추출 단계(예를 들면, 산성 수용액의 단일 애플리케이션 또는 복수 애플리케이션과 같은 불순물을 추출하는 2차 단계)을 포함하는 것이 바람직하다. 특별히 이론에 의해 구속되지는 않지만, SiO 2(예를 들면, 탄소 대 실리카의 비를 변화시키는 단계에 있어서)의 상당량을 제거하는 것은 후속의 불순물 제거 단계는 특히 불순물을 감소(예를 들면, 추가적인 불순물의 감소)시키는데 유리할 수 있는 기공을 형성하는 것으로 여겨진다. C:SiO 2의 비를 변화시키는 단계에 후속하는 불순물 제거하는 이러한 단계는 상기 불순물들(M)을 감소시킬 수 있으며(예를 들면, 실질적인 감소 또는 제거), M은 붕소(B), 인(P), 알루미늄(Al), 하나 또는 그 이상의 전이금속, 하나 또는 그 이상의 다른 금속 또는 이들의 조합과 같은 불순물일 수 있다.
 결합하는 단계
 상기 공정은 상기 추출된 실리카, 상기 AWP cl,(예를 들면, 상기 SARHA, SDRHA 또는 모두), 상기 RHA, 상기 클린 탄소, 카본 블랙, 흑연 및 바인더 물질로 이루어진 군으로 부터 선택되는 적어도 2개 이상의 물질을 결합하는 하나 또는 그 이상의 단계를 포함할 수 있으며, 적어도 하나의 물질은 혼합물(admixture)을 함유할 수 있는 실리카를 형성하기 위한 실리카를 포함하는 물질인 것을 특징으로 한다. 예를 들면, 상기 추출된 실리카는 상기 탄소 대 실리카의 비를 감소시키거나 조정하기 위하여 "클린" 탄소에 첨가(예를 들면, 재투입)될 수 있다. 상기 결합 단계 이후에(예를 들면, 상기 추출된 실리카와 클린 탄소를 재투입한 후에), 상기 혼합물은 적어도 약 1:1의, 바람직하게는 적어도 약 1.3:1의, 더 바람직하게는 적어도 약 1.5:1의, 가장 바람직하게는 적어도 약 1.65:1의 탄소 대 실리카의 비로 특정될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 혼합물의 탄소 대 실리카의 비는 탄소의 전체 몰수(상기 혼합물의 모든 성분으로부터의) 대 실리카의 전체 몰수(상기 혼합물의 모든 성분으로부터의)의 비이다. 상기 혼합물의 탄소 대 실리카의 비는 바람직하게는 약 4:1 보다 작고, 더 바람직하게는 약 3:1 보다 작고, 좀더 바람직하게는 약 2.5:1 보다 작고, 그리고 가장 바람직하게는 약 2.2:1보다 작은 것이 바람직하다. 요구되는 최종 제품과 사용되는 감소 공정에 따라, 혼합물의 탄소 대 실리카 비의 특정 범위가 요구될 수 있다. 예를 들면, 상기 혼합물의 탄소 대 실리카의 비가 하기의 범위 중에서 하나의 범위 내에 있도록 혼합물은 준비될 수 있다: 약 1.6:1 내지 약 1.8:1, 약 1.7:1 내지 약 1.9:1, 약 1.8:1 내지 약 2.0:1, 약 1.9:1 내지 약 2.1:2, 또는 약 2.0:1 내지 약 2.2:1.
 본 발명의 하나의 측면에서, 상기 결합 단계에 있어서, 상기 C:SiO 2 비를 조심스럽게 조정하기 위한 탄소/실리콘 재결합 단계에서 탄소(예를 들면, 상기 AWP, SARHA, SDRHA, 카본 블랙, 흑연, "클린" 탄소 또는 이들의 조합)를 함유하는 하나 또는 그 이상의 다른 물질에상기 OA(예를 들면, 재결정화된 OA와 같은 정제된 OA)는 재투입될 수 있다. 상기 재결합 단계는 실리카가 크세로겔(xerogel), 에어로겔(aerogel) 또는 이들의 조합된 것을 내부 및/또는 상시 탄소에 형성할 수 있는 것과 같은 침전 공정을 통하여 상기 OA를 재투입하는 단계를 포함할 수 있다.
 바람직하게는, 상기 혼합물은 작고 및/또는 밀접하게 혼합된 탄소 도메인(domain)과 실리타 도메인을 포함하고, 이들 상기 실리카의 도메인, 상기 탄소의 도메인, 또는 바람직하게는 이들 모두는 평균 크기(예를 들면, 평균 두께, 평균 지름, 나선(gyration)의 평균 반경, 또는 평균 길이)를 가지며, 이들 평균 크기는 바람직하게는 약 1mm 보다 작고, 더 바람직하게는 약 0.1mm 보다 작고, 좀더 바람직하게는 약 0.01mm 보다 작고, 그리고 가장 바람직하게는 약 0.001mm보다 작다. 상기 실리카의 도메인, 상기 탄소의 도메인, 또는 이들 모두의 작은 크기는 실리콘으로 실리카를 환원하는 단계로 귀착되는 것을 알아내었고, 하기에서 논의되는 바와 같이, 이는 매우 빠르고 효과적이다.
