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1. CN102460739 - 长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管

Office China
Application Number 201080031130.1
Application Date 07.06.2010
Publication Number 102460739
Publication Date 16.05.2012
Publication Kind A
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/00
CPC
B82Y 20/00
Applicants 加利福尼亚大学董事会
Inventors 阿尔潘·查克拉伯蒂
林佑达
中村修二
史蒂文·P·登巴尔斯
Agents 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
Priority Data 61/184,729 05.06.2009 US
Title
(ZH) 长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管
Abstract
(ZH)

本文揭示生长于斜切非极性或半极性衬底上的激光二极管,其与常规激光二极管结构相比具有较低阈值电流密度和较长的受激发射波长,其中对于所述激光二极管:(1)n型层是在氮载气中生长,(2)量子阱层和障壁层与其它装置层相比以较慢生长速率生长(此使得p型层能够在较高温度下生长),(3)高Al含量电子阻挡层使得在有源区域上方的层能够在较高温度下生长,且(4)不对称AlGaN SPSLS允许高Al含量p-AlGaN层的生长。使用各种其它技术来改进所述p型层的电导率并将接触层的接触电阻降到最低。

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