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1. JP2004516645 - MTJMRAM直並列アーキテクチャ

Office
Japan
Application Number 2002524150
Application Date 24.08.2001
Publication Number 2004516645
Publication Date 03.06.2004
Publication Kind A
IPC
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
G11C 11/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
14using thin-film elements
15using multiple magnetic layers
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
CPC
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
G11C 11/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
14using thin-film elements
15using multiple magnetic layers
Applicants エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド
Inventors ナジ、ピーター ケイ.
デエレラ、マーク
ダーラム、マーク
Agents 本田 淳
池上 美穂
Priority Data 09649117 28.08.2000 US
Title
(JA) MTJMRAM直並列アーキテクチャ
Abstract
(JA)

メモリ・セル(18)のアレイが、行と列(15)に配置され、各メモリ・セルが、並列に接続された磁気トンネル接合部(20、22、24、26)および制御トランジスタ(21、23、25、27)からなる磁気トンネル接合ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ。制御ライン(WL)が、制御トランジスタの行の中の各制御トランジスタのゲートに接続され、また各磁気トンネル接合部に隣接して延びる金属プログラミング・ライン(36〜39)が、バイアによって離間された間隔で制御ラインに接続される。さらに、各列の中のメモリ・セルのグループ(16、17)が直列に接続されて、グローバル・ビット・ライン(19)に並列に接続されるローカル・ビット・ラインを形成する。この直並列構成は、中央に位置する列を使用して基準信号を提供し、また基準列の各側の列からのデータを基準信号と比較して、または近接する2つの列を差分比較して読み取られる。