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1. CN109778116 - Mask, manufacturing method of mask and mask assembly

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[ ZH ]
一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件


技术领域
本发明涉及掩膜版领域,尤其涉及一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件。
背景技术
电子产品在制作过程中,往往需要采用掩膜版来形成各种图案膜层;例如,对于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置中有机发光层的蒸镀。
采用掩膜版在形成图案膜层时,往往需要将掩膜版进行张网,并焊接在框架上;然而由于掩膜版本身的厚度较小,在采用激光焊接时,激光的能量很难控制,如果激光的能量过大,容易造成焊穿现象,如果激光的能量过小,容易造成虚焊现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件,能够解决掩膜版在焊接时因激光能量不易控制而造成的焊接不良。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供的一种掩膜版,包括掩膜图案区以及位于所述掩膜图案区四周的非掩膜图案区;所述掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区;所述有效掩膜区中包括:多个蒸镀孔,以及位于蒸镀孔和蒸镀孔之间的遮挡条;所述掩膜版在所述非掩膜图案区内设置有焊接区;所述掩膜版在所述非掩膜图案区内至少在所述焊接区的厚度,大于所述掩膜版在所述有效掩膜区的遮挡条的厚度。
在一些实施例中,所述掩膜图案区中包括两个以上的所述有效掩膜区,相邻所述有效掩膜区之间设置有间隔部,且所述间隔部与所述遮挡条的厚度相同。
在一些实施例中,所述掩膜版包括:沿所述掩膜版的厚度方向依次层叠设置的第一金属层和第二金属层;所述第一金属层在所述有效掩膜区中包括所述遮挡条,且所述第一金属层覆盖所述非掩膜图案区;所述第二金属层位于所述非掩膜图案区内,且至少覆盖所述第一金属层位于所述焊接区的部分。
在一些实施例中,所述第二金属层覆盖所述第一金属层位于所述非掩膜图案区的部分。
在一些实施例中,所述非掩膜图案区中包括:与所述掩膜图案区的四周相邻的过渡区;所述第二金属层在所述过渡区的厚度,沿靠近所述掩膜图案区的一侧到远离所述掩膜图案区的方向上,从第一厚度逐渐递增至第二厚度;所述第一厚度与所述遮挡条的厚度相等;所述第二厚度与所述第二金属层中除所述过渡区之外的部分的厚度相等。
在一些实施例中,所述过渡区沿靠近所述掩膜图案区的一侧到远离所述掩膜图案区的方向上的宽度为:1μm~3μm。
在一些实施例中,所述掩膜版在所述非掩膜图案区中,除所述过渡区之外的区域的厚度为20μm~30μm。
在一些实施例中,所述第二金属层中包括铜、钨中的至少一种。
在一些实施例中,位于所述有效掩膜区的所述遮挡条的厚度为:3μm~10μm。
本发明还实施例提供一种掩膜版组件,包括框架和至少一个如前述的掩膜版;所述框架中形成有开口;所述掩膜版横跨所述开口,并在焊接区与所述框架焊接。
本发明还实施例提供一种掩膜版的制作方法,包括:形成第一金属层;所述第一金属层包括掩膜图案区以及位于所述掩膜图案区四周的非掩膜图案区;所述掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区;所述有效掩膜区中包括:多个蒸镀孔,以及位于蒸镀孔和蒸镀孔之间的遮挡条;在所述第一金属层的所述掩膜图案区形成第一胶层;所述第一胶层至少覆盖所述第一金属层在所述掩膜图案区中除所述蒸镀孔以外的部分;采用电铸工艺,在形成有所述第一胶层的第一金属层位于非掩膜图案区的裸露表面,形成第二金属层;除去所述第一胶层。
