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1. JP2002164416 - APPARATUS FOR DETECTING OBJECT AND PROCESSING SYSTEM USING IT

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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の処理システムに主として用いられる被検出体の検出装置及びこれを用いた処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造するためには、半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理等の各種の処理が施されるが、このような各種の処理はそれぞれの処理に対応する半導体製造装置に対して自動的に半導体ウエハが搬送され、そして、予めプログラム化された手順にて処理チャンバ内で処理が自動的に施され、更に処理後のウエハは、また、自動的に搬出されている。このようなウエハの自動搬送系において、搬送経路の必要な各ポイントにて、実際に半導体ウエハが位置しているのか否かを確認することは、ウエハを安定的に搬送経路に沿って搬送するためには重要なことである。
【0003】このため、一般的な半導体の処理システムにあっては、要所要所に半導体ウエハの存否を確認するための検出装置が設けられている。ここで一般的な検出装置について説明する。図9は従来の検出装置に用いられる一般的なセンサ部を示す斜視図、図10は従来の検出装置を用いて半導体ウエハの有無を検出する時の状態を示す図、図11は従来の検出装置を用いて半導体ウエハの有無を検出する時の検出原理を説明する説明図である。図9に示すように、このセンサ部2は、検出光を射出する発光素子4と、この射出した検出光の反射光を受光する受光素子6とが並設されている。この発光素子4からは、例えば波長が700nm程度の光が射出される。また、この両素子4、6にケーブル8を介して例えばマイクロコンピュータ等よりなる判別部10が接続されており、上記受光素子6における受光結果に基づいて半導体ウエハの存否を判断するようになっている。
【0004】そして、上記発光素子4の前面には、例えば図中において横方向への偏光(図11参照)しか通さない横偏光フィルタ11が配置され、また、受光素子6の前面には、上記偏光方向とは90度ずれた、すなわち図中において縦方向への偏光(図11も参照)しか通さない縦偏光フィルタ12が配置される。そして、このセンサ部2の検出光L1の照射方向には、所定の距離だけ隔てて反射体14を配置している。この反射体14の反射面14Aは、上記照射方向に対して略垂直になるように、すなわち上記照射方向と上記反射面14Aに立てた法線の方向が略一致するように設定されている。また、上記反射面14Aの性質は、特定方向の振動面を有する光が当たっても、この偏光方向を乱して全ての方向に振動方向が存在するような反射光L2を形成し得るようになっている。これに対して、一般的な半導体ウエハの表面は鏡面状態になっており、この表面に入射した光が反射される場合には、反射光の振動方向は、入射光の振動方向を乱すこともなく、これを維持した状態で反射されるので、入射光の振動方向と同じ状態となっている。
【0005】このような検出装置において、発光素子4より射出された検出光L1は、横偏光フィルタ11にて横方向に振動する検出光となって照射され、反射体14、或いは被検出体である半導体ウエハWの表面で反射し、この反射光L2は縦偏光フィルタ12及び受光素子6に向かって入射してくる。ここで、検出空間Sに半導体ウエハWが存在しない場合には、図10(A)及び図11(A)に示すように、検出光L1は振動方向を乱すような反射面14Aになされた反射体14にて反射されるので、この反射光L2にはあらゆる方向の振動成分を含む。従って、この反射光L2の内の縦方向の振動成分は縦偏光フィルタ12を通過して受光素子6に検出されることになり、この結果、判別部10は半導体ウエハWが検出空間Sに存在しないこと認識する。
