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1. CN204391161 - A pixel structure and a display apparatus

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[ ZH ]
像素结构和显示装置


技术领域
本实用新型的实施例涉及一种显示装置,尤其涉及一种像素结构、 以及具有这种像素结构的显示装置。
背景技术
目前,作为一种有机薄膜电致发光器件,有机发光二极管(Organic  Light Emitting Diode,OLED)单元以及有源矩阵有机发光二极管 (Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)单元,由于具 有抗震性好、视角广、操作温度宽、对比度高、可实现柔性显示等特 点,已广泛应用于显示装置中。一般地,一个像素结构包括用于限定 像素开口的像素界定层(PDL)、以及设置在像素开口中的OLED单 元。OLED单元包括第一电极层、第二电极层以及封装在第一电极 层和第二电极层之间的有机发光层,通过在第一电极层和第二电极层 之间施加电压激发有机发光层发光,所发出的光从像素开口射出。
在OLED单元中,从有机发光层发出的光在一定入射角度范围内 在有机发光层的表面发生全反射,之后在有机发光层内部传播,由此 在有机发光层内部产生光波导模式。在有机发光层的边缘与像素界定 层的界面处,由于有机发光层与像素界定层的折射率接近,在一定入 射角范围内,光束可能脱离有机发光层内部的波导模式进入像素界定 层。这部分光束基本上横向传播,与像素结构有效显示所需的出光方 向大致垂直。在不受控制的条件下,这部分基本上横向传输的光束在 像素界定层中最终耗散。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种像素结构、以及具有这种像素结构 的显示装置,以提高显示效果,降低光消耗。
根据本实用新型一个实用新型的实施例,提供一种像素结构,包 括:
第一绝缘层;
发光单元,设置在所述第一绝缘层上,并包括第一电极层、发光 层和第二电极层;
像素界定层,被构造成用于限定像素开口,所述发光单元设置在 所述像素开口中;以及
反射组件,环绕所述像素界定层设置,以将从所述发光层入射到 所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述反射组件包括:
第二绝缘层,位于所述像素界定层的外围且设置在所述第一绝缘 层上;
沟槽,形成在所述第二绝缘层和所述像素界定层之间;以及;
反射层,设置在所述沟槽的位于所述第二绝缘层的一侧,以反射 穿过所述像素界定层的所述光。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述沟槽的底部延伸 到所述第一绝缘层的至少一部分厚度中。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述像素界定层覆盖 所述第一电极层的外边缘。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述第二绝缘层和所 述像素界定层形成在同一层并且由相同的材料制成,且所述第二绝缘 层与所述像素界定层的高度相同。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述第二绝缘层和所 述像素界定层形成在同一层并且由相同的材料制成,并且所述第二绝 缘层的高度大于所述像素界定层的高度。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述反射层和所述第 一电极层形成在同一层并且由相同的材料制成。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述第二绝缘层的高 度大于所述像素界定层的高度。
根据本实用新型的一种实施例的像素结构,所述反射组件包括:
第二绝缘层,位于所述像素界定层的外围且设置在所述第一绝缘 层上;以及
反射层,设置在所述第二绝缘层的面对所述像素界定层的一侧的 内壁上,以反射从所述像素界定层射出的所述光,
其中,所述像素界定层的外侧表面与所述反射层接触。
根据本实用新型另一方面的实施例,提供一种显示装置,包括上 述任一实施例所述的像素结构。
