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1. (DE112016006331) Halbleitervorrichtung

Office : Germany
Application Number: 112016006331 Application Date:
Publication Number: 112016006331 Publication Date: 18.10.2018
Publication Kind : T5
Prior PCT appl.: Application Number:PCTJP2016052595 ; Publication Number:WO2017130370 Click to see the data
IPC:
H01L 23/34
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
34
Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
CPC:
H01L 23/36
H01L 23/473
H01L 23/49562
H01L 23/367
H01L 23/50
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation
Inventors: Murai Ryoji
Aiko Mitsunori
Shirasawa Takaaki
Agents: Hoefer & Partner Patentanwälte mbB
Priority Data:
Title: (DE) Halbleitervorrichtung
Abstract: front page image
(DE)

Eine in der Beschreibung offenbarte Technik bezieht sich auf eine Technik zum Verbessern des Wärmeableitungsvermögens eines Halbleiterelements und des Wärmeableitungsvermögens einer Zuleitungselektrode, ohne die Größe eines Produkts zu vergrößern. Eine Halbleitervorrichtung der Technik enthält das Folgende: ein Halbleiterelement (100), eine Zuleitungselektrode (102) mit einer unteren Oberfläche, die mit einer oberen Oberfläche des Halbleiterelements (100) an einem Ende der Zuleitungselektrode (102) verbunden ist, wobei die Zuleitungselektrode (102) ein externer Anschluss ist; einen Kühlmechanismus (109), der auf einer Seite einer unteren Oberfläche des Halbleiterelements (100) angeordnet ist; und einen Wärmeableitungsmechanismus, der so vorgesehen ist, dass er zwischen der unteren Oberfläche der Zuleitungselektrode (102) und dem Kühlmechanismus (109) thermisch verbunden ist, wobei die untere Oberfläche einer Seite eines anderen Endes der Zuleitungselektrode (102) benachbarter als dem einen Ende ist, wobei der Wärmeableitungsmechanismus zumindest eine isolierende Schicht (104) enthält. embedded image


Also published as:
CN108496247US20180350713WO/2017/130370