【0006】これに対して、図10(B)及び図11(B)に示すように、検出空間Sに半導体ウエハWが存在する場合には、この半導体ウエハWの表面が一般的には鏡面状態になされていることから、検出光L1の振動方向はそのまま維持された状態で反射され、従って、反射光L2は横方向に振動している。このため、この反射光L2は、横偏光フィルタ12を通過することができずにここで反射されるので、受光素子6は反射光L2を検出することができず、この結果、判別部10は半導体ウエハWが検出空間Sに存在することを認識する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したような従来の検出装置にあっては、半導体ウエハWの表面である反射面が、上述のように検出光L1の振動方向を乱さないような反射光L2となるような鏡面状態となっていることを前提としている。しかしながら、最近にあっては、半導体ウエハWの表面に堆積される膜が、種々開発されるに至っており、中でも例えば、反射防止膜などとして用いられるある種の窒化膜のように、この窒化膜が半導体ウエハWの表面に堆積されていると、この表面は上述したような鏡面状態ではなくなってその振動方向を乱すように作用する。従って、この窒化膜が形成されているウエハ表面に入射した検出光L1が反射される時には、この反射光L2には図10(A)に示すように、あらゆる方向に振動成分が含まれた状態となり、結果的に、この反射光L2の内の縦方向の振動成分が縦偏光フィルタ12を通過して受光素子6に検出されてしまうので、判別部10は半導体ウエハWが検出空間Sに存在しないと判断し、誤った認識を下す場合があった。
【0008】また、これに関連する発明として、特開平5−294405号公報に開示されているように、ウエハを載置する載置台上に、部分的に傾斜面を有する凹部状反射部を形成することも行われているが、この場合には載置台の表面に凹部状反射部を精度良く形成しなければならず、コスト高を招来する不都合があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、被検出体の表面状態に関係なくこの有無を確実に認識することができる被検出体の検出装置及びこれを用いた処理システムを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、検出光を射出する発光素子と、前記検出光の反射光を受光する受光素子と、前記発光素子に対して被検出体の検出空間を介して配置されると共に、主として光の入射方向に光を反射する反射面を有し、この反射面に対する前記検出光の入射方向が、前記反射面の法線方向よりも所定の角度だけ傾斜された反射体と、を備えたことを特徴とする被検出体の検出装置である。これによれば、検出空間に被検出体が存在しない場合には検出光は、反射体の反射面により主としてその入射方向に向けて反射されるので、この反射光を受光素子で受光して被検出体の不存在を認識でき、また、検出空間に被検出体が存在する場合には、上記検出光は被検出体の表面に斜め方向から入射するので、この反射光は被検出体の表面の法線に対して反対方向に反射することになって受光素子に検出されることはなく、従って、被検出体の存在を認識することができる。従って、被検出体の表面の状態がどのようになっていても、すなわち反射光の振動方向がどのようになっていても、被検出体の存否を正確に且つ確実に認識することが可能となる。
【0010】この場合、例えば請求項2に規定するように、前記検出空間に位置することのある前記被検出体の反射面に対する前記検出光の入射方向が、前記被検出体の反射面の法線方向よりも所定の角度だけ傾斜されている。また、例えば請求項3に規定するように、前記発光素子と前記受光素子とは並設されて一体的に設けられている。