 압축 단계
 바람직하게는, 감소 수단에 상기 실리카를 노출시키는 단계 이전에 상기 공정은 하나 또는 그 이상의 압축 단계를 포함한다(예를 들면, 불순물 추출단계 이전, 불순물 추출단계 이후, 실리카 추출 단계 이전, 실리카 추출 단계 이후, 또는 이들의 조합). 압축은 AWP(예를 들면 상기 혼합물)을 포함하는 물질을 벌크 밀도를 증가하기 위한 단계로 제출하는 것을 의미한다. 바람직하게는, 압축 단계는 공정에서의 향상 및 상기 물질을 다루는데 있어서의 더 바람직한 향상을 제공한다. 왕겨(RH)와 같은 비압축된 원료 AWP는 일반적으로 약 0.2 g/cm 3(예를 들면, 약 0.1 g/cm 3 내지 약 0.2 g/cm 3)보다 적은 벌크 밀도를 가지며, RHA와 같은 비압축된 AWP는 일반적으로 약 0.2 g/cm 3(예를 들면, 약 0.3 g/cm 3 내지 약 0.9 g/cm 3)보다 큰 벌크 밀도를 갖는다. 낮은 벌크 밀도를 갖는 AWP도 또한 사용될 수 있다. 상기 압축 단계는 벌크 밀도를 증가시키기 위해 힘을 가하는 단계를 포함하는 알려진 어떠한 방법에 의해서도 수행될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 압축 단계는 하나 또는 그 이상의 구멍 또는 오프닝(opening)(32)을 갖는 몰드(31)를 포함할 수 있다. 상기 비압축된 물질은 압축된 물질(30)을 형성하기 위하여 상기 구멍 또는 오프닝(예를 들면, 결합판(mating plate)에 힘을 가하는)에 배치될 수 있다. 상기 압축 단계는 상기 물질에 압축된 힘(예를 들면, 적어도 약 20 MPa, 바람직하게는 적어도 약 50MPa의 단축 합축된 힘)을 가하는 단계를 포함할 수 있으므로, 도 3에서 보는 바와 같이, 상기 압축된 물질은 비교적 높은 벌크 밀도(예를 들면, 적어도 약 0.4 g/m 3, 더 바람직하게는 적어도 약 0.75 g/m 3, 그리고 가장 바람직하게는 적어도 약 1.1 g/m 3의 벌크 밀도)를 갖는다. 상기 압축 단계는 적어도 20%, 바람직하게는 적어도 50%, 더 바람직하게는 적어도 100%, 그리고 가장 바람직하게는 적어도 200% 만큼 상기 벌크 밀도를 증가시킬 수 있다. 예를 들면, 하나 또는 그 이상의 상기 압축 단계는 저장 비용, 운송 비용을 줄이거나 더 낮추기 위해서 상기 압축되는 물질의 부피를 감소시키기 위해서 사용될 수 있다. 본 발명의 하나의 측면은, 상기 압축된 물질은 펠릿(pellet), 막대(rod), 벽돌(brick), 이들과 유사한 것, 또는 그 밖의 것(예를 들면, 그 이후의 화학적 환원을 위한)으로 형성될 수 있다. 도 3을 다시 참조하면, 본 발명의 하나의 측면에 있어서, 상기 압축된 물질(30)은 일반적으로 막대 또는 디스크일 수 있고, 상기 압축된 믈질은 약 0.4 mm(예를 들면, 약 10 mm보다 큰)보다 큰 치수(dimension)(예를 들면, 지름)를 가질 수 있고, 또는 이들 모두의 경우일 수 있다. 본 발명의 하나의 측면에서, 상기 압축 단계는 이러한 바로 동일한 물질을 감소(reduce)시키는데 사용될 수 있는 반응기에서 단열(insulation)을 위하여 압축된 물질(예를 들면, 압축된 복합 물질)을 제공하는데 사용될 수 있다.
 물질을 포함하는 상기 압축된 실리카(예를 들면, 상기 압축된 AWP)는 유기 바인더 없이 형성될 수 있으며, 또는 유기 바인더(예를 들면, 수크로오스(sucrose), 글루코스(glucose))를 포함할 수 있으므로, 복합 물질은 다루기에 충분한 구조적 보전성(integrity)을 갖도록 형성될 수 있다. 대체가능하게는, 또는 유기 바인더에 추가적으로, 상기 압축된 물질은 바인더로 작용할 수 있는 OA를 포함한다. 만약에 사용된다면, 상기 바인더는 상기 압축된 물질(예를 들면, 상기 압축된 물질은 약 1중량% 내지 약 10 중량% 농도의 바인더를 포함할 수 있다)의 전체 질량 약 0.1중량%보다 크고, 바람직하게는 0.5중량%보다 크게, 그리고 가장 바람직하게는 약 1중량%보다 큰 농도로 사용될 수 있다.
 본 발명의 하나의 측면에서, 상기 압축된 물질(예를 들면, 상기 압축된 RHA)는 바람직하게는 약 5 ×10 -5 S/cm보다 큰 전기 전도도(electrical conductivity)를 가지며, 더 바람직하게는 약 4 ×10 -4 S/cm보다 크고, 그리고 가장 바람직하게는 약 5 ×10 -3 S/cm보다 크다. 상기 압축된 물질(예를 들면, 상기 압축된 RHA)는 바람직하게는 약 0.43 S/cm보다 작은 전기 전도도를 가지며, 더 바람직하게는 약 0.1 S/cm보다 작다. 더 높거나 더 낮은 전기 전도도도 사용될 수 있다. 카본 블랙 및/또는 흑연 분말(예를 들면, 고순도 카본 블랙 및/또는 흑연)은 상기 압축된 RHA의 전기 전도도를 조정하기 위해서 첨가될 수 있다(예를 들면,상기 압축된 RHA의 전체 중량에 대하여 약 0.1 내지 약 20 중량%, 바람직하게는 약 1 내지 약 10 중량%의 농도로).
