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1. (DE112006001847) Ausrichtung von Laserdioden auf fehlgeschnittenen Substraten

Office : Germany
Application Number: 112006001847 Application Date: 27.06.2006
Publication Number: 112006001847 Publication Date: 17.02.2011
Publication Kind : B4
Prior PCT appl.: Application Number:PCTUS2006024846 ; Publication Number:2007008394 Click to see the data
IPC:
H01S 5/10
H01S 5/323
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32
comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures
323
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
CPC:
H01S 5/32341
Y10S 438/973
Applicants: CREE INC
Inventors: BRANDES GEORGE R
VAUDO ROBERT P
XU XUEPING
Priority Data: 60/699,659 11.07.2005 US
Title: (DE) Ausrichtung von Laserdioden auf fehlgeschnittenen Substraten
Abstract: front page image
(DE)

Halbleiter-Bauelement, das Folgendes umfasst:
ein GaN-Substrat, das eine GaN(0001)-Oberfläche aufweist, die von der <0001>-Richtung im Wesentlichen in Richtung auf die <11 2 0>-Richtung abgespalten wurde; und
einen Laserdioden-Resonator auf dem GaN-Substrat, der parallel zu der <1 1 00>-Richtung ausgerichtet ist.


Also published as:
JP2009500862US20080265379WO/2007/008394