【0011】また、請求項4に規定する発明は、一対の発光素子及び受光素子とが一体的に構成されたセンサ部と、前記センサ部とは被検出体が存在可能な検出空間を空けて配置され、実質的に直交する2つの面からなり、検出光の入射方向と同方向に沿って反射光を射出する反射面対が全面上に多数形成された反射体と、前記センサ部を駆動制御し、前記受光素子から得られた前記反射光に基づき被検出体の存在を判別する判別部と、で構成され、前記センサ部は、斜め方向から前記反射面対及び前記被検出体へ検出光を射出する位置に配置されることを特徴とする被検出体の検出装置である。この場合、例えば請求項5に規定するように、前記検出光は、前記反射体の反射面における法線方向に対して、6〜25度の範囲内の斜め方向から前記反射体に入射するように設定する。また、例えば請求項6に規定するように、前記反射面対は、多面錐体の斜面により形成されており、前記多面錐体の頂角は実質的に90度に設定されている。請求項7に係る発明は、被処理体に対して所定の処理を施す処理システムにおいて、上記検出装置を備えたことを特徴とする処理システムである。これによれば、被処理体を処理システム内にて搬送する場合に、特定個所におけるこの被処理体(被検出体)の存否を確実に検出して認識することが可能となる。この場合、例えば請求項8に規定するように、前記検出装置は、前記被処理体を保持して回転させる回転台と、前記被処理体を前記回転台に移載する移載機構と、前記被処理体の外周輪郭を検出する輪郭センサ部と、前記輪郭センサ部の検出結果に基づいて位置ずれ量を求める位置ずれ検出部とを有する位置合わせ装置に設ける。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る被検出体の検出装置とこれを用いた処理システムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る被検出体の検出装置を示す斜視図、図2は本発明の検出装置に用いる反射体を示す拡大図、図3は被検出体(被処理体)を検出する時の状態を示す図である。尚、先に説明した部分と同一構成部分については同一参照符号を付して説明する。
【0013】図1に示すように、この被検出体の検出装置20は、センサ部2を有し、このセンサ部2は、検出光L1を射出する発光素子4と、この射出した検出光L1の反射光L2を受光する受光素子6とが並設されている。この発光素子4からは、例えば波長が700nm程度の光が射出される。また、この両素子4、6にケーブル8を介して例えばマイクロコンピュータ等よりなる判別部10が接続されており、上記受光素子6における受光結果に基づいて被検査体の存否を判断するようになっている。
【0014】そして、上記発光素子4の前面には、例えば図中において横方向への偏光(図11参照)しか通さない横偏光フィルタ11が配置され、また、受光素子6の前面には、上記偏光方向とは90度ずれた、すなわち図中において縦方向への偏光(図11も参照)しか通さない縦偏光フィルタ12が配置される。尚、これらの両フィルタ11、12は設けなくてもよい。そして、このセンサ部2の検出光L1の照射方向には、所定の距離だけ隔てて本発明の特徴とする反射体22を配置している。
【0015】そして、この反射体22と上記センサ部2との間が検出空間Sとして構成される。ここで、この反射体22は、主として光の入射方向に光を反射する反射面22Aを有しており、且つ、この反射面22Aに対する上記検出光L1の入射光方向が、上記反射面22Aをマクロ的に見た時のこの反射面22Aの法線H1の方向、すなわち法線方向よりも所定の各度θ1だけ傾斜されている。具体的には、上記反射体22の反射面22Aは、例えば自転車の最後尾に設けた後尾反射板のような機能を有しており、この後尾反射板の反射面に対する法線を中心とする一定の開き角の範囲内ならば、どのような方向から光が入射してきても、略その入射方向に向けて反射光を反射させる、という機能を有している。
【0016】このような反射体22の反射面22Aは、例えば図2に示すように構成される。すなわち、表面が光の振動方向を乱す鏡面状態になされて頂角α1が略90度になされた微小な多数の多面錐体、例えば四角錐体24を設けてなり、しかも、その四角錐体24の頂点の方向を、法線方向(図2中において真上の方向)のみならず、法線方向から少しずつの角度で法線から離れるように傾いた方向にも向けて形成されている。図2中において、破線で示す矢印は、頂点の向けられた方向を示している。尚、多面錐体としては、上記した四角錐体に限定されず、例えば三角錐体、五角錐体、六角錐体、八角錐体等も用いることができる。図2においては、微小な四角錐体24は数個程度しか記載されていないが、実際には、各頂点方向に対して非常に多くの四角錐体24が設けられることになる。これにより、法線H1を中心として上記頂点が向けられた方向の範囲内において、特定の入射方向からくる光に対しては、その入射方向に対して反射光を射出することが可能となる。尚、この反射面22Aの構成は単に一例を示したに過ぎず、上述したと同様な作用を示す反射面22Aならば、どのような構成の反射面でも用いることができる。その一例については後述する。