 실리콘을 생성하는 실리카 환원
 본 발명의 다양한 측면에서, 상기 공정은 하나 또는 그 이상의 SiO 2 환원하는 단계를 추가로 포함한다(예를 들면, 상기 산소의 일부분, 실질적으로 모두 또는 완전히 제거하기 위하여). 특별히 제한하는 것은 아니지만, SiC를 생성하기 위해 SiO 2를 환원하는 단계, 실리콘 금속을 생성하기 위해 SiO 2를 환원하는 단계, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 측면에서, 상기 공정은 Sipv와 같은 고순도 실리콘 금속(예를 들면, 약 99.99 중량% 보다 큰, 더 바람직하게는 약 99.999 중량%보다 큰 농도의 실리콘을 갖는)을 형성하기 위한 하나 또는 그 이상의 SiO 2를 환원하는 단계를 포함한다. 상기 실리카를 환원하는 단계는 본 명세서에서 개시된 물질을 함유하는 어떠한 실리카도 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 실리카 환원 단계는 상기 실리카 함유 혼합물(상기 개시된 것과 같은), AWP(예를 들면, AWP cl(RHA cl과 같은) 또는 불순물 추출 단계에서 노출된 그 밖의 AWP), SARHA, SDRHA, 또는 이들의 조합인 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 실리카 환원 단계는 적어도 하나의 불순물을 추출하는 단계, 적어도 하나의 실리카 추출단계, 또는 이들 모두에 노출되어 온 물질을 함유하는 실리카를 사용한다. 더 바람직하게는 상기 실리카 환원 단계는 적어도 하나의 불순물을 추출하는 단계, 적어도 하나의 실리카 추출단계에 노출되어 오고, 약 1.8:1 내지 약 2.2:1 C:SiO 2의 비와 각각 약 25ppm보다 적은 불순물(예를 들면, 금속 불순물)을 함유하는 물질을 사용한다.
 일반적으로 상기 실리카 환원 단계는 고순도 실리콘 금속(예를 들면, Si pv)를 생산하기 위한 환원 수단(예를 들면, 열탄소(carbothermal), 열가열(thermal heating), 또는 그 밖의 것)에 상기 실리카를 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 환원 수단은 아크로(arc furnace), 유도전기로(induction furnace), 마이크로웨이브로(microwave furnace) 등 또는 이들의 조합인 노와 같은 노(furnace)에서 물질을 포함하는 실리카를 가열하는 하나 또는 그 이상의 단계를 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 가열 수단은 압축된 물질(예를 들면, 상기 기재된 압축 단계를 사용하여 준비된 물질)을 사용할 수 있다.
 특별히 이론에 의해 구속되지 않지만, 상기 실리카의 열탄소 환원은 하기의 반응을 사용할 수 있다:
 
 상기 실리콘으로의 실리카 열탄소 환원은 상기 환원 공정이 발생할 수 있는 어떠한 온도에서도 일어날 수 있다. 상기 열탄소 환원 온도는 바람직하게는 약 1000 ℃보다 크고, 더 바람직하게는 약 1300 ℃보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 1400 ℃보다 크고, 그리고 가장 바람직하게는 약 1700 ℃보다 크다. 상기 열탄소 환원 온도는 바람직하게는 약 2500 ℃보다 작고, 더 바람직하게는 약 2300 ℃보다 작고, 그리고 가장 바람직하게는 약 2100 ℃보다 작다. 밀접하게 결합된 SiO 2/탄소 혼합물은 이론적인 온도 1800℃보다 낮은 열탄소 환원 온도를 야기하는 것으로 평가된다.
 본 발명의 하나의 측면에 있어서, 탄소가 매우 큰 초과량이고, 아크, 유도전기 또는 마이크로웨이브로 등에서의 가열 방식(예를 들면, 급속 가열)에 의한다면, 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC)가 생산물(예를 들면, 1차 생산물)일 수 있고, 이는 직접적으로 Si pv로 환원되게 할 수 있다.
 열탄소 환원 단계를 사용하여 실리콘을 생성하는 공정(40)은 도 4에 도시되어 있다. 상기 공정은 실리카(예를 들면, 석영)(35)와 탄소(34)를 아크로(38)에 공급하는 단계(39)를 포함할 수 있다. 상기 아크 전극은 전기 에너지(36)를 상기 실리카와 상기 탄소를 가열하는 아크로 변환하고 실리콘으로 되는 실리카의 열탄소 환원(45)을 야기하는 복수의 전극(62)을 가질 수 있다. 상기 실리콘은 일반적으로 상기 노에서 녹은 실리콘(molten silicon)(37)이 될 수 있다. 상기 공정은 또한 하나 또는 그 이상의 기체(Si, CO 및 CO 2와 같은)(46)를 생성할 수 있고, 이들은 상기 노에서 제거된다. 이들 기체의 열에너지는 열교환기(48)를 사용하여 제거될 수 있고, 이들 기체로부터의 열에너지는 회수되고, 저장되고 및/또는 또 다른 형태의 에너지(예를 들면, 전기 에너지)로 변환될 수 있다. 상기 공정은 클린 기체(33)를 생산하고, 실리카(35)를 회수하고, 또는 이들 모두를 하기 위하여 상기 기체들을 필터링하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 공정은 상기 노(38)로부터 상기 녹은 실리콘(37)을 제거하기 위한 단계를 포함할 수 있다. 상기 녹은 실리콘은 하나 또는 그 이상의 정제(41) 단계, 하나 또는 그 이상의 고체화 단계(42), 하나 또는 그 이상의 분쇄 단계(43), 하나 또는 그 이상의 사이징 단계(44), 또는 이들의 조합의 과정을 거칠 수 있다. 도 4에 도시된 것과 유사한 공정인 석영과 탄소로부터 Si mg를 생산하는데 쓰여져 오고 있다. 석영 보다 높은 순도를 가지는 실리카 공급원료(AWP cl을 포함하는 공급원료와 같은)를 사용하여, 도 4에 나타낸 것과 같은 상업적인 공정은 Si pv와 같은 고순도 실리콘을 생산하기 위해서 개조될 수 있다.
 열탄소 환원 단계(예를 들면, 실리카 환원 단계)를 포함하는 공정은 도 5에 도시된 공정에서처럼 유도전기로를 사용하는 공정일 수 있다. 상기 유도전기로(50)는 세라믹 튜브와 같은 상기 노 인클로저(51)의 외면에 하나 또는 그 이상의 유도전기 코일(57)을 포함할 수 있다. 물질을 함유하는 압축된 실리카(예를 들면, 압축된 RHA)(52)는 노 인클로저에 놓여지고, 비활성 기체, 공기 또는 이들의 조합(바람직하게는 아르곤과 같은 비활성 기체)와 같은 기체(53)가 상기 노를 통하여 흐른다. 상기 유도전기 코일을 통하는 전류는 물질을 함유하는 상기 실리카를 가열하게 되고, 녹은 실리콘 금속(58)과 일산화 탄소(54)를 생성하는 반응을 일으킨다. 상기 녹은 실리콘 금속은 상기 물질을 함유하는 압축된 실리카로부터 똑똑 떨어져서, 상기 노의 바닥에 실리콘 금속(55)으로 수집된다. 상기 실리콘 금속은 바람직하게는 Si pv와 같은 고순도 금속성 실리콘이다. 또한, 상기 공정은 상기 실리콘 금속을 필터링하는 단계(56) 및/또는 잉곳(ingot)으로 변환하는 단계를 포함할 수 있다.
