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1. DE102006043436 - Process to protect an alloy of titanium and aluminum from oxidation by implantation of fluorine and silicon

Office Germany
Application Number 102006043436
Application Date 15.09.2006
Publication Number 102006043436
Publication Date 29.11.2007
Publication Kind B3
IPC
C22F 3/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS OR NON-FERROUS ALLOYS
3Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by special physical methods, e.g. treatment with neutrons
CPC
C22F 3/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
3Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by special physical methods, e.g. treatment with neutrons
Applicants DECHEMA
FORSCHUNGSZENTR DD ROSSENDORF
Inventors SCHUETZE MICHAEL
DONCHEV ALEXANDER
YANKOV ROSSEN
RICHTER EDGAR
Title
(DE) Erhöhung der Oxidationsbeständigkeit von TiAl-Legierungen durch die kombinierte Implantation von Fluor und Silizium
(EN) Process to protect an alloy of titanium and aluminum from oxidation by implantation of fluorine and silicon
Abstract
(DE)

Die kombinierte Implantation von Fluor und Silizium in die Werkstoffoberfläche von TiAl-Legierungen kann deren Oxidationsbeständigkeit im Temperaturbereich von 750 bis 1100°C an Luft gegenüber unbehandelten TiAl-Legierungen deutlich erhöhen. Die Implantation kann durch verschiedene Verfahren, einmal die Beamline-Ionenimplantation (BLII) oder die Plasma-Immersion-Ionenimplantation (PIII, PI3), erfolgen. Entgegen dem bisherigen Kenntnisstand, wo nur die reinen Halogene implantiert wurden, lassen sich durch die Kombination von Fluor und Silizium bessere Ergebnisse als bei reiner Fluorimplantation erzielen.

(EN)

In a process to protect an alloy of titanium and aluminum from oxidation, the alloy is treated at a temperature of between 750[deg]C and 1100[deg]C by combined implantation of fluorine and silicon.