【0017】次に、以上のように構成された検出装置20を用いて行われる被検出体26の存否の検出動作について図3も参照して説明する。まず、図1に示すようにセンサ部2の発光素子4より射出された検出光L1は、横偏光フィルタ11にて横方向に振動する検出光となって照射され、反射体22の表面で反射し、この反射光L2は縦偏光フィルタ12及び受光素子6に向かって入射してくる。ここで、検出空間Sに被検出体2(図3参照)が存在しない場合には、図1に示すように、検出光L1は反射体22の反射面22Aに対して入射角がθ1となる斜め方向から入射し、そして、この反射面22Aの作用により、反射光L2は検出光L1の入射方向に向けて、すなわちセンサ部2の方向に向けて反射される。また、この反射光L2にはあらゆる方向の振動成分を含む。従って、この反射光L2の内の縦方向の振動成分は縦偏光フィルタ12を通過して受光素子6に検出されることになり、この結果、判別部10は被検出体26(図3参照)が検出空間Sに存在しないことを認識する。
【0018】これに対して、図3に示すように、検出空間Sに被検出体26が存在する場合には、この被検出体26の表面に検出光L1が当たると、この検出光L1は、反射の法則に従って、法線H1の反対側において反射角θ1の方向に反射光L2となって反射して行く。このため、この反射光L2は、受光素子6にて検出することができず、この結果、判別部10は被検出体26が検出空間Sに存在することを認識する。
【0019】この場合、検出空間Sにおける被検出体26の反射面の法線H2の方向は、上記検出光L1の射出方向よりも所定の角度θ2だけずれるように被検出体26の侵入位置或いは、角度を設定しておき、被検出体26の反射面からの反射光L2が受光素子6に入射しないようにしておく。図示例では反射体22の反射面22Aと被検出体26が略平行になっているので、角度θ1=θ2となっている。このように、被検出体26の表面状態がどのようになっていても、すなわち反射光の振動方向がどのようになっていても、被検出体の存否を正確に、且つ確実に認識することが可能となる。ここで、上記法線H1に対する検出光L1の角度θ1は、被検出体26からの反射光L2が受光素子6に入射しないで且つ前記反射体22の反射面22Aがカバーし得る角度範囲(検出光L1の入射方向に対して反射光L2を反射し得る角度範囲)内である必要があり、例えば6度〜25度の範囲内、好ましくは11度〜20度程度の範囲内である。尚、図2に示す反射体22では、各四角錐体24の頂点の方向を、法線H1の方向から少しずつ角度をずらすようにしたが、これに限定されず、全ての頂点の方向を法線方向と同じ方向に設定してもよい。図4はこのような反射体の変形例を示す拡大図である。図4に示すように、ここでは反射体22の各四角錐体24の頂点の角度α2は、全て実質的に90度程度に設定されており、また、各頂点の方向(図中破線で示す)は、反射体22に対する法線H1と同じ方向に向けられている。そして、この四角錐体24の斜面が反射面22Aとなっている。そして、隣り合う四角錐体24の対向する一対の反射面22Aが互いに直交して谷部を形成しており、この一対の反射面22Aが反射面対22aとして構成される。従って、このような反射面対22aが平面的に多数配置されることになる。この反射体22においても、図2にて説明した反射体と同様な作用を示す。すなわち、図4に示すように反射体22に対してあらゆる方向から入射する検出光L1は、上記反射面対22aを構成する一対の反射面22Aにて2回反射して上記入射光と略同じ方向へ向けて反射し、反射光L2として射出されることになる。