 열탄소 환원 단계를 포함하는 공정은 도 6a에서 도시된 공정과 같은 노(예를 들면, 전기아크로(electrical arc furnace, "EAF"))를 사용할 수 있다. 상기 EAF(60)는 내화벽돌과 같은 고온 단열재(61)로 부분적으로 또는 완전히 둘러싸인 챔버를 포함할 수 있고, 흑연을 포함하거나 흑연에 의해 둘러싸인 하나 또는 그 이상의 내벽(65)을 가질 수 있다. 상기 EAF는 일반적으로 흑연 막대 전극과 같은 1차 전극(62)과 하나 또는 그 이상의 흑연판 전극과 같은 2차 전극(66)을 갖는다. 하나의 예에서, 상기 내벽은 흑연을 포함하고, 2차 전극의 부분이다. 상기 1차 전극은 일반적으로 수직 방향인 상기 막대기의 축과 함께 장착될 수 있고, 상기 2차 전극의 적어도 일부에 대해서 수직이다. 상기 1차 전극은 상기 2개의 전극 간의 거리를 제어하기 위하여, 상기 1차 전극 상기 2차 전극을 향하여 또는 멀어지는 작동기(actuator) 또는 이동(예를 들면, 수직 이동)을 위한 다른 수단을 가질 수 있다. 물질 함유 실리카(예를 들면, 약 1.5 내지 약 2.2인 실리카 대 탄소의 비를 갖는 물질 함유 압축된 실리카)는 상기 노 내에 놓여 진다. 전류(64)는 상기 2개의 전극에 공급된다. 상기 최적의 전류뿐만 아니라 상기 전류의 필요한 범위도 상기 노의 크기에 좌우된다. 예를 들면, 이에 한정되는 것은 아니지만, 4" 직경, 4" 높이의 노 챔버를 사용할 때, 상기 전류는 약 5A보다 클 수 있고, 바람직하게는 약 20A보다 크고, 더 바람직하게는 약 40A보다 크고, 좀더 바람직하게는 약 60A보다 크고, 그리고 가장 바람직하게는 약 75A보다 클 수 있다. 상기 전류는 약 400 A보다 작을 수 있고, 바람직하게는 약 200 A 보다 작고, 더 바람직하게는 약 150 A 보다 작고, 좀더 바람직하게는 약 100 A 보다 작고, 그리고 가장 바람직하게는 약 85 A 보다 작을 수 있다. 상기 EAF는 열탄소적으로 상기 실리카를 환원시켜 실리콘 금속, 실리콘 카바이드, 또는 이들 모두를 필수적으로 포함하거나 이루어진 생성물을 형성한다. EAF는 3차 전극을 포함할 수 있고, 3상 전류를 사용할 수 있고, 이들 모두를 사용할 수 있는 것으로 여겨진다. 도 6a를 참조하면, 아크로를 사용하는 공정에서, 상기 고순도 실리콘 금속(예를 들면, 상기 Si pv)은 상기 열탄소 환원을 야기하는 상기 가열 유닛으로 삽입되는 상기 막대로 제조되는 것으로 기대된다. 또한, 탄소는 일산화탄소(CO), CO2, 다른 배출기체, 또는 이들의 조합의 형태로 제거되는 것으로 기대되고, 상기 가열 유닛 내에서 또는 이를 통하는 기체 흐름(예를 들면, 아르곤, 헬륨, 수소, 이산화탄소, 실리콘 나이트라이드를 만들 수 있는 질소 등, 또는 이들의 조합)에 의해서 휩쓸어 배출될 수 있다.
 도 6b는 열탄소 환원에 사용될 수 있는 또 다른 아크로(60')를 도시한 단면도이다. 상기 아크로는 탄소 또는 흑연 벽(65'), 탄소 또는 흑연 바닥(65') 및 탄소 또는 흑연 뚜껑(65")을 가지는 탄소 또는 흑연 도가니(crucible)(65)에 존재하는 반응 챔버(92)를 가질 수 있다. 상기 반응 챔버는 기체 주입구(85) 및 기체 방출구(86)를 위한 뚜껑에 2개의 오프닝(opening)을 가질 수 있다. 상기 기체 주입구와 상기 기체 방출구는 상기 노의 온도, 유출되는 기체들의 반응성을 견딜 수 있는 지르코니아 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 챔버의 탄소 또는 흑연 바닥(65") 밑에, 상기 노는 상기 탄소 또는 흑연 바닥과 전기적으로 접촉하고, 노의 외부로 확장될 수 있는 1차 탄소 또는 흑연 막대(62')와 전기적으로 접촉하는 탄소 또는 흑연 판(66)을 가질 수 있다. 또한, 상기 노는 상기 노의 바깥 지점에서 챔버의 내부까지 확장될 수 있는 2차 탄소 또는 흑연 막대(62")를 포함할 수 있다. 상기 1차 탄소 및 2차 탄소 또는 흑연 막대는 아크 웰더(arc welder) 또는 상기 2차 막대(62")와 상기 1차 도가니(65) 사이에 포텐셜을 공급할 수 있는 다른 장치와 연결될 수 있다. 바람직하게는 상기 2차 막대는 1차 도가니(예를 들면, 단열제로 작용할 수 있는 세라믹 조인트(87)을 사용하여)와 전기적으로 절연되고, 이동가능하여, 상기 2차 막대와 챔버의 바닥 간의 거리는 제어될 수 있다. 상기 판(66)과 1차 도가니 바닥은 녹은 실리콘(37)을 제거하기 위한 오프닝(55)를 가질 수 있다. 상기 오프닝 밑에, 상기 노는 상기 녹은 실리콘을 수집하기 위한 2차 탄소 또는 흑연 도가니(88)를 포함할 수 있다. 상기 노는 상기 챔버를 둘러싸는 알루미나 단열 벽돌과 같은 단열 물질(61)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 노는 노를 냉각을 위해, 열에너지의 회수를 위해 또는 이들 모든 경우를 위한 물의 순환(90) 또는 또 다른 열교환 유체를 위해서 사용될 수 있는 하나 또는 그 이상의 철 실린더(94)를 포함할 수 있다. 상기 주입구, 배출구, 1차 막대, 2차 막대, 또는 이들의 조합은 상기 챔버의 봉인(sealing)을 위한 세라믹 조인트와 같은 조인트(87)을 포함할 수 있고, 이에 의해서 상기 챔버 내의 분위기는 제어될 수 있다. 상기 노는 상기 노의 내부에 물질 함유 실리콘(예를 들면, RHA포함 혼합물, 실리카 및 탄소 또는 흑연의 혼합물, 실리콘 카바이드와 실리카의 혼합물 또는 이들의 조합)(89)을 포함할 수 있고 또는 상기 노의 내부로 공급되는 수단을 구비할 수 있다.
