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1. (JP2006514272) 磁界感知装置

Office : Japan
Application Number: 2004567284 Application Date: 31.01.2003
Publication Number: 2006514272 Publication Date: 27.04.2006
Publication Kind : A
IPC:
H01L 43/08
G01R 33/09
H01L 39/22
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08
Magnetic-field-controlled resistors
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
R
MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33
Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02
Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06
using galvano-magnetic devices
09
Magneto-resistive devices
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39
Devices using superconductivity or hyperconductivity; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
22
Devices comprising a junction of dissimilar materials, e.g. Josephson-effect devices
Applicants: コミサリア、ア、レネルジ、アトミク
COMMISSARIAT A L’ENERGIE ATOMIQUE
エレクタ ニューロマージ オサケ ユイチア
Inventors: パンティエ,ミリアム
フェルモン,クロード
シモラ,ユハ
Agents: 酒井 宏明
Priority Data:
Title: (JA) 磁界感知装置
Abstract: front page image
(JA)

磁界感知装置は、単一層超電導薄膜からエッチングにより作出された経路幅(d)の閉じた超電導ピックアップ・ループ(1)を備え、前記経路幅よりも狭い幅(w)を持つくびれ(15)を設けられている。前記閉じた超電導ピックアップ・ループ(1)は磁束-磁界変成器(FFDT)を構成する。前記超電導薄膜の上または下に少なくとも1つの磁気抵抗素子(2)を配置し、前記超電導薄膜からは薄い絶縁層により隔離され、そして前記磁気抵抗素子の活性部分がくびれ(15)の位置にあるとともに、くびれ(15)の幅に等しいかまたは小さい幅を有するように配置される。磁気抵抗素子(2)の活性部分はその中のバイアス電流が本質的にくびれ(15)に沿って、狭い幅に直交する向きに配向されている。


Also published as:
EP1588177US20060220641CA2514869AU2003206904WO/2004/068158