【0020】次に、上記被検出体の検出装置20を、半導体ウエハに対して種々の処理を施す処理システムに適用した場合を例にとって説明する。図5は本発明の検出装置を備えた半導体ウエハの処理システムを示す概略平面図、図6は処理システムの位置合わせ装置を示す構成図、図7は反射体を設けたウエハフォークを示す平面図、図8は位置合わせ装置の主要部を示す拡大図である。図示するように、この処理システム30は、被処理体、例えば半導体ウエハWに対して窒化シリコンや窒化チタンのような窒化膜を堆積させる2台の成膜装置32、34と、本発明の検出装置20を設けた位置合わせ装置36と、これらの各装置32、34、36間と共通に連結されて、真空状態を維持しつつ、各装置間にウエハを移載する共通搬送装置38とにより主に構成されている。更に、ここでは、ウエハの搬入・搬出効率を向上させるために、複数の半導体ウエハを収容可能なカセットCを収容して真空引き可能になされて上記共通搬送装置38に連結された2つのカセット収容室40A,40Bを有しており、いわゆるクラスタツール化されている。
【0021】共通搬送装置38の一側には、それぞれゲートバルブG1,G2を介して第1のカセット収容室40A及び第2のカセット収容室40Bがそれぞれ接続されている。これらの両カセット収容室40A,40Bは、この装置全体のウエハ搬出入ポートを構成するものであり、それぞれ昇降及び旋回自在なカセットステージ(図示せず)を備えている。共通搬送装置38及び両カセット収容室40A,40Bは、それぞれ気密構造に構成され、両カセット収容室40A,40Bには、外部の作業室雰囲気との間を開閉して大気開放可能にそれぞれゲートドアG3,G4が設けられ、開放されたゲートドアG3、G4を介してカセットCが搬出入される。
【0022】共通搬送装置38内の移載用アーム機構42は、屈伸及び旋回可能になされた多関節アームよりなり、両カセット収容室40A,40Bと各成膜装置32、34及び位置合わせ装置36との間でウエハを移載するものである。そして、この共通搬送装置38には、各ゲートバルブG5,G6を介してそれぞれ成膜装置32及び成膜装置34が連結されている。また、共通搬送装置38内と上記位置合わせ装置36内は、常時連通されている。ここで、図6乃至図8を参照して本発明の検出装置20を設けた位置合わせ装置36について詳述する。図6にも示すように、この位置合わせ装置36は、上記共通搬送装置38へ連通された、例えばアルミニウム製の容器状の筐体50を有している。この筐体50内には、ウエハWを保持して回転する回転台52が設けられており、この回転台52の回転軸54は、筐体50の底部50Aを貫通して回転モータ56に接続されている。この回転軸54の底部50Aに対する貫通部には、例えば磁性流体シール58が介在されており、筐体50内の気密性を維持しつつ、この回転軸54の回転を許容している。
【0023】また、この筐体50内には、半導体ウエハWを上記回転台52に移載するための移載機構60が設置される。具体的には、この移載機構60は、昇降ロッド62の上端に水平方向に取り付けた2股状のウエハフォーク64を有しており、このウエハフォーク64に、上方に突出させて4本の支持ピン66を取り付けて、この支持ピン66の上端でウエハWの裏面に当接してこれを支持するようになっている。また、上記昇降ロッド62は、筐体底部50Aを貫通しており、この貫通部には、金属製の蛇腹状のベローズ68が介在されて、筐体50内の気密性を維持しつつこの昇降ロッド62を図示しないアクチュエータにより昇降可能としている。
【0024】そして、この筐体50には、半導体ウエハWの外周輪郭を検出する輪郭センサ部70が設けられる。具体的には、この輪郭センサ部70は、筐体50の天井部50Bに設けた帯状の検査光L5を発する輪郭用発光素子72と、筐体底部50Aに設けたライン状の輪郭用受光素子74とよりなる。上記輪郭用発光素子72及び輪郭用受光素子74の各取付部には、図示しないシール部材を介して例えば石英製の透過窓76、78がそれぞれ設けられており、上記輪郭用発光素子72から上記回転台52上に適正な位置に載置されているウエハWの外周端を横切るような位置に帯状の検査光L5を射出し得るようになっている。そして、上記輪郭用発光素子72及び上記輪郭用受光素子74は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる位置ずれ検出部80へ接続されており、この受光素子74の出力値に基づいてウエハWの偏芯量と偏芯方向を求めて、これを位置合わせするようになっている。
