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PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of characteristics of a thin film transistor using a polycrystalline silicon film caused by exposure to a resist removing solution in a resist removing step.
SOLUTION: An ozone-contained water is brought into contact with the surface of a polycrystalline silicon film 2 to form a surface oxide layer 3 thereon, a predetermined pattern of the mask 4 is formed on the polysilicon film 2 directly or via another film, etching or impurity ion implantation is carried out using the mask 4 to remove the mask 4 under a condition that the surface oxide layer 3 is formed on a surface of the at least exposed polysilicon film 2, thereby obtaining a thin film transistor excellent in characteristics and reliability.
COPYRIGHT: (C)2001,JPO
【課題】 レジスト剥離工程において多結晶シリコン膜 が剥離液に晒されてしまうと、この膜を用いて形成する 薄膜トランジスタの特性が劣化する。
【解決手段】 多結晶シリコン膜2の表面にオゾン含有 水を接触させてこの表面に表面酸化層3を形成し、多結 晶シリコン膜2上に、直接または他の膜を介して、所定 パターンのマスク4を形成し、このマスク4を用いてエ ッチングまたは不純物イオンの注入を行い、少なくとも 露出した多結晶シリコン膜2の表面に表面酸化層3が形 成されている状態でマスク4を除去する。 こうして、特 性および信頼性に優れた薄膜トランジスタを得る。