 상기 노는 상기 생성물을 수집할 수 있고, 노의 밖으로 흘려보낼 수 있고, , 또는 이들 모든 경우의 채널(예를 들면, 흑연벽을 구비하는 채널)을 포함할 수 있다. 다른 방안으로는, 상기 노는 상기 생성물을 수집하기 위한 도가니 또는 다른 용기(예를 들면, 흑연벽을 갖는 도가니 또는 용기)를 포함할 수 있다.
 만약 사용된다면, 상기 노(예를 들면, 상기 채널, 도가니, 전극 등, 또는 이들의 조합)에서 사용되는 탄소와 흑연은 고순도 흑연(예를 들면, 약 99.9 중량% 보다 크고, 약 99.99 중량% 보다 크고, 약 99.999 중량%보다 크고, 약 99.9999 중량% 보다 큰 탄소 농도를 갖는)일 수 있다.
 다른 공정의 특징
 본 발명의 방법은 하기 단계를 하나도 포함하지 않거나 또는 이들 단계의 조합일 수 있다: 일산화탄소를 사용한 탄소 산화 단계, 또는 HCl/아르곤과 반응하는 단계, 이들은 Amick et al에 의해서 1979년 3월 23일 출원된 미국 특허 4,214,920에 개시된 봐와 같다. 이들 단계들의 하나 또는 어떠한 조합의 제거는 저비용, 환경 충격 감소, 또는 이들 모두인 공정을 야기할 수 있다.
 상기 실리카 축출을 이용하여 화합물 함유하는 다른 실리콘 제조
 본 발명의 또 다른 측면은 상기 실리케이트 옥타애나이온(즉, "OA")을 사용하여 실세스퀴옥산으로부터 유도된 옥타하이드리도디메틸실록시옥타실세스퀴옥산(octahydridodimethylsiloxyoctasilsesquioxane, 즉 "OHS")과 같은 화합물을 함유하는 실리콘을 생성하는 공정이다. 또한, 상기 공정은 다시 Me 4NOH를 생성하는 Me 4NCl 재생 공정을 포함할 수 있고, 그 결과 상기 논의된 봐와 같이 사용된다. 본 발명의 이러한 측면은 화합물을 포함하는 하나 또는 그 이상의 실리콘(예를 들면, 부산물일 수 있는)을 생성하는 데 사용될 수 있고, 높은 표면적 및/또는 약 2:1의 탄소 대 실리카 비를 가지므로, 바람직하게는 Si pv(석영석 정제 공정에 의한 경우보다 낮은 비용으로, 미국 특허 4.214,920에 개시된 공정보다 낮은 비용으로, 높은 순도의, 더 적은 공정 단계, 또는 이들의 조합으로)를 생산하는 데 사용될 수 있다.
 상기 공정은 하나 또는 그 이상의 Me 4NOH와 같은 비교적 강한 염기를 사용할 수 있으며, 이는 바람직하게도 반응속도를 향상시킬 수 있다. 또한, Me 4NOH는 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane 즉, (Si(OEt) 4 또는 "TEOS")와 반응할 수 있고, 실리케이트 옥타애나이온(즉, "OA")과 같은 단일 생성물을 제조할 수 있다. OA는 옥타하이드리도디메틸실록시옥타실세스퀴옥산(즉 "OHS")를 제조하기 위하여 기능적으로 될 수 있다. OHS는 차례대로 하나 또는 그 이상의 나노구축 블록(nanobuilding block) 실세스퀴옥산(즉, "SQS")으로 변환될 수 있다. 더 바람직하게는, SQs는 특별히 이에 한정되는 것은 아니지만, 마모 및 부식 방지 코팅, 투명 섬유, 강화 섬유 복합체, 20x10 -6 내지 250x10 -6 m/m℃인 제어된 열팽창 선형 상수 및 배리어 막을 포함하는 다양한 물성의 다양한 나노복합 물질에 대한 접근을 제안할 수 있다. 또한, SQ 코어를 만드는 실리카의 0.5 nm 지름의 단결정에 의해서, 이들 물질들은 단순한 유기 아날로그(organic analog)의 안정성을 초과하는 열안정성을 제공할 수 있다.
 전형적이고 구체적인 일실시예는 TEOS를 생산하는 향상된 방법에 대한 것이다. 일반적으로 TEOS를 생산하는 이전의 방법들은 비교적 고가의 공정에서 Si mg와 같은 금속성 실리콘을 사용한다. 실리카 용해 동역학(dissolution kinetics)에 대한 본 명세서 논의에 따르면, AWP(예를 들면, RHA)와 같은 비교적 저가의 실리카 소스 사용하여 TEOS를 생산하기 위한 대체적이고 비교적 저가의 공정이 증명되어 왔다. 예를 들면, TEOS를 생산하기 위한 방법은 비교적 높은 순도, SiO 2의 높은 표면적, 무정형 탄소, 탄소의 높은 표면적, 또는 이들의 조합과 같은 상기 RHA의 하나 또는 그 이상의 장점을 취할 수 있다.