【0025】そして、このように構成された位置合わせ装置36に前述した本発明の被検出体の検出装置20が設けられる。具体的には、被検出体はここで半導体ウエハWであり、上記検出装置20のセンサ部2は、筐体50の天井部50Bに設けている。すなわち、図8に示すようにこの天井部50Bに開口82を形成し、この開口82に図示しないOリング等のシール部材86を介して石英等よりなる透過窓84を気密に設け、この周囲を取付枠88で固定する。そして、この透過窓84の外側に、上記取付枠88にボルト90でもって一端を固定した屈曲金具92に接合するようにして上記センサ部2を固定して設けている。そして、このセンサ部2には、ケーブル8を介して判別部10が接続される。また、このセンサ部2は、垂直方向に対して角度θ1、例えば15度程度だけ傾けて設ける点は、図1において説明した通りである。
【0026】一方、これに対して、反射体22は、図7及び図8に示すように、昇降移動するウエハフォーク64の一側に水平に設けられている。この場合、ウエハフォーク64の昇降にともなって、この反射体22も距離X1だけのストロークでもって上下動するが、このストローク範囲内のいずれの位置でも上記センサ部2からの検出光L1が上記反射体22の反射面22Aに入射し得るような状態に設定しておく。
【0027】次に、このように構成された処理システム30における半導体ウエハWの流れについて説明する。まず、未処理の半導体ウエハWを例えば25枚収容したカセットCを第1のカセット収容室40A内のカセットステージ(図示せず)上に載置し、続いてゲートドアG3を閉じてこの室内をN 2 ガスの不活性ガス雰囲気にすると共に、この収容室40A内を真空引きする。
【0028】次に、ゲートバルブG1を開き、カセット収容室40A内を予め真空引きされて不活性ガス雰囲気になされた共通搬送装置38内と連通し、この装置38内の移載用アーム機構42を用いてウエハWを搬入する。次に、このウエハWを位置合わせ装置36内へ搬入して、後述するようにこの位置ずれを検出してこれを補正することにより位置合わせを行う。位置合わせ後の半導体ウエハWは、再度移載用アーム機構42により搬出され、そして、例えば成膜装置32、34に順次搬入し、それぞれの成膜装置32、34内でこれに所定の成膜処理を施す。そして、この成膜処理が完了したならば、処理済みのウエハWは例えば他方のカセット収容室40B内のカセットC内に収容されることになる。ここで、上記位置合わせ装置36内における動作について詳しく説明する。まず、共通搬送装置38内の移載用アーム機構42に保持された半導体ウエハWがこの筐体50内に収容されると、移載機構60を上昇させることにより、このウエハフォーク64に設けた4本の支持ピン66でウエハWの裏面を支持して、ウエハWはこれに受け渡される。そして、上記移載用アーム機構42を屈曲させて退避させた後に、このウエハフォーク64を降下させて回転台52よりも更に下方に位置させることにより、このウエハWは、回転台52に受け渡されて、これに支持される。
【0029】次に、この回転台52を駆動してウエハWを一回転以上回転させつつ輪郭センサ部70を駆動し、輪郭用発光素子72からの検査光L5を輪郭用受光素子74で受けることによって、ウエハWの輪郭の位置を検出する。そして、この検出結果によって、位置ずれ検出部80は、ウエハの位置ずれ量を求め、次に、移載用アーム機構42で上記ウエハWを受け取る際に、上記位置ずれ量を補償するように受け取ることになる。さて、このような一連の動作途中において、検出装置20のセンサ部2の発光素子4からは、前述したように検出光L1が反射体22の反射面22Aに向けて射出しており、このウエハフォーク64上に半導体ウエハWが載置されているか否かが常時監視されている。この場合、先に説明したように、ウエハフォーク64がウエハWを保持していない時には、検出光L1が反射体22の反射面22Aに入射し、この入射方向に向けて反射光L2を射出することから反射光L2はセンサ部2の受光素子6で受光され、判別部10はウエハWの不存在を認識する。
【0030】これに対して、ウエハフォーク64上にウエハWを保持している場合には、この検出光L1は、前述したように他の方向に反射されてしまうので、受光素子6には反射光が入射しなくなり、この結果、判別部10はウエハWの存在を認識することになる。尚、ウエハWが回転台52上に載置している間も、上記検出光L1は、ウエハWによって遮断されて他の方向に反射されるので、判別部10はウエハWの存在を認識することになる。この場合、ウエハWの表面の状態に関係なく、すなわちウエハWの表面に形成されている膜種に関係なくウエハWの存否を正確に、且つ確実に認識することが可能となる。