根据本实用新型上述实施例的像素结构以及具有这种像素结构 的显示装置,通过设置反射组件,使得从所述发光层入射到所述像素 界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出,这样入射到像素 界定层中的光束可以转换成像素结构的有效光束,提高显示效果,降 低光消耗。
附图说明
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结 合具体实施例,并参照附图,对本实用新型作进一步的详细说明,其 中:
图1是根据本实用新型的第一种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理;
图2a-2d是示出制作本实用新型第一示例性实施例的像素结构的 操作过程的剖视图;
图3是根据本实用新型的第二种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理;
图4a-4c是示出制作本实用新型的第二种示例性实施例的像素结 构的操作过程的剖视图;
图5是根据本实用新型的第三种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理;
图6a-6d是示出制作本实用新型的第三示例性实施例的像素结构 的操作过程的剖视图;
图7是根据本实用新型的第四种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理;以 及
图8a-8b是示出制作本实用新型的第四种示例性实施例的像素结 构的部分操作过程的剖视图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一 步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似 的部件。下述参照附图对本实用新型实施方式的说明旨在对本实用新 型的总体实用新型构思进行解释,而不应当理解为对本实用新型的一 种限制。
根据本实用新型总体上的实用新型构思,提供一种像素结构,包 括:第一绝缘层;发光单元,设置在第一绝缘层上,并包括第一电极 层、发光层和第二电极层;像素界定层,被构造成用于限定像素开口, 所述发光单元设置在所述像素开口中;以及反射组件,环绕所述像素 界定层设置,以将从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成 从所述像素结构的出射面射出。在上述像素结构中,通过设置反射组 件,使得从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像 素结构的出射面射出,这样入射到像素界定层中的光束可以转换成像 素结构的有效光束,提高显示效果,降低光消耗。
在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以 提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地,一个或多个实施例在 没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下,公知的结 构和装置以图示的方式体现以简化附图。
图1是根据本实用新型的第一种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理。参 见图1,根据本实用新型一种示例性实施例的像素结构,包括:第一 绝缘层3;发光单元;像素界定层5以及反射组件。发光单元设置在 第一绝缘层3上,并包括第一电极层41、第二电极层43以及设置在 第一电极层41和第二电极层43之间的发光层42。像素界定层5被 构造成用于限定用于显示的像素开口,所述发光单元设置在所述像素 开口中。反射组件环绕像素界定层5设置,以将从发光层42入射到 所述像素界定层5中的光21反射成从像素结构的出射面射出。在本 实用新型的各种实施例中,技术术语“像素结构的出射面”是指光由 此照射到像素结构的外部的表面。图1示出了从发光层41的光21经 像素界定层5、反射层63从像素结构射出的传输路径。这样,由于 较小的入射角而从发光层42入射到像素界定层5中的光束可以从像 素结构的出射面射出,从而这部分光21可以与从像素结构的显示表 面发出的主光束22混合,形成显示光束,提高像素结构的显示效果, 降低光消耗。
其中,第一绝缘层3可以采用例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、 氮氧化硅(SiNxOy)中的至少一种材料制成。