 또한, 바람직하게는 본 발명은 화합물 함유하는 기존의 Si와 신규한 Si(예를 들면, 본 명세서에 개시된 비용 및/또는 환경적 이점을 가져오는)의 합성을 위한 RHA와 같은 AWP의 용도에 대한 것으로, 예를 들면 본 명세서에서 논의된 방법, 본 명세서에서 논의된 공급원료 화학물질을 포함하는 Si, 또는 이들 모두를 사용할 수 있다. 높은 표면적 SiO 2으로부터 직접적으로 Si 화합물을 합성하는 대체적이 방법은 디스커버 어워드(Discover Awards) 2001의 결승 진출작에서 논의되었다. 디스커버 매거진 2001년 7월호는 본 발명의 목적을 위해서 본 명세서에 통합된다. 이러한 공정에 있어서, SiO 2(600m 2/g을 초과하는 실리카겔, 0.5 ~ 0.8m 2/g의 용융 실리카(fused silica) 또는 0.2 m 2/g의 모래이거나)는 1족 금속 수산화물( 예를 들면, KOH)와 많은 초과량의 끓는 에틸렌 글리콜(또는 또 다른 -1,2-디올)(예를 들면, ×10)에 투입된다. 상기 반응 동안에 형성되는 물의 증류 이후에, 상기 초과 에틸렌 글릴콜, MSi(OCH 2CH 2O) 2OCH 2CH 2OH 형성된 화합물은 결정화될 수 있다.
 실시예
 실시예를 통하여, 고순도 실리콘 금속(예를 들면, Si pv)과 고순도 SiC를 제조하는 다양한 방법이 논의된다. 하기의 실시예들은 예시를 위한 목적을 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다.
  실시예 1. 전기아크 공정을 통한 AWPcl 의 고순도 Si 로의 변환
 산 세척과 뒤이은 끓는 물 세척을 사용하여 5:95 내지 60:40의 탄소 대 실리카 몰비를 갖는 AWP 샘플로부터 불순물들을 제거한다. 이후에, 상기 AWP는 수산화암모늄과 반응시켜 일부의 실리카가 추출되고, 탄소 대 실리카의 증가된 몰비를 갖는 AWP cl이 형성된다. 다음에, 상기 AWP cl은 압축되어 벽돌 또는 막대를 생성한다. 이처럼, 본 발명은 상기 압축된 AWPcl 전극들을 제외하고는 어떤 고순도 전극들을 사용하지 않는 것으로 특징으로 할 수 있다. 상기 압축된 AWP cl은 전도성이고, 상기 아크 전극으로 사용되며, 이때 녹은 실리콘처럼 아크로를 통하여 흐르며, 생산되고(예를 들면, 반응(1)에서 개시된 화학 공정을 사용하여) 상기 생성물은 붙잡고, SiC를 포함하는 파편은 필터링해버리도록 디자인된 SiC 몰드 내에서 고립된다. 상기 아크로는 아크가 직접적으로 상기 AWP cl를 통하여 흐르도록 작동되고, 약 1400℃ 보다 큰 온도로 가열되도록 한다. 녹은 실리콘 금속은 약 99.99 중량% 보다 큰 기대 순도를 갖도록 생산되도록 기대된다.
  실시예 2. 유도전기 가열
 상기 아크로(arc furnace) 대신에 유도전기로(induction furnace)를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 반복하였다. 녹은 실리콘 금속은 약 99.99 중량% 보다 큰 기대 순도를 갖도록 생산되는 것으로 기대된다. 이처럼, 본 발명의 하나의 측면은 전기아크로, 유도전기로, 또는 이들 모두를 사용하는 실리카 환원 단계를 포함하는 공정이다. 특별히 이론에 의해 구속되는 것은 아니지만,큰 규모에서는 유도전기로인 경우보다 전기아크로를 사용한 경우가 전기사용량이 더 적은 것으로 여겨진다. 또한, 유도전기로인 경우보다 전기아크로를 사용하는 경우의 자본 비용이 더 적을 것으로 기대된다.
  실시예 3. 전기 발전/ 열탄소 환원
 전기 발전 공정에서 많은 양의 왕겨가 연소되어 많은 양의 전기 에너지와 많은 양의 왕겨재를 생산한다. 상기 많은 양의 왕겨재는 AWP cl로 변환되고, 이후에 유도전기로를 사용하여 고순도 실리콘 금속(예를 들면, Si pv)으로 변환한다. 상기 유도전기로를 가동시키기 위해 필요한 전기는 상기 왕겨의 연소로부터 생성되는 전지의 양보다 적을 것으로 기대된다. 이처럼, 본 발명은 상기 반응들의 부산물로서 전기의 재발전을 계획한다. 또한, 상기 공정은 재생 가능한 자원(예를 들면, 에너지, 실리콘 소스, 탄소 소스를 위한 또는 녹은 실리콘(예를 들면, 녹은 Si pv)을 생산하기 위한 압축된 AWP cl 막대)을 완전히 사용하는 하나, 둘 또는 그 이상의 단계들(예를 들면, 모든 단계들, 또는 전체에서의 상기 공정)에 의해서 특정될 수 있다. 상기 유도전기 녹이기는 전기장(예를 들면, 도 5에 도시된 봐와 같은)을 통하여(예를 들면, 수직적으로) AWP cl의 압축된 막대를 거치는 단계를 포함한다. 상기 AWP cl은 고온으로 되도록 가열된다(예를 들면, 반응(1)에서 유도된 온도까지). 고순도 실리콘 Si pv는 막대로 제조되고, 상기 열탄소 환원을 유도하는 상기 가열유닛으로 삽입되는 것이 바람직하다. 또한, 탄소는 일산화탄소(CO)로, CO 2로, 다른 배출기체로, 또는 이들의 조합으로 제거되고, 상기 가열유닛의 내부에 또는 통하는 기체 흐름(예를 들면, 아르곤, 헬륨, 수소, 이산화탄소, 실리콘 나이트라이드를 만들 수 있는 질소 등, 또는 이들의 조합)에 의해서 씻겨나갈 수도 있다.
