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1. (CN101208802) Bipolar transistor and method for manufacturing same
Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

权利要求书

1.一种半导体器件(10),其有一个基板(12)和一个包含双极晶体管的半导体主体(11),该双极晶体管有第一导电类型的发射极区域(1),与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)以及所述第一导电类型的集电极区(3),该发射极区域(1)包含被提供了隔离层(4)的台面型发射极连接区域(1A),以及邻近隔离层的包含一个多晶硅导电区域(2AA)的基极连接区域(2A),该半导体器件的特征是基极连接区域(2A)包含一个另外的导电区域(2AB),其位于多晶硅导电区域(2AA)和基极区(2)之间并由这样一种材料制成,多晶硅导电区域相对于该材料是选择性地可蚀刻的,
其中,在进行蚀刻的过程中,形成另外的导电区域(2AB)的导电层用作蚀刻停止层。

2.按照权利要求1所述的半导体器件(10),其特征是相对于基极区(2)的材料,所述另外的导电区域(2AB)的材料是选择性地可蚀刻的。

3.按照权利要求1或2所述的半导体器件(10),其特征是所述另外的导电区域(2AB)包含一种金属氮化物、金属碳化物、金属硅化物或金属氧化物。

4.按照权利要求1或2所述的半导体器件(10),其特征是台面型发射极连接区域有一个T形横截面,该T形横截面在多晶硅导电区域(2AA)顶部上形成的绝缘区域(5)上延伸。

5.按照权利要求1或2所述的半导体器件(10),其特征是基极区(2)包含一个埋置在半导体主体(11)中的掺杂浓度局部增大的掺杂子区域(2C),在形成所述掺杂子区域(2C)的过程中,所述台面型发射极连接区域(1A)充当掩模。

6.按照权利要求1或2所述的半导体器件(10),其特征是除了包含双极晶体管之外该器件还包含场效应晶体管,该场效应晶体管的栅极电极是通过层结构形成的,该层结构还用以形成所述多晶硅导电区域(2AA)和所述另外的导电区域(2AB)。

7.按照权利要求1或2所述的半导体器件(10),其特征是所述双极晶体管是异质结晶体管。

8.一种制造半导体器件(10)的方法,该半导体器件具有基板(12)和包括一个双极晶体管的半导体主体(11),该双极晶体管具有第一导电类型的发射极区域(1),与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)以及所述第一导电类型的集电极区(3),该发射极区域(1)形成有台面型发射极连接区域(1A),通过隔离层(4)将该台面型发射极连接区域(1A)和包括多晶硅导电区域(2AA)的基极区连接区域(2A)隔离开,该方法特征是基极连接区域(2A)还包括另外的导电区域(2AB),该另外的导电区域形成在多晶硅导电区域(2AA)和基极区(2)之间并为其选择这样一种材料,多晶硅导电区域(2AA)相对于该材料是选择性地可蚀刻的,该方法包括:
首先在基板(12)上依次形成第一P型层(21)、基极区(2)和第二P型层(22),以及在第二P型层(22)上形成的另外的导电层上沉积多晶硅导电层,在此之后,采用对另外的导电层具有选择性的蚀刻剂在多晶硅导电层中蚀刻出开口(6)。

9.按照权利要求8所述的方法,其特征是为所述另外的导电区域(2AB)选择一种相对于基极区(2)的材料是选择性地可蚀刻的材料。

10.按照权利要求8所述的方法,其特征是在多晶硅导电层中形成开口(6)之后,通过采用对基极区(2)具有选择性的蚀刻剂蚀刻掉所述开口中的所述另外的导电层。

11.按照权利要求10所述的方法,其特征是在靠开口(6)的壁部和在开口(6)底部与所述壁部连接的部分上形成隔离层(4)之后,在所述的开口(6)中形成多晶硅的发射极连接区域(1A)。

12.按照权利要求11所述的方法,其特征是发射极连接区域(1A)以T形截面被形成并被布置成在开口的旁边沿着多晶硅导电层顶部上的绝缘区域(5)上面延伸。

13.按照权利要求12所述的方法,其特征是基极区(2)被提供了一个掺杂浓度局部增大的掺杂子区域(2C),在形成所述掺杂子区域(2C)的过程中,所述台面型发射极连接区域(1A)充当掩模。