在一些实施例中,在所述第一金属层的掩膜图案区形成第一胶层之前,所述制作方法还包括:在所述第一金属层的表面位于所述非掩膜图案区、且与所述掩膜图案区的四周相邻的区域设置模具;其中,所述模具在与所述掩膜图案区相邻的过渡区内的厚度,沿靠近所述掩膜图案区的一侧到远离所述掩膜图案区的方向上,从0逐渐增加至H;H=10μm~27μm;所述过渡区的宽度为1μm~3μm;所述在所述第一金属层的掩膜图案区形成第一胶层包括:在设置有所述模具的第一金属层上形成所述第一胶层;其中,所述第一胶层包括:覆盖所述第一金属层在所述掩膜图案区中除所述蒸镀孔以外的部分的主胶层图案,以及延伸至所述过渡区的延伸胶层图案;所述制作方法在形成所述第一胶层之后还包括:去除所述模具。
在一些实施例中,所述采用电铸工艺,在形成有所述第一胶层的第一金属层位于非掩膜图案区的裸露表面,形成第二金属层包括:将形成有所述第一胶层的第一金属层放置于具有Cu2+和W6+中的至少一种的电铸液中进行电铸,以形成包含有铜或钨中的一种的第二金属层。
本发明实施例提供一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件,该掩膜版包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区;掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区;有效掩膜区中包括:多个蒸镀孔,以及位于蒸镀孔和蒸镀孔之间的遮挡条;掩膜版在非掩膜图案区内设置有焊接区;掩膜版在非掩膜图案区内至少在焊接区的厚度,大于掩膜版在有效掩膜区的遮挡条的厚度。
相比于焊接厚度较小的工件(膜材)而言,厚度较大的工件(膜材),对于焊接工艺更容易控制,并且焊接的可靠性更高;因此,本发明中通过增加掩膜版在焊接区的厚度,从而在将掩膜版与框架进行焊接时,避免了因掩膜版的厚度过小,激光能量不易控制,而造成的焊接不良(焊穿、虚焊等)的问题,提高了掩膜版的焊接可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图1b为本发明实施例提供的一种OLED显示面板中亚像素内的结构示意图;
图2为本发明相关技术提供的一种掩膜版与框架的示意图;
图3为本发明实施例提供的一种掩膜版在蒸镀过程的示意图;
图4为本发明相关技术提供的一种掩膜版的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图;
图9为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法流程示意图;
图11为本发明实施例提供的一种掩膜版在制作过程中的示意图之一;
图12为本发明实施例提供的一种掩膜版在制作过程中的示意图之一;
图13为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法流程示意图;
图14为本发明实施例提供的一种掩膜版在制作过程中的示意图;
图15为本发明实施例提供的一种掩膜版在制作过程中的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明实施例以掩膜版在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示面板的制作过程中应用为例进行说明。
OLED显示面板因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点,受到广泛的关注,OLED显示面板也被誉为新一代显示技术。