例如用于OLED显示中的发光单元,第一电极层可以为阳极, 相对应的,第二电极层为阴极,此时为正置型结构;或者,第一电极 层可以为阴极,相对应的,第二电极层为阳极,此时为反置型结构; 发光层可以为有机发光层,还可以根据改善性能的需要包括电子注入 层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层中的一种或两种以上。
在一种实施例中,如图1所示,反射组件包括:位于像素界定层 5的外围且设置在第一绝缘层3上的第二绝缘层61;形成在第二绝缘 层61和像素界定层5之间的沟槽62;以及设置在所述沟槽62的位 于第二绝缘层61的一侧的反射层63,以反射穿过像素界定层5的光 21。由于发光层42的一部分设置在像素界定层5上,而且有机发光 层与像素界定层的折射率接近,这样穿过像素界定层5的光21从多 个方向入射到反射层63上,因此,反射层63的反射面设置成倾斜的、 弧形的或者抛物线形的表面,以使入射到反射层63的光束都能够从 像素结构的出射面射出,例如大致垂直于出射面,以成为有效显示光 束,提高显示效果。这样,环绕像素界定层5的沟槽62的外侧壁形 成为碗形的形状。可以理解,对于沟槽62的内侧壁(与反射层相对 的侧壁)的形状没有特别的限制,只要确保像素界定层中大致横向传 输的光21具有较小的入射角,不致发生全反射即可。
在一种实施例中,像素结构还包括:例如由玻璃或者透明树脂材 料制成的基板1和设置在基板1上的像素驱动单元层(未示出),所 述第一绝缘层3设置在像素驱动单元层上,第一电极层41通过形成 在第一绝缘层3中的过孔(未示出)与所述像素驱动单元层中的薄膜 晶体管的漏极(未示出)电连接,以使薄膜晶体管为第一电极层41 提供驱动信号。第一绝缘层3可以包括钝化层和/或平坦层。
在一种实施例中,如图2b所示,沟槽62的底部延伸到第一绝缘 层3的至少一部分厚度中。这样,反射层63的一端可以延伸到第一 绝缘层3中,从而完全反射来自于像素界定层5的光21。
在一种实施例中,像素界定层5覆盖第一电极层41的外边缘。 这样,可以防止第一电极层41被电击穿,提高发光组件的性能,也 可以使第一电极层41牢固地附着在第一绝缘层上。
在一种示例性实施例中,参见图1,所述第二绝缘层61和像素 界定层5形成在同一层并且由相同的材料制成,且第二绝缘层与像素 界定层的高度大致相同。例如,第二绝缘层61和像素界定层5都由 感光有机材料制成。这样,第二绝缘层61和像素界定层5可以利用 相同的材料通过一次构图工艺形成,减少了构图工艺的次数,减少了 掩模板的使用数量,从而简化了阵列基板的制作工艺,降低了制作成 本。
图3是根据本实用新型的第二种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理。第 二实施例的像素结构与第一实施例的像素结构的不同之处在于像素 界定层的高度不同,而且其它相同的部件采用相同或者类似的附图标 记。下面仅描述第二实施例的像素结构的像素界定层5’,对于其它结 构与第一实施例的像素结构的对应结构相同或者类似,因此在此省略 其详细描述。
在第二示例性实施例的像素结构中,如图3和4a所示,第二绝 缘层61’和像素界定层5’形成在同一层并且由相同的材料制成,并且 第二绝缘层61’的高度大于像素界定层5’的高度。这样,即便发光组 件的发光层42的边缘覆盖在所述像素界定层5’上部的至少一部分上, 由于第二绝缘层61’的高度大于像素界定层5’的高度,使得设置在沟 槽62’中的反射层63’仍然与发光层42在厚度方向上大致平齐,这样 可以使反射层63’反射由于发光层中波导效应的延续而进入位于像素 界定层5’的上部的发光层并入射到反射层63’的光21,从而这部分光 21可以与从像素结构的显示表面发出的主光束22混合,形成显示光 束,提高像素结构的显示效果,降低光消耗。
在第一和第二实施例的像素结构中,反射层和第一电极层可以由 相同的材料制成,例如具有氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)-银-ITO 的三层材料、银或铝等材料制成,使得反射层和第一电极层都具有较 好的反射性能,同时,第一电极层实现导电功能。这样,可以降低成 本,提高反射层和第一电极层的使用寿命。在一种可替换的实施例中, 反射层和第一电极层可以由不同的材料制成,例如由于反射层不承担 导电的功能,反射层可以由绝缘材料制成。
