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1. CN105633257 - Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ ZH ]

权利要求书

1.一种半导体发光器件,包括:
发光结构,其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在所述第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层;
第一接触电极,其设置在所述第一导电类型的半导体层的第一区上;
第二接触电极,其设置在所述第二导电类型的半导体层上;
第一电极焊盘,其电连接至所述第一接触电极,并且具有设置在所述第二接触电极上的至少一部分;
第二电极焊盘,其电连接至所述第二接触电极;以及
多层反射结构,其介于所述第一电极焊盘与所述第二接触电极之间,并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述多层反射结构形成其中具有第一折射率的第一介电层和具有第二折射率的第二介电层交替地堆叠的分布布拉格反射器。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述多层反射结构设置在所述发光结构上以覆盖整个所述发光结构,并且使沿着与朝着所述半导体发光器件的衬底的方向相反的方向行进的光的方向改变为朝着所述衬底的方向。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,还包括设置在所述发光结构上的绝缘层,以使得所述第一接触电极和所述第二接触电极的至少一部分被暴露出来。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中,所述绝缘层形成其中具有不同折射率的多个介电层交替地堆叠的分布布拉格反射器。

6.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中,所述绝缘层包括与所述多层反射结构的材料相同的材料。

7.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中,所述绝缘层具有与所述多层反射结构的一个介电层的厚度实质相同的厚度。

8.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中,所述多层反射结构设置在所述绝缘层上,并且包括暴露出所述第一接触电极的区的第一开口和暴露出所述第二接触电极的区的第二开口,并且所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘分别通过所述第一开口和所述第二开口连接至所述第一接触电极和所述第二接触电极。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件,其中,所述多层反射结构包括多个第一开口和多个第二开口,并且所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘分别通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至所述第一接触电极和所述第二接触电极。

10.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中,所述绝缘层设置在包括分别设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上的多个开口的所述多层反射结构上。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述多层反射结构的一部分设置为与所述发光结构的表面接触。

12.根据权利要求1所述的半导体发光器件,还包括钝化层,该钝化层设置在所述电极焊盘上并且包括部分地暴露出所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的多个键合区。

13.一种半导体发光设备,包括:
封装件主体,其具有引线框;以及
半导体发光器件,其设置在所述封装件主体上并且连接至所述引线框,
其中,所述半导体发光器件包括:
发光结构,其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在所述第一导电类型的半导体层的第二区中的有源层和第二导电类型的半导体层;
第一接触电极,其设置在所述第一导电类型的半导体层的第一区中;
第二接触电极,其设置在所述第二导电类型的半导体层上;
第一电极焊盘,其电连接至所述第一接触电极,并且具有设置在所述第二接触电极上的至少一部分;
第二电极焊盘,其电连接至所述第二接触电极;以及
多层反射结构,其介于所述第一电极焊盘与所述第二接触电极之间,并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

14.根据权利要求13所述的半导体发光设备,其中,所述引线框包括第一引线框和第二引线框,并且所述半导体发光器件的第一电极焊盘和第二电极焊盘与所述第一引线框和所述第二引线框经焊料连接。

15.根据权利要求14所述的半导体发光设备,其中,所述焊料包括分别设置在所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘上的第一焊料和第二焊料,并且所述第一焊料和所述第二焊料具有相同的厚度。

16.根据权利要求13所述的半导体发光设备,还包括覆盖所述半导体发光器件的密封剂,
其中,所述密封剂包括对由所述半导体发光器件产生的光的波长进行转换的波长转换材料。

17.一种半导体发光器件,包括:
发光结构,其包括按顺序设置在衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层,其中通过去除所述第二导电类型的半导体层、所述有源层和所述第一导电类型的半导体层的一些部分而形成蚀刻区,以暴露出所述第一导电类型的半导体层的至少一部分;
第一接触电极,其通过所述蚀刻区的底表面连接至所述第一导电类型的半导体层,并且包括多个电极焊盘部分和多个指状物部分;
第二接触电极,其连接至所述第二导电类型的半导体层,并且包括反射金属层;
多层反射结构,其覆盖所述发光结构,并且包括其中具有不同的折射率的多个介电层交替地堆叠的结构;
电极焊盘,其设置在所述多层反射结构上,并且分别通过所述第一接触电极和所述第二接触电极电连接至所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层;以及
钝化层,其设置在所述电极焊盘上,并且包括部分地暴露出所述电极焊盘的多个键合区。

18.根据权利要求17所述的半导体发光器件,还包括绝缘层,该绝缘层覆盖所述多层反射结构以及所述第一接触电极和所述第二接触电极。

19.根据权利要求17所述的半导体发光器件,其中,所述电极焊盘包括用于将所述第一导电类型的半导体层与所述第二导电类型的半导体层电绝缘的至少一对电极焊盘,其中第一电极焊盘通过所述第一接触电极电连接至所述第一导电类型的半导体层,第二电极焊盘通过所述第二接触电极电连接至所述第二导电类型的半导体层,并且所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘分离以电绝缘。

20.根据权利要求17所述的半导体发光器件,其中,所述多层反射结构通过调整交替地堆叠的各层的折射率和厚度来形成分布布拉格反射器。