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1. (DE112015007241) BEGRENZTES UND SKALIERBARES HELMELEMENT

Office : Germany
Application Number: 112015007241 Application Date:
Publication Number: 112015007241 Publication Date: 24.01.2019
Publication Kind : T5
Prior PCT appl.: Application Number:PCTUS2015000373 ; Publication Number:WO2017111816 Click to see the data
IPC:
H01L 29/78
H01L 21/336
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
68
controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76
Unipolar devices
772
Field-effect transistors
78
with field effect produced by an insulated gate
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
334
Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type
335
Field-effect transistors
336
with an insulated gate
CPC:
H01L 21/823431
H01L 27/0886
H01L 29/66545
H01L 29/785
H01L 21/28132
H01L 21/823468
H01L 29/4983
Applicants: Intel Corporation
Inventors: Sharma Vyom
Bambery Rohan K.
Auth Christopher P.
Liao Szuya S.
Thareja Gaurav
Agents: 2SPL Patentanwälte PartG mbB Schuler Schacht Platzer Lehmann
Priority Data:
Title: (DE) BEGRENZTES UND SKALIERBARES HELMELEMENT
Abstract: front page image
(DE)

Eine Ausführungsform aufweist ein System auf, das Folgendes umfasst: ein erstes und ein en ersten Kontakt, die einem Transistor entsprechen und auf einer ersten Finne vorliegen; ein zweites Gate und einen zweiten Kontakt, die einem Transistor entsprechen und auf einer zweiten Finne vorliegen, ein Zwischenschichtdielektrikum (ILD), das kollinear in Bezug auf den ersten und den zweiten Kontakt und zwischen diesen vorliegt; wobei (a) das erste und das zweite Gate kollinear vorliegen und der erste und der zweite Kontakt kollinear vorliegen; (b) das ILD eine Ausnehmung aufweist, die eine Deckschicht umfasst, die zumindest eines von einem Oxid und einem Nitrid aufweist. Weitere Ausführungsformen sind hierin beschrieben. embedded image


Also published as:
US20180315607CN109075194WO/2017/111816