图5是根据本实用新型的第三种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理。第 三实施例的像素结构与第一实施例的像素结构的不同之处在于像素 界定层和反射层不同,而且其它相同的部件采用相同或者类似的附图 标记。下面仅描述第三实施例的像素结构的像素界定层5”和反射层 63”,对于其它结构与第一实施例的像素结构的对应结构相同或者类 似,因此在此省略其详细描述。
在第三示例性实施例的像素结构中,如图6b所示,反射层63” 和第一电极层41”形成在同一层并且由相同的材料制成。这样,反射 层63”和第一电极层41”可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成, 减少了构图工艺的次数,减少了掩模板的使用数量,从而简化了阵列 基板的制作工艺,降低了制作成本。例如,反射层63”和第一电极层 41”可以由例如具有氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)-银-ITO的三 层材料、银或铝等材料制成,使得反射层和第一电极层都具有较好的 反射性能,并能够提高反射层和第一电极层的使用寿命。
在进一步的实施例中,如图5和6c所示,第二绝缘层61”的高度 大于所述像素界定层5”的高度。这样,即便发光组件的发光层42的 边缘覆盖在所述像素界定层5”上部的至少一部分上,由于第二绝缘 层61”的高度大于像素界定层5”的高度,使得设置在沟槽62”中的反 射层63”仍然与发光层42”在厚度方向上大致平齐,这样可以使反射 层63”反射由于发光层中波导效应的延续而进入位于像素界定层5” 的上部的发光层并入射到反射层63’的光21。图5示出了从发光层41” 的光21经像素界定层5”、反射层63”从像素结构射出的传输路径。 这部分光21可以与从像素结构的显示表面发出的主光束22混合,形 成显示光束,提高像素结构的显示效果,降低光消耗。可以理解,制 作第二绝缘层61”和像素界定层5”的材料可以相同,也可以不相同。
图7是根据本实用新型的第四种示例性实施例的像素结构的截 面示意图,图中示出了反射层反射从像素界定层入射的光的原理。第 四实施例的像素结构与第三实施例的像素结构的不同之处在于像素 界定层不同,而且其它相同的部件采用相同或者类似的附图标记。下 面仅描述第四实施例的像素结构的像素界定层53,对于其它结构与 第一实施例的像素结构的对应结构相同或者类似,因此在此省略其详 细描述。
如图7所示,反射层63”设置在第二绝缘层61”的面对像素界定 层53的一侧的内壁上,以反射从像素界定层射出的光21,其中,像 素界定层53的外侧表面与反射层63”接触。也就是说,第四实施例 的像素结构的像素界定层53向外延伸到反射层63”,消除了第三实 施例的像素结构中的沟槽62”。这样,可以使穿过像素界定层53的 光直接照射的反射层63”上,避免了进入空气层而发生折射,提高了 反射层63”的反射效果。这部分光21可以与从像素结构的显示表面 发出的主光束22混合,形成显示光束,提高像素结构的显示效果, 降低光消耗。可以理解,制作第二绝缘层61”和像素界定层53的材 料可以相同,也可以不相同。
根据本实用新型更进一步实用新型的实施例,提供一种显示装置, 包括如上述任一实施例所述的像素结构。显示装置可以为显示面板、 手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、 电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。
根据本实用新型再进一步方面的实施例,提供一种像素结构的制 作方法,如图1所述,每个像素结构包括像素界定层5和设置在像素 界定层的像素开口中的发光单元。该方法包括如下步骤:
在基板1上形成第一绝缘层3,例如,该第一绝缘层可以包括钝 化层和/或平坦层;
在第一绝缘层3上形成发光单元的第一电极层41;
在所述第一绝缘层3上形成环绕所述第一电极层41的绝缘薄膜 51;
在所述绝缘薄膜51上形成反射组件;
在所述反射组件的内侧的所述第一电极层41上形成发光层42和 第二电极层43,使得反射组件将从所述发光层42入射到像素界定层 5中的光反射成从像素结构的出射面射出。例如,所述发光组件将从 发光层42入射到像素界定层5中的光反射成在大致平行于像素结构 的出射方向的方向上出射。这样,从发光层42入射到像素界定层5 中的光束可以从像素结构的出射面射出,从而提高像素结构的显示效 果,降低光消耗。
在一种实施例中,在绝缘薄膜51上形成反射组件的步骤包括:
采用构图工艺在绝缘薄膜51上形成环形沟槽62,以将绝缘薄膜 51分隔成位于外侧的第二绝缘层61和位于内侧的像素界定层5;
在所述沟槽62的位于外侧的壁上形成反射层63。