如图1a所示,上述OLED显示面板PNL包括:显示区(active area,AA,简称AA区)和围绕AA区一圈设置的周边区。上述AA区中包括多种颜色的亚像素(sub pixel)P;该多种颜色的子像素至少包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素,第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色(例如红色、绿色和蓝色)。为了方便说明,本申请中上述多个亚像素P是以矩阵形式排列为例进行的说明。
在此情况下,沿水平方向X排列成一排的亚像素P称为同一行亚像素,沿竖直方向Y排列成一排的亚像素P称为同一列亚像素。同一行亚像素可以与一根栅线连接,同一列亚像素可以与一根数据线连接。
对于单个子像素而言,如图1b所示,在亚像素P中设置有机发光二极管(OLED)以及控制有机发光二极管发光的像素驱动电路。
参考图1b所示,上述有机发光二极管(OLED)包括阴极和阳极,以及位于阴极和阳极之间的发光功能层。其中,发光功能层可以包括有机发光层EML、位于有机发光层EML和阳极之间的空穴传输层HTL、位于有机发光层EML和阴极之间的电子传输层ETL。当然,根据需要,在一些实施例中,还可以在空穴传输层HTL和阳极之间设置空穴注入层,可以在电子传输层ETL和阴极之间设置电子注入层。
在显示时,通过控制施加在阳极和阴极上的电压,利用阳极注入空穴,阴极注入电子,所形成的电子和空穴在有机发光层相遇而产生激子,从而激发有机发光层发光。
上述像素驱动电路一般由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)、电容(Capacitance,简称C)等电子器件组成。例如,像素驱动电路可以是由两个薄膜晶体管(一个开关TFT和一个驱动TFT)和一个电容构成的2T1C结构的像素驱动电路;当然,像素驱动电路还可以是由两个以上的薄膜晶体管(多个开关TFT和一个驱动TFT)和至少一个电容构成的像素驱动电路。其中,不管像素驱动电路是何种结构,都必须包括驱动TFT,驱动TFT可以与OLED的阳极连接。
需要说明的是,图1b仅为示意图,并未示出像素驱动电路(实际中可以根据需要选择合适的像素驱动电路)与OLED的连接关系,本领域的技术人员可以理解的,像素驱动电路中的驱动TFT通过位于其上方的绝缘层上的通孔与OLED的阳极连接。
以上述OLED显示面板PNL中的有机发光层EML的制作为例,有机发光层EML主要利用掩膜版组件通过蒸镀工艺制作而成。
本发明实施例中提供一种掩膜版组件A,如图2所示,该掩膜版组件A包括框架20和至少一个掩膜版10(并不限制于图2中的3个掩膜版10);其中,框架20中形成有开口200。掩膜版10横跨开口200,并且与框架20在位于非掩膜图案区02中的焊接区21焊接。当然,多个掩膜版10可以并列平行设置,与框架20焊接。
在掩膜版组件A的组装过程中,需要先将掩膜版10进行张网,并横跨框架20的开口200上;此时,掩膜版10的焊接区21与框架20接触,然后将掩膜版10在焊接区21与框架20进行焊接,例如可以采用激光焊接的方式,从而完成掩膜版组件A的制作。
需要说明的是,位于非掩膜图案区02中的焊接区21的具体位置、大小、形状等,实际中可以根据掩膜版10的形状以及框架20的形状,并结合实际的需要进行设定,本发明对此不做具体限定。
另外,图2仅是对掩膜版组件A的一种示例说明,本领域的技术人员可以理解到,掩膜版组件A中除了包括上述框架20和多个掩膜版10之外,还包括其他的部件。例如,掩膜版组件A中还包括横跨框架20上的开口200、且位于相邻两个掩膜版10之间的缝隙位置处的遮盖条(Cover),用于阻挡蒸镀材料从缝隙位置处蒸镀至基板上。又例如,掩膜版组件A还包括横跨框架20的开口200与遮盖条(Cover)交叉设置的支撑条(Howling),用于支撑掩膜版10。
