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1. JP2021036567 - 半導体装置

Office
Japan
Application Number 2019158096
Application Date 30.08.2019
Publication Number 2021036567
Publication Date 04.03.2021
Publication Kind A
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Applicants 株式会社ジャパンディスプレイ
Inventors 花田 明紘
海東 拓生
津吹 将志
Agents ポレール特許業務法人
Title
(JA) 半導体装置
Abstract
(JA)

【課題】酸化物半導体による薄膜トランジスタ(TFT)において、閾値電圧の変動ΔVthを抑える。
【解決手段】酸化物半導体によるTFTを有する半導体装置であって、前記酸化物半導体は、チャネル領域104、ソース領域1042、ドレイン領域1043と、前記チャネル領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間にLDD(Lightly Doped Drain)領域1041を有し、前記LDD領域1041の抵抗率は、前記チャネル領域の抵抗率よりも小さく、前記ソース領域あるいは前記ドレイン領域の抵抗率よりも大きく、ソース電極108は前記ソース領域1042と重複して形成され、ドレイン電極109は前記ドレイン領域1043と重複して形成され、前記酸化物半導体の前記LDD領域1041の厚さは、前記チャネル領域104の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【選択図】図8

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