更具体地,图2a-2d是示出制作本实用新型第一示例性实施例的 像素结构的操作过程的剖视图。根据本实用新型第一实施例的制作像 素结构的方法包括如下步骤:
与一般的制作OLED或者AMOLED的工艺相同,在例如玻璃或 者透明树脂制成的基板1上形成包括薄膜晶体管的像素驱动单元层 (未示出);
在像素驱动单元层上形成第一绝缘层3,例如,该第一绝缘层可 以包括平坦层和/或钝化层;在一种示例性实施例中,第一绝缘层3 可以通过覆盖由例如亚克力或者PI(聚酰亚胺)材料制成的有机膜层 并采用例如包括曝光、显影和刻蚀工艺的构图工艺形成,或者通过涂 覆感光有机材料并采用例如包括曝光和显影的构图工艺形成。
在第一绝缘层3上形成发光单元的第一电极层41,例如该第一 电极层可以用做反射电极;
如图2a所示,在所述第一绝缘层3上形成环绕所述第一电极层 41的绝缘薄膜51,在绝缘薄膜51上形成像素开口;形成绝缘薄膜的 材料可以与形成第一绝缘层的材料相同。
如图2b所示,采用构图或干法刻蚀工艺,在像素开口的外侧周 边的绝缘薄膜中刻蚀沟槽62;这样,由沟槽62将绝缘薄膜51分隔 成位于内侧的像素界定层5和位于外侧的第二绝缘层61;在一种示 例性实施例中,沟槽的底部延伸到所述第一绝缘层3的至少一部分厚 度中;也就是说,沟槽62的深度贯通绝缘薄膜并终止于第一绝缘层 3中;这样,反射层63的一端可以延伸到第一绝缘层3中,从而完 全反射来自于像素界定层5的光;沟槽62两侧的坡度(或者倾斜角 度)可以根据像素界定层中的光以波导模式传输的方向和/或向有效 显示方向反射从像素界定层射出光线的目的确定;
如图2c所示,在沟槽62的位于外侧的内壁上形成反射层63, 例如,采用物理气相淀积工艺由Ag、Al等材料形成反光金属层,用 构图、湿刻蚀或干刻蚀工艺除去其它部分的反光金属层,保留位于沟 槽62的外侧的内壁上的反光金属层,形成单侧反光层63;
如图2d所示,采用精密金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM) 和蒸镀工艺淀积OLED有机膜层,以形成发光层42;然后采用蒸镀 工艺形成透明或者半透半反的第二电极层43。
这样,通过以上步骤可以形成具有本实用新型实施例的像素结构 的像素结构,形成在沟槽62中的反射层63可以将在像素界定层5中 横向传播的光反射成从像素结构的出射面射出,从而形成为对显示效 果有贡献的光,提高显示效果,降低了光消耗。
在一种实施例中,在第一绝缘层3上形成环绕第一电极层41的 绝缘薄膜51的步骤中,将所述绝缘薄膜51形成为覆盖第一电极层的 外边缘。这样,可以防止第一电极层41被电击穿,提高发光组件的 性能。
图4a-4c是示出制作本实用新型第二示例性实施例的像素结构的 操作过程的剖视图。根据本实用新型第二实施例的制作像素结构的方 法包括如下步骤:
在例如玻璃或者透明树脂制成的基板1上形成包括薄膜晶体管 的像素驱动单元层;
在像素驱动单元层上形成第一绝缘层3;
在第一绝缘层3上形成发光单元的第一电极层41;
如图4a所示,在所述第一绝缘层3上形成环绕所述第一电极层 41的绝缘薄膜51’,在绝缘薄膜51’上形成像素开口;其中,在绝缘 薄膜51’上形成有台阶部52,并且位于内侧部分的高度小于位于外侧 部分的高度;
如图4b所示,在像素开口的外侧周边的具有较小高度的绝缘薄 膜中刻蚀沟槽62’;这样,由沟槽62’将绝缘薄膜51’分隔成位于内侧 的像素界定层5’和位于外侧的第二绝缘层61’;
如图4c所示,在沟槽62’的位于外侧的内壁上形成反射层63’, 例如,采用物理气相淀积工艺由Ag、Al等材料形成反光金属层,用 构图、湿刻蚀或干刻蚀工艺除去其它部分的反光金属层,保留位于沟 槽62’的外侧的内壁上的反光金属层,形成单侧反光层63’;之后, 采用FMM和蒸镀工艺淀积OLED有机膜层,以形成发光层42;然 后采用蒸镀工艺形成透明或者半透半反的第二电极层43。
图6a-6d是示出制作本实用新型第三示例性实施例的像素结构的 操作过程的剖视图。根据本实用新型第三实施例的制作像素结构的方 法包括如下步骤:
在基板1上形成第一绝缘层3;
在第一绝缘层3上形成环形的第二绝缘层61”;
采用一次构图工艺形成第一电极层41”和反射层63”,其中所述 第一电极层41”形成在第一绝缘层3上,反射层63”从第一绝缘层3 延伸到第二绝缘层61”的内侧表面上,并且所述第一电极层41”和反 射层63”断开;
在所述第一电极层41”的外边缘上形成像素界定层5”,并且所述 像素界定层5”的外侧表面与所述第二绝缘层61”的内侧表面形成沟槽 62”;以及