如图3所示(对应图2中掩膜版组件A的O-O’位置处的剖面图),在蒸镀时,将掩膜版组件A放置于基板30(基板30中在对应各亚像素P的区域设置有像素电路、阳极等元件)和蒸镀源40之间,从而使得蒸镀源40中的有机蒸镀材料能够透过掩膜版10上的蒸镀孔102蒸镀至基板30中对应的各亚像素P中。
如图4所示,掩膜版10包括掩膜图案区01(Pattern Area)和位于掩膜图案区01四周的非掩膜图案区02;并且,在掩膜图案区01中设置有与每个显示面板PNL一一对应的有效掩膜区100(不限制于图4中的3个有效掩膜区100)。其中,在掩膜图案区01中设置多个有效掩膜区100的情况下,相邻有效掩膜区100之间通过间隔部103隔离。
可以理解的是,当掩膜图案区01包括多个有效掩膜区100时,该掩膜版10用于制作显示面板母板。该显示面板母板切割后得到多个独立的显示面板PNL。
如图4所示,上述有效掩膜区100中设置有多个蒸镀孔101,相邻的蒸镀孔101之间为遮挡条102(Slit)。其中,在一些实施例中,一个蒸镀孔101可以与显示面板PNL中的一个亚像素P对应;在一些实施例中,一个蒸镀孔101可以与显示面板PNL中的一列亚像素P对应(示例的,如图4中所示)。
可选的,掩膜版10在掩膜图案区01中厚度基本一致,也即,遮挡条102和间隔部103的厚度相等。
在上述基础上,本发明实施例中提供的掩膜版,如图5所示,该掩膜版10在非掩膜图案区02内至少在焊接区21的厚度大于遮挡条102的厚度,也即增加掩膜版在非掩膜图案区02中焊接区21的厚度。
相比于焊接厚度较小的工件(膜材)而言,厚度较大的工件(膜材),对于焊接工艺更容易控制,并且焊接的可靠性更高;因此,本发明中通过增加掩膜版在焊接区的厚度,从而在将掩膜版与框架进行焊接时,避免了因掩膜版的厚度过小,激光能量不易控制,而造成的焊接不良(焊穿、虚焊等)的问题,提高了掩膜版的焊接可靠性。
示例的,结合图5和图6(图5沿O-O’位置的剖面示意图)所示,该掩膜版10包括:沿掩膜版10的厚度方向依次层叠设置的第一金属层11和第二金属层12。
上述第一金属层11在有效掩膜区01中包括前述的遮挡条102、间隔部103;也即掩膜版10在有效掩膜区01中的遮挡条102、间隔部103均属于第一金属层11中的一部分;并且,第一金属层11覆盖非掩膜图案区02;其中,第一金属层11本身的厚度在有效掩膜区01和非掩膜图案区02一致。
在一些实施例中,上述第一金属层11可以采用电铸工艺形成;材质为镍铁合金,还可以包含有硅、锰、钛、氧、碳、磷等微量元素中的一种或多种。该第一金属层11的厚度可以为3μm~10μm。示例的,该第一金属层11可以为5μm。
上述第二金属层12位于非掩膜图案区02内,且至少覆盖焊接区21。
在一些实施例中,可以通过在第一金属层11的焊接区21内,通过电铸工艺形成第二金属层12,以增加掩膜版10在焊接区21的厚度,从而满足焊接需求。示例的,该第二金属层12的厚度可以为10μm~27μm。
另外,考虑到第二金属层12的制作,以及掩膜版10在张网时的应力需求(实际中,应尽可能的保证掩膜版受力均匀,避免造成掩膜版损坏),在一些实施例中,结合图7和图8(图7沿S-S’位置的剖面示意图)所示,可以设置第二金属层12覆盖整个非掩膜图案区02。从而在简化制作工艺的同时,提高掩膜版在张网时的受力均匀性。
在一些实施例中,如图7所示,掩膜版10由上述第一金属层11和第二金属层12构成,掩膜版10在非掩膜图案区02的总厚度(第一金属层11和第二金属层12的厚度和)可以为20μm~30μm,例如可以为25μm;掩膜版10在位于掩膜图案区01的厚度为3μm~10μm,例如可以为5μm。这样一来,该掩膜版10具有较厚的焊接区21,从而满足掩膜版10的焊接需求,同时该掩膜版10具有较薄的掩膜图案区01,从而能够满足高分辨率以及超薄OLED显示面板中有机发光层的制作要求。
