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1. CN104733501 - Pixel structure, display device and manufacturing method for pixel structure

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ ZH ]

权利要求书

1.一种像素结构,包括:
第一绝缘层;
发光单元,设置在所述第一绝缘层上,并包括依次设置在第一绝缘层上的第一电极层、发光层和第二电极层;
像素界定层,被构造成用于限定像素开口,所述发光单元设置在所述像素开口中;以及
反射组件,环绕所述像素界定层设置,以将从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出,其中:
所述反射组件包括反射层,所述反射层和所述第一电极层形成在同一层并且由相同的材料制成,并且所述反射层和所述第一电极层断开。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述反射组件还包括:
第二绝缘层,位于所述像素界定层的外围且设置在所述第一绝缘层上;以及
沟槽,形成在所述第二绝缘层和所述像素界定层之间;
其中,所述反射层设置在所述沟槽的位于所述第二绝缘层的一侧,以反射穿过所述像素界定层的所述光。

3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述沟槽的底部延伸到所述第一绝缘层的至少一部分厚度中。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的像素结构,其特征在于,所述像素界定层覆盖所述第一电极层的外边缘。

5.如权利要求2或3所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层和所述像素界定层形成在同一层并且由相同的材料制成,且所述第二绝缘层与所述像素界定层的高度相同。

6.如权利要求2或3所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层和所述像素界定层形成在同一层并且由相同的材料制成,并且所述第二绝缘层的高度大于所述像素界定层的高度。

7.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第二绝缘层的高度大于所述像素界定层的高度。

8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述反射组件包括:
第二绝缘层,位于所述像素界定层的外围且设置在所述第一绝缘层上;以及
反射层,设置在所述第二绝缘层的面对所述像素界定层的一侧的内壁上,以反射从所述像素界定层射出的所述光,
其中,所述像素界定层的外侧表面与所述反射层接触。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中的任一项所述的像素结构。

10.一种像素结构的制作方法,每个所述像素结构包括像素界定层和设置在所述像素界定层的像素开口中的发光单元,所述方法包括如下步骤:
在基板上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成发光单元的第一电极层;
在所述第一绝缘层上形成环绕所述第一电极层的绝缘薄膜;
在所述绝缘薄膜上形成反射组件;以及
在所述反射组件的内侧的所述第一电极层上形成发光层和第二电极层,使得反射组件将从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出;
其中,在所述绝缘薄膜上形成反射组件的步骤包括:
采用构图工艺在所述绝缘薄膜上形成环形沟槽,以将所述绝缘薄膜分隔成位于外侧的第二绝缘层和位于内侧的像素界定层;
在所述沟槽的位于外侧的壁上形成反射层,使得所述反射层和所述第一电极层断开。

11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述沟槽的底部延伸到所述第一绝缘层的至少一部分厚度中。

12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,在所述第一绝缘层上形成环绕所述第一电极层的绝缘薄膜的步骤中,将所述绝缘薄膜形成为覆盖所述第一电极层的外边缘。

13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,在所述第一绝缘层上形成环绕所述第一电极层的绝缘薄膜的步骤中,在所述绝缘薄膜上形成有台阶部,并且位于内侧部分的高度小于位于外侧部分的高度。

14.一种像素结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成环形的第二绝缘层;
采用一次构图工艺形成第一电极层和反射层,其中所述第一电极层形成在所述第一绝缘层上,所述反射层从所述第一绝缘层延伸到所述第二绝缘层的内侧表面上,并且所述第一电极层和所述反射层断开;
在所述第一电极层的外边缘上形成像素界定层;以及
在所述第一电极层上形成发光层和第二电极层,使得反射层将从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出。

15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第一电极层的外边缘上形成像素界定层的步骤中,所述像素界定层的外侧表面与所述第二绝缘层的内侧表面形成沟槽。

16.如权利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第一电极层的外边缘上形成像素界定层的步骤中,所述像素界定层的外侧表面与所述第二绝缘层的内侧表面上的反射层接触。

17.如权利要求14-16中的任一项所述的方法,其特征在于,在所述第一电极层的外边缘上形成像素界定层的步骤中,将所述像素界定层的高度小于所述第二绝缘层的高度。