在所述第一电极层41”上形成发光层42”和第二电极层43”,使得 从反射层63”将从发光层42”入射到像素界定层5”中的光反射成从像 素结构的出射面射出。例如,反射层63”将从发光层42”入射到像素 界定层5”中的光21反射成在大致平行于像素结构的出射方向的方向 上出射。
这样,反射层63”可以将在像素界定层5”中横向传播的光反射成 从像素结构的出射面射出,从而形成为对显示效果有贡献的光,提高 显示效果,降低了光消耗。
在一种实施例中,在所述第一电极层41”的外边缘上形成像素界 定层5”的步骤中,将像素界定层5”的高度小于第二绝缘层61”的高度。
可以理解,本实用新型实施例的方法还包括如下步骤:在形成第 一绝缘层3之前,在例如玻璃或者透明树脂制成的基板1上形成包括 薄膜晶体管的像素驱动单元层;之后,在像素驱动单元层上形成第一 绝缘层3。
在一种实施例中,如图6a所示,在形成第一绝缘层3之后,可 以在第一绝缘层3中采用构图工艺形成过孔(未示出),在第一绝缘 层固化后,在第一绝缘层3上涂布第二绝缘层61”,用构图工艺形成 一个略大于像素面积的开口,之后进行固化。在一种可替换的实施例 中,可以采用例如单个半色调(halftone)或者灰色调(grey tone)掩 模板通过一次构图工艺通过控制穿过掩模板的曝光光束的透过率,而 一次形成第一绝缘层3、第二绝缘层61”和过孔。
如图6b所示,在第一绝缘层3和第二绝缘层61”上淀积金属电 极反射层或其它种类的复合导电反光层;之后,采用构图工艺由金属 电极反射层用做第一电极层41”、以及设置在所述开口的位于外侧的 内壁上的金属反射层63”,其中第一电极层41”和反射层63”断开。
如图6c所示,在第一电极层41”的外边缘上采用涂布、构图工艺 形成像素界定层5”,并且所述像素界定层5”的外侧表面与所述第二 绝缘层61”的内侧表面形成沟槽62”;其中,像素界定层5”的高度小 于第二绝缘层61”的高度,而且像素界定层5”覆盖第一电极层41”的 边缘、以及设置在与像素界定层5”相对的第二绝缘层61”的内侧壁上 的反射层63”的边缘,像素界定层5”的外侧壁与第二绝缘层61”的内 侧壁形成沟槽62”;像素界定层5”和第二绝缘层61”可以由相同的材 料制成,例如,可以通过覆盖由例如亚克力或者PI(聚酰亚胺)材料 制成的有机膜层并采用例如包括曝光、显影和刻蚀工艺的构图工艺形 成,或者通过涂覆感光有机材料并采用曝光和显影工艺形成。
最后,如图6d所示,采用FMM和蒸镀工艺淀积OLED有机膜 层,以形成发光层42”;然后采用蒸镀工艺形成透明或者半透半反的 第二电极层43”。
图8a-8b是示出制作本实用新型第四示例性实施例的像素结构的 部分操作过程的剖视图。可以理解,第四实施例的方法包括第三实施 例的方法中附图6a和6b的步骤。在图6b所示结构的基础上,如图 8a所示,在第一电极层41”的外边缘上采用涂布、构图工艺形成像素 界定层53,并且所述像素界定层53的外侧表面与第二绝缘层61”的 内侧表面上的反射层63”接触。也就是说,像素界定层53覆盖了整 个反射层63”。
最后,如图8b所示,采用FMM和蒸镀工艺淀积OLED有机膜 层,以形成发光层42”;然后采用蒸镀工艺形成透明或者半透半反的 第二电极层43”。
虽然在上面的第一和第二实施例中描述了反射组件具有沟槽,但 本实用新型并不局限于此。可以理解,在一种可替换的实施例中,可 以采用透明的绝缘材料填充沟槽,使得像素结构的表面平坦,但仍然 需要保留反射层。在本实用新型的实施例中,构图工艺一般包括涂覆 光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺;或者,只要可以形 成所需的图案的工艺都可以成为构图工艺,本实用新型不做限制。
根据本实用新型上述实施例的像素结构、具有这种像素结构的显 示装置、以及像素结构的制作方法,通过设置反射组件,使得从所述 发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射 面射出,这样入射到像素界定层中的光束可以转换成像素结构的有效 光束,提高显示效果,降低光消耗。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益 效果进行了进一步详细说明,应理解的是,以上所述仅为本实用新型 的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精 神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本 实用新型的保护范围之内。