  실시예 4.
 상기 가열유닛이 불활성 기체를 포함하여, 가열유닛 내에 실질적으로 또는 완전히 비반응성 분위기를 제공하는 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 반복하였다. 상기 실시예에서, CO 또는 CO 2는 상기 막대의 끝부분에서 똑똑 떨어져 도가니 하단에 수집되는 녹은 Si pv와 동시에 생성된다. 도가니 수집에 접합한 물질은 흑연, SiC, 몰리브덴, 또는 유사한 물질을 포함한다. 상기 불활성 기체 흐름은 연속적으로 상기 CO를 쓸어낸다. 상기 유도전기 코일은 석영 튜브, 세라믹 튜브, 또는 이와 유사한 것과 같은 절연체에 의해서 상기 막대로부터 분리된다.
  실시예 5
 약 1.8: 1의 실리카 대 탄소 비를 갖는 RHA 분말은 약 1.0 g/cm 3의 밀도로 압축된다. 이후에, 약 80 A의 전류의 EAF로 상기 분말은 가열된다. 상기 압축된 RHA는 열 절연체로 작용하고, 상기 실리콘 금속의 수율은 상기 RHA의 실리콘 전체 질량의 약 1% 보다 작다.
  실시예 6
 불순물을 추출한 적이 없는 RHA를 혹연과 혼합하고 압축하여 약 1.8:1의 실리카 대 탄소비를 갖는 실리더(직경 = 약 3 cm, 길이 = 약 1.25 cm)를 형성한다. 상기 실린더는 12.7 mm 막대 전극과 판 전극을 포함하는 2개의 전극을 갖는 EAF 내에 투입된다. 약 80 A의 전류가 공급되어 상기 실리카는 실리콘 금속으로 환원된다. 상기 수율은 상기 RHA 내의 전체 실리콘 질량의 약 30%이다. 상기 실리콘 금속은 약 99.997 중량%의 순도를 가지고, 약 1 ppm의 알루미늄, 약 7.2 ppm의 붕소, 약 15 ppm의 칼슘, 약 0.3 ppm보다 적은 구리, 약 0.4 ppm의 철, 약 2 ppm 보다 적은 칼륨, 약 1 ppm보다 적은 마그네슘, 약 0.3 ppm보다 적은 나트륨, 그리고 약 1 ppm보다 적은 티타늄을 포함한다.
  실시예 7
 RHA는 지르코니아 밀링 미디어와 약 23 ℃에서 약 9.75 중량%의 HCl을 함유하는 수용액에서 약 3일 동안 산성 밀링된다. 상기 산성 밀링은 약 80 ppm의 Fe, 420 ppm의 Mg, 250 ppm의 Na 그리고 10000 ppm의 K를 제거할 수 있다. 이후에, 상기 물질은 끓는 물에 세척하여 불순물을 더 제거한다(예를 들면, 재흡수되는 불순물). 상기 끓는 물은 약 80 ppm의 Fe, 약 130 ppm의 Mg, 약 50 ppm의 Al, 약 80 ppm의 Na, 그리고 약 3600 ppm의 K를 제거한다. 상기 끓는 물 세척 이후에, 상기 인의 농도는 측정 가능한 수준의 밑이고, 상기 RHA는 약 99.99 중량%의 순도를 갖고, 약 1 마이크로미터의 평균 입자 크기를 갖는다. 그리고나서 상기 물질은 약 109 ℃의 온도에서 끓는 산(예를 들면, 약 18.75 중량% HCl 물에서 약 1시간 동안)에서 침출되고, 끓는 물 세척이 뒤따른다. 상기 끓는 물 세척은 Fe 불순물들을 상기 산성 침출 단독인 경우보다 약 40배 더 제거한다. 상기 산성 침출과 끓는 물 단계는 반복된다. 다음에, 상기 RHA는 약 118℃ 끓는 n-부탄올에서 3차 수산화 암모늄(tertiary ammonium hydroxide)과 반응하여, 상기 실리카의 일부를 추출한다. 상기 결과의 실리카가 조정된 RHA(SARHA)는 약 1.7:1의 실리카 대 탄소 비를 갖는다. 상기 실리카의 일부를 추출한 후에, 상기 SARHA는 약 200 m 2/g보다 큰 특정한이 유용 면적(specific service area)을 갖는다(상기 BET방법으로 측정되는). 상기 SARHA는 다시 침출되고, 끓는 물에서 세척된다. 이후에, 상기 SARHA는 흑연과 혼합되고(상시 혼합물에는 상기 흑연으로부터 온 약 2 중량%의 탄소가 존재한다), 압축되어 실리더를 형성하고, 그리고나서 실시예 6에서 사용된 것과 같은 동일한 공정을 사용하여 EAF내에서 열탄소 환원된다. 상기 실리콘 금속 결과물은 약 99.9994%의 순도를 가지고, 약 1.2 ppm의 알루미늄, 약 0.09 ppm의 붕소, 약 1.4 ppm의 칼슘, 0.1 ppm 보다 적은 구리, 약 1.8 ppm의 철, 약 0.7 ppm의 칼륨, 약 0.1 ppm이 마그네슘, 약 0.04 ppm의 나트륨, 그리고 약 0.1 ppm보다 적은 티타늄을 포함한다. 실리콘 금속의 수율은 상기 RHA의 실리콘 농도에 대하여 약 30중량%이다.
 상기 추출된 실리카는 실리케이트 옥타애나이온의 형태로 상기 실리카 추출단계에서 회수된다. 상기 실리카는 재결정되고 2번의 차가운 부탄올 세척으로 정제된다. 상기 제조된 실리타 나노입자는 약 99.9996%의 순도를 가지고, 400 m2/g보다 큰 특정 유용 면적을 갖는다(상기 BET방법으로 측정되는).
