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1. JP2008517441 - イオンビームを集束させるためのシステム及び方法

Office
Japan
Application Number 2007537924
Application Date 12.10.2005
Publication Number 2008517441
Publication Date 22.05.2008
Grant Number 5272242
Grant Date 24.05.2013
Publication Kind B2
IPC
H01J 37/317
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. ion implantation
H01L 21/265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with wave or particle radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
CPC
H01J 37/147
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
H01J 37/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3171for ion implantation
H01J 37/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
H01J 37/317
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
Applicants アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド
Inventors ベンベニステ ビクター
ケラーマン ピーター
Agents 萼 経夫
宮崎 嘉夫
舘石 光雄
小野塚 薫
田上 明夫
▲高▼ 昌宏
中村 壽夫
加藤 勉
Priority Data 10967855 18.10.2004 US
Title
(JA) イオンビームを集束させるためのシステム及び方法
Abstract
(JA)

イオン注入機内の走査イオンビームを集束するためのシステム及び方法が提供される。ビーム集束システムは、第1、第2磁石を備え、該第1、第2磁石は、協働して、走査方向に沿って走査イオンビームの時間的に変化するビーム位置ニ対応する時間的に変化する集束フィールド中心を有する磁気的な集束フィールドを与える。この方法は、走査平面内に集束フィールド中心を有する集束フィールドを与える工程と、集束フィールド中心が、走査方向に沿って走査イオンビームの時間的に変化するビーム位置にほぼ一致するように集束フィールドを動的に調整する工程とを含んでいる。