【0031】尚、このようなウエハの存否の認識の結果に基づいてウエハの搬送操作に、ソフトウエア的にインターロックがかけられるのは勿論である。例えば、この位置合わせ装置36内にウエハWが存在すると、認識されているにもかかわらず、移載用アーム機構42が別のウエハWを位置合わせ装置36内へ搬入しようとする指令がなされた場合には、この搬入指令は上記検出装置20の”ウエハ有り”の認識結果によりインターロックがかけられることになる。尚、本実施例にあっては、成膜装置32、34を有する処理システム30を例にとって説明したが、これに限定されず、エッチング装置、酸化拡散装置、スパッタ装置等の全ての処理装置にも適用できる。また、ここでは本発明の検出装置20を位置合わせ装置36内に設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、例えば共通搬送装置38内の各装置に対するゲートバルブの直前など、ウエハWの存否を確認する必要のある個所には全て本発明の検出装置を設けることができる。この場合には、反射体22は容器底部に設けるようにすればよい。また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、LCD基板等も適用することができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の被検出体の検出装置とこれを用いた処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。請求項1乃至6に係る発明によれば、検出空間に被検出体が存在しない場合には検出光は、反射体の反射面により主としてその入射方向に向けて反射されるので、この反射光を受光素子で受光して被検出体の不存在を認識でき、また、検出空間に被検出体が存在する場合には、上記検出光は被検出体の表面に斜め方向から入射するので、この反射光は被検出体の表面の法線に対して反対方向に反射することになって受光素子に検出されることはなく、従って、被検出体の存在を認識することができる。従って、被検出体の表面の状態がどのようになっていても、すなわち反射光の振動方向がどのようになっていても、被検出体の存否を正確に且つ確実に認識することができる。請求項7または8に係る発明によれば、被処理体を処理システム内にて搬送する場合に、特定個所におけるこの被処理体(被検出体)の存否を確実に検出して認識することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る被検出体の検出装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の検出装置に用いる反射体を示す拡大図である。
【図3】被検出体(被処理体)を検出する時の状態を示す図である。
【図4】反射体の変形例を示す拡大図である。
【図5】本発明の検出装置を備えた半導体ウエハの処理システムを示す概略平面図である。
【図6】処理システムの位置合わせ装置を示す構成図である。
【図7】反射体を設けたウエハフォークを示す平面図である。
【図8】位置合わせ装置の主要部を示す拡大図である。
【図9】従来の検出装置に用いられる一般的なセンサ部を示す斜視図である。
【図10】従来の検出装置を用いて半導体ウエハの有無を検出する時の状態を示す図である。
【図11】従来の検出装置を用いて半導体ウエハの有無を検出する時の検出原理を説明する説明図である。
【符号の説明】
2 センサ部
4 発光素子
6 受光素子
10 判別部
20 被検出体の検出装置
22 反射体
22A 反射面
22a 反射面対
26 被検出体
30 処理システム
32,34 成膜装置
36 位置合わせ装置
38 共通搬送装置
42 移載用アーム機構
50 回転台
60 移載機構
64 ウエハフォーク
70 輪郭センサ部
80 位置ずれ検出部
L1 検出光
L2 反射光
S 検出空間
W 半導体ウエハ(被処理体)