  실시예 8
 산성 밀링 또는 산성 침출되지 않은 RHA는 압축되고, 상기 EAF에 투입된다. 상기 물질은 글루코스 바인더와 흑연과 혼합되어, 약 1:1보다 작은 실리카 대 탄소의 비를 갖는다. 이후에, 상기 물질은 압축되고, 실시예 5의 조건을 사용하여 열탄소 환원된다. 약 94.4 중량%의 순도를 갖는 실리콘 카바이드가 형성된다. 상기 생성물의 x - 선 회절 스펙트럼(intensity vs. 2 theta angle)은 도 8에 나타난다. 회절 각도에 대응하는 상기 피크 81, 82 및 83은 미량의 크리스토발라이트(cristobalite)를 갖는 실리콘 카바이드를 나타낸다.
  실시예 9
 상기 RHA는 산성 밀링되고, 이후에 침출되고, 실리카가 추출되고, 그리고 글루코스 바인더와 혼합되기 전에 침출되어, 약 1:1보다 적은 실리카 대 탄소 비를 갖는 실린더를 형성하는 것을 제외하고는 실시예 9는 실시예 8의 방법을 사용하여 준비된다. 상기 EAF에서 상기 실리카를 환원한 이후에, 약 99.99 중량%보다 큰 순도를 가지는 미크론(micron) 크기의 실리콘 카바이드 입자가 형성된다. 실리콘 카바이드의 수율은 약 90% 보다 크다.
 도 7은 본 발명의 몇 가지 측면을 도시한 순서도이다. RH 또는 다른 AWP로 시작하면, 불순물은 실질적으로 환원되거나 제거된다. 상기 불순물들이 제거되면, 상기 RH는 플라즈마장(plasma field), 마이크로웨이브, 유도전기로, 전기 아크 등 또는 이들의 조합에 들어간다. 상기 마이크로웨이브, 상기 유도전기로, 상기 전기 아크 등 또는 이들의 조합의 하나의 측면에 있어서, Si pv는 회수된다.
 본 발명의 범위에서 출발하지 않고, 상기 공식(formulation)으로부터 다양한 성분 또는 단계가 치환되거나, 첨가되고 또는 제거될 수 있음은 이해되어야 한다. 또한, 상기 성분들의 중량%와 열거된 물성의 값은 상기 열거된 값의 ±5%, ±10%, ±25% 또는 ±50%까지 또는 보다 크게 다양할 수 있는 것으로 생산된다. 예를 들면, 10의 값의 ±10%는 9 내지 11 범위이다.
 복수의 구성요소 또는 단계들의 기능과 구조는 결합되어 단일의 구성요소 또는 단계, 또는 하나의 단계 또는 구성요소의 기능 또는 구조가 될 수 있고, 복수의 단계들 또는 구성요소들로 분리될 수 있다. 본 발명은 이들의 모든 조합을 고려한다. 다른 언급이 없는 한, 본 명세서에 묘사된 다양한 구조들의 치수(dimension)와 도형(geometry)은 본 발명을 한정하는 것으로 의도되지 않으며, 다른 치수 또는 도형도 가능하다. 복수의 구조적 구성요소들 또는 단계들은 단일의 통합된 구조 또는 단계에 의해서 제공될 수 있다. 또는, 단일의 통합된 구조 또는 단계는 분리된 복수의 구성성분들과 단계들로 분리될 수 있다. 또한, 본 발명의 특징은, 도시된 실시예들 중에서 단 하나의 실시예의 조건에 의해서 기재될 수도 있지만, 어떠한 애플리케이션을 위해서도 이들 특징은 다른 실시예들의 하나 또는 그이상의 특징들과 결합될 수 있다. 또한, 바람직하게는 상기의 기재로부터, 본 명세서의 특징적인 구조의 제작과 이들의 작동은 또한 본 발명에 상응하는 방법을 구성할 수 있다. 또한, 본 발명은 본 명세서의 상기 방법의 실시로부터 생성되는 중간 생성물과 최종 생성물을 포괄한다. "포함하는(comprising)" 또는 "함유하는(including)"의 사용은 또한 상기 인용된 특징의 "필수적인 성분으로 이루어지는(consist essentially of)" 또는 "이루어지는(consist of)" 실시예를 예상한다.
 본 명세서에 개시되는 설명과 도면은 본 발명, 이론, 그리고 실제의 애플리케이션의 기술분야의 숙련된 다른 자들에게 잘 이해시킬려는 의도를 갖는다. 상기 기술분야의 숙련된 자들은 실제 사용의 요구에 가장 적합할 수 있도록 다양한 형태로 본 발명을 개량하고 적용할 수 있다. 또한, 기재된 본 발명의 특정 실시예들은 본 발명의 배타적인 것 또는 본 발명을 한정하는 것을 의미하지 않는다. 그러므로, 본 발명의 범위는 상기 기재를 참조하여 결정되어서는 안 되며, 그 대신에 이들 청구범위와 상응하는 전체의 범위와 함께, 첨부된 청구범위를 참조하여 결정되어야 한다. 특허출원과 공개를 포함하는 모든 논문과 레퍼런스의 개시는 본 발명의 모든 목적을 위해서 참조로 통합된다.
 상기 참조된 측면과 예들은 본 명세서에서 나타나고 기재되는 본 발명의 범위 내에 존재하는 다른 것들과 같이 제한이 없는 것으로 여겨져야 한다. 예를 들면, 상기 언급된 본 발명의 측면 또는 특징들은 본 명세서에 기재된 것처럼, 도면에 설명된 것처럼, 또는 그 밖의 경우에서처럼 다른 특징적인 구성을 형성하기 위해서 결합될 수 있다.
 미국 임시 특허 출원의 최초 출원된 청구범위는 레퍼런스로 본 명세서에 통합된다. 본 명세서에 기재된 본 발명은 상기 청구범위에 기재되고 사용된 상기 특징들, 구성요소, 및/또는 공정 단계의 모든 조합을 포함한다.