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半導体基板を暫定接合する多層接合層方式が提供される。本発明の接合方式では、層の少なくとも1つは半導体基板と直接接触し、この方式の少なくとも2つの層は互いに直接接触している。本発明では多層構造体内の異なる層が特定の機能を実行するため幾つかの処理選択肢が提供される。更に重要なことは、熱安定性の向上、過酷な背面処理ステップとの適合性の向上、封止によるウェーハー前面の衝撃保護、剥離ステップにおける応力の軽減、及び前面の欠陥減少を提供することによって、薄ウェーハーハンドリング溶液の性能を改善することである。