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【課題】シリコン基板上に成長したIII-N素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】当該III-N素子は、シリコン基板10上に配置され、シリコン基板10の表面と実質的に結晶格子整合する単結晶応力補償テンプレート11を含む。GaN層12が応力補償テンプレートの表面に置かれ、実質的にそれに結晶格子整合する単結晶III-N材料の活性層14が、GaN層12の上に成長し、さらに単結晶希土類酸化物誘電体層16が、前記単結晶III-N材料の活性層14上に成長している。【選択図】図1