PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Monday 03.02.2020 at 10:00 AM CET
Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (JP2009500862) ミスカット基板上のレーザダイオード配向

Office : Japan
Application Number: 2008521413 Application Date: 27.06.2006
Publication Number: 2009500862 Publication Date: 08.01.2009
Publication Kind : A
IPC:
H01S 5/323
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32
comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures
323
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
Applicants: クリー インコーポレイテッド
CREE INC.
Inventors: ブランデス,ジョージ,アール.
ヴァウド,ロバート,ピー.
シュ,シェピン
Agents: 稲葉 良幸
大賀 眞司
大貫 敏史
Priority Data: 60/699,659 11.07.2005 US
Title: (JA) ミスカット基板上のレーザダイオード配向
Abstract:
(JA)

半導体デバイス構造がオフアクシス基板(201)上で一方向に位置決めされているマイクロ電子アセンブリ。図示の実施においてレーザダイオードがGaN基板(201)上に配向されており、GaN基板は、<0001>方向から主に<1120>または<1100>の群の方向に主に向かうオフカットされたGaN(0001)表面を含む。<11 20>オフカット基板の場合、レーザダイオードキャビティ(207)は、表面格子ステップに垂直な劈開レーザファセットを有するために、基板(201)の格子表面ステップ(202)に平行な<1 100>方向に沿って配向され得る。<1100>オフカット基板の場合、レーザダイオードキャビティは、表面格子ステップと位置合わせされた劈開レーザファセットを提供するために、基板(201)の格子表面ステップ(207)に垂直な<1 100>方向に沿って配向され得る。


Also published as:
US20080265379DE112006001847WO/2007/008394