需要说明的是,上述第一金属层11作为本发明的掩膜版10中的一部分,但本领域的技术人员可以理解的是,当第一金属层11采用电铸工艺制作的情况下,对于第一金属层11而言,其本身即可视为常规意义上的厚度均匀的电铸金属精细掩膜版(电铸FMM),也就是说本发明中可以直接将常规意义上的厚度均匀的电铸金属精细掩膜版作为本发明的掩膜版10中的第一金属层11。
在此基础上,为了减缓掩膜版10在张网过程中,掩膜图案区01和非掩膜图案区02之间应力急剧变化,提高掩膜版10的受力均匀性,在一些实施例中,如图9所示,掩膜版10的非掩膜图案区02中包括:与掩膜图案区01的四周相邻的过渡区T。并且,掩膜版10在过渡区T的厚度,沿靠近掩膜图案区01的一侧到远离掩膜图案区01的方向E上,从第一厚度D1逐渐递增至第二厚度D2。其中,第一厚度D1等于遮挡条102的厚度,第二厚度D2大于第一厚度D1。从而使得在张网过程中,通过过渡区T的部分,应力在过渡区逐渐变化,进而减缓了掩膜版因厚度急剧变化而导致的应力大幅变化,避免了掩膜版发生褶皱等问题。
在掩膜版10由上述第一金属层11和第二金属层12构成的实施例中,上述第一厚度D1与第一金属层11的厚度相等,也即与掩膜版10在掩膜图案区01中的遮挡条102、间隔部103的厚度相同;第二金属层12在过渡区T的厚度,沿靠近掩膜图案区01的一侧到远离掩膜图案区01的方向E上,从0逐渐递增至D2-D1,第二金属层12在过渡区T以外的厚度相同,均为D2-D1。
在一些实施例中,可以设置上述过渡区T,从靠近掩膜图案区01的一侧到远离掩膜图案区01的方向E上的宽度为:1μm~3μm。
上述通过设置过渡区T的宽度大于或等于1μm,能够有效的保证掩膜版10中的第二金属层12进行应力缓冲;通过设置过渡区T的宽度小于或等于3μm,避免导致掩膜版10的非掩膜图案区02的宽度相应增加,从而造成蒸镀时蒸镀材料的浪费。
在一些实施例中,为了降低掩膜版在非掩膜图案区02对激光的反光能力,提高其吸光能力,实际在制作第二金属层12时,可以在第二金属层12中添加激光吸收系数较大的金属,例如,铜(Cu)、钨(W)等,从而更有利于对焊接激光的控制。
示例的,可以在采用电铸工艺制作第二金属层12;第二金属层12的材质可以为镍铁合金,还可以包含有硅、锰、钛、氧、碳、磷等微量元素中的一种或多种。通过在电铸液中可以添加Cu2+和W6+中的至少一种离子,从而在电极的作用下,将Cu2+、W6+还原为铜(Cu)、钨(W),并沉积在第一金属层11位于非掩膜图案区02的表面。当然,实际中可以控制电铸沉积速率,来控制第一金属层11铜(Cu)、钨(W)的含量,例如可以为0.1%。
另外,本领域的技术人员可以理解的是,上述在电铸液中添加Cu2+和W6+等激光吸收系数较大的离子,对形成的第二金属层12热力学性能影响很小,在降低掩膜版在焊接过程中对激光的反射强度,保证有效焊接的同时,不会对掩膜版的正常掩膜过程造成影响。
本发明实施例还提供一种掩膜版的制作方法,如图10所示,该制作方法包括:
步骤S101、如图11所示,形成第一金属层11。
上述第一金属层11(第一金属层11的平面图与图4中的掩膜版的平面图基本一致,示意的可以参考图4)包括:掩膜图案区01以及位于掩膜图案区01四周的非掩膜图案区02。
上述掩膜图案区02包括至少一个有效掩膜区100;有效掩膜区100中包括:多个蒸镀孔101,以及位于蒸镀孔101和蒸镀孔101之间的遮挡条102。
当然,在掩膜图案区01中包括多个有效掩膜区100的情况下,第一金属层11在相邻两个有效掩膜区100之间设置有间隔部103。
步骤S102、参考图12,在第一金属层11的掩膜图案区01形成第一胶层13。
上述第一胶层13至少覆盖第一金属层11在掩膜图案区01中除蒸镀孔101以外的部分,也即第一胶层13至少覆盖第一金属层11在掩膜图案区01中的遮挡条102和间隔部103。
