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1. (JP2012514329) 両方の側に波長変換器を有する光生成デバイス

Office : Japan
Application Number: 2011543557 Application Date: 10.12.2009
Publication Number: 2012514329 Publication Date: 21.06.2012
Publication Kind : A5
IPC:
H01L 33/08
H01L 33/28
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
08
with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
26
Materials of the light emitting region
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containing only elements of group II and group VI of the periodic system
Applicants: スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
Inventors: キャサリン エー.レザーデール
アンドリュー ジェイ.アウダーカーク
トミー ダブリュ.ケリー
Agents: 青木 篤
島田 哲郎
三橋 真二
廣瀬 繁樹
前島 一夫
吉川 雅也
Priority Data: 61/140,697 24.12.2008 US
Title: (JA) 両方の側に波長変換器を有する光生成デバイス
Abstract:
(JA)

発光デバイス(200)は、発光ダイオード(LED202)に取り付けられた波長変換器(204)を含む。波長変換器は第1の側及び第2の側の両方にエッチングされたパターンを有してもよい。一部の実施形態では、変換器の第1の側及び第2の側はそれぞれ、その頂部において、その基部と異なる幅を有する、対応の構造体を含む。波長変換器は、LEDの第2領域(224)と重なることなく、LEDの第1領域(218)に実質的に重なる第1フォトルミネセント要素(208)を含んでもよく、一方で第2フォトルミネセント要素(210)は、第1領域と重なることなく、第2領域と実質的に重なる。一部の実施形態では、不動態化層は、第1の側のエッチングされてたパターンの上に配置される。非エピタキシャル材料が、窓層の1つの領域の第1の側及び第2の側に配置されている状態で、窓層は、第1フォトルミネセント要素と第2フォトルミネセント要素との間に配置されてもよい。


Also published as:
EP2380216US20110260601CN102318089KR1020110105842WO/2010/074987