可以理解的是,根据实际的涂胶工艺,第一胶层13可以在蒸镀孔101位置处形成镂空,也可以在蒸镀孔101位置形成凹陷,本发明对此不做限定,只要保证第一胶层13至少覆盖第一金属层11在掩膜图案区01中的遮挡条102和间隔部103即可。
在一些实施例,如图13所示,在进行上述步骤S101之前,该制作方法还包括:
步骤S100、如图14中(a)所示,在第一金属层11的表面位于非掩膜图案区02、且与掩膜图案区01的四周相邻的区域设置模具14。
参考图14中(a)所示,上述模具14在与掩膜图案区01相邻的过渡区T内的厚度,沿靠近掩膜图案区01的一侧到远离掩膜图案区01的方向E上,从0逐渐增加至H;H=10μm~27μm。其中,过渡区T沿靠近掩膜图案区01的一侧到远离掩膜图案区01的方向E上的宽度为1μm~3μm。
示例的,该模具13在过渡区T可以为固定斜率的倾斜面。
在此情况下,如图13所示,上述步骤S102可以包括:参考如图14中(b)所示,在设置有模具14的第一金属层11上形成第一胶层13。
此时,上述第一胶层13包括:覆盖第一金属层11在掩膜图案区01中除蒸镀孔101以外的部分的主胶层图案130a,以及延伸至过渡区T的延伸胶层图案130b。
当然,在形成上述第一胶层13之后,如图13所示,该制作方法还包括:步骤102’、参考如图14中(c)所示,去除上述模具13。
在此情况下,参考图14中(c)所示,上述第一胶层13,在过渡区T形成一个悬空倾斜面。以下实施例均是以此为例进行说明的。
步骤S103、参考图15中(a),采用电铸工艺,在形成有第一胶层13的第一金属层11位于非掩膜图案区02的裸露表面,形成第二金属层12。
参考图14中(c)所示,由于第一胶层13在过渡区T形成一个悬空倾斜面,从而在采用电铸工艺形成第二金属层12时,受第一胶层13在过渡区T的悬空倾斜面的限制,参考图15中(a),使得形成的第二金属层12在过渡区T形成沿靠近掩膜图案区01的一侧到远离掩膜图案区01的方向E上厚度递增的坡面。从而使得掩膜版在张网时,通过该过渡区T的坡面部分,应力逐渐变化,进而减缓了掩膜版因厚度急剧变化而导致的应力大幅变化,避免了掩膜版发生褶皱等问题。
示例的,对于采用电铸工艺形成上述第二金属层130的过程而言:
首先,在电铸进行前,利用酒精、去离子风对形成有第一胶层13的第一金属层11进行清洗。
然后,将上述形成有第一胶层13的第一金属层11放置在承载电极上。当然,也可以在进行步骤S101之前将第一金属层11放置在承载电极上。接下来,将由承载电极承载的形成有第一胶层13的第一金属层11放置于添加有Cu2+和W6+中的至少一种离子的电铸液中,进行电铸。
在电铸过程中,将第一金属层11和承载电极整体作为阴极,选择需要进行电铸的金属(例如可以为镍铁合金)作为阳极。当然,电铸液中含有阳极金属离子的溶液,在电源的作用下,电铸液中的金属离子在第一金属层11裸露的部分还原成金属并沉积于表面,形成上述第二金属层12。
在电铸完成后,可以采用机械或者激光的方式,将承载电极与掩膜版进行分离即可。
可以理解的是,通过在电铸液中添加Cu2+、W6+等激光吸收系数较大的离子,使得形成的第二金属层12中具有铜(Cu)、钨(W),从而能够降低掩膜版在增厚金属层12对激光的反光能力,提高其吸光能力,更有利于对焊接激光的控制。
步骤S104、参考图15中(b),除去第一胶层13。
需要说明的是,对于上述掩膜版的制作方法中的其他相关内容,例如,第一金属层、第二金属层的厚度等相关内容,可以参考前述掩膜版实施例中的对应部分;对于前述掩膜版实施例中的其他相关设置结构,可以参考上述掩膜版的制作方法,进行工艺调整等,此处不再一一赘述。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。