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1. WO2020133827 - METHOD FOR MANUFACTURING BLUE PHASE LIQUID CRYSTAL PANEL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL ELECTRODE OF BLUE PHASE LIQUID CRYSTAL PANEL

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说明书

发明名称

技术领域

0001  

背景技术

0002   0003   0004  

发明概述

技术问题

0005  

技术解决方案

0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052  

有益效果

0053  

附图说明

0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060  

本发明的实施方式

0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20  

附图

页1 

说明书

发明名称 : 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法

技术领域

技术领域

[0001]
本揭示涉及显示技术领域,尤其涉及一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法。

背景技术

背景技术

[0002]
蓝相液晶显示面板由于具有亚毫秒级的响应速度等优点,目前已得到广泛的关注,但是其自身具有的高驱动电压等缺点也成为了限制其发展的主要因素。针对如何降低蓝相液晶显示面板的驱动电压这一技术问题,目前已经提出了不同的方案,例如:从新电极的结构和形状、新电极的排列方式以及新的蓝相液晶单体材料等方面进行改进。其中,电极结构和形状的改进是目前普遍提出的比较有效的实施方案之一。
[0003]
关于不同形状的立体电极,人们已经通过模拟手段证明其有效性,但是立体电极的主要难点在于立体电极的制作工艺,如何制作高度合适、导电性能好的立体电极成为亟待解决的问题。
[0004]
因此,本揭示提供一种新的蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法,来解决上述技术问题。

发明概述

技术问题

[0005]
本揭示提供一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法,可解决现有技术中的立体电极的制作工艺问题。

技术解决方案

[0006]
为解决上述问题,本揭示提供的技术方案如下:
[0007]
本揭示实施例提供一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,包括以下步骤:
[0008]
S10:提供一基板;
[0009]
S20:在所述基板表面沉积形成一层薄膜,所述薄膜的材料为多晶硅或氧化硅,所述薄膜的高度为100nm~5um;
[0010]
S30:在所述薄膜表面制作阵列图案,形成有多个相间分布的辅助金属层;
[0011]
S40:将所述基板浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,形成多个相间分布的立体基底;
[0012]
S50:将经过刻蚀处理后的所述基板进行清洗处理;以及
[0013]
S60:在所述立体基底表面沉积一层ITO导电层,得到立体电极。
[0014]
根据本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,采用低压力化学气相沉积方法在所述基板表面形成所述薄膜。
[0015]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层。
[0016]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层的步骤包括:
[0017]
S301:在所述薄膜上覆盖一层金属层,所述金属层的高度小于所述薄膜的高度;
[0018]
S302:在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶;
[0019]
S303:采用电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光;
[0020]
S304:对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影;以及
[0021]
S305:剥离所述电子束光刻胶,形成所述辅助金属层。
[0022]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述电子束光刻胶的材质为有机玻璃。
[0023]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述辅助金属层的材料为铜或银。
[0024]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述立体电极的截面形状为矩形或梯形。
[0025]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,通过调整所述刻蚀液的浓度与刻蚀时间来调整所述电极的宽度,以改变所述立体电极的截面形状。
[0026]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述刻蚀时间控制在1分钟~60分钟内。
[0027]
本揭示实施例提供一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,包括以下步骤:
[0028]
S10:提供一基板;
[0029]
S20:在所述基板表面沉积形成一层薄膜;
[0030]
S30:在所述薄膜表面制作阵列图案,形成有多个相间分布的辅助金属层;
[0031]
S40:将所述基板浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,形成多个相间分布的立体基底;
[0032]
S50:将经过刻蚀处理后的所述基板进行清洗处理;以及
[0033]
S60:在所述立体基底表面沉积一层ITO导电层,得到立体电极。
[0034]
在本揭示实施例提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述薄膜的材料为多晶硅或氧化硅。
[0035]
在本揭示实施例提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述薄膜的高度为100nm~5um。
[0036]
在本揭示实施例提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,采用低压力化学气相沉积方法在所述基板表面形成所述薄膜。
[0037]
在本揭示实施例提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层。
[0038]
在本揭示实施例提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层的步骤包括:
[0039]
S301:在所述薄膜上覆盖一层金属层;
[0040]
S302:在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶;
[0041]
S303:采用电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光;
[0042]
S304:对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影;以及
[0043]
S305:剥离所述电子束光刻胶,形成所述辅助金属层。
[0044]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述电子束光刻胶的材质为有机玻璃。
[0045]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述辅助金属层的材料为铜或银。
[0046]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,所述立体电极的截面形状为矩形或梯形。
[0047]
在本揭示实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中,通过调整所述刻蚀液的浓度与刻蚀时间来调整所述电极的宽度,以改变所述立体电极的截面形状。
[0048]
本揭示实施例提供一种蓝相液晶面板的制作方法,包括以下步骤:
[0049]
S1:提供上基板和下基板;
[0050]
S2:采用上述蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,在所述上基板和/或所述下基板的内表面分别形成多个所述立体电极;
[0051]
S3:在所述上基板和所述下基板之间填充蓝相液晶分子;以及
[0052]
S4:将所述上基板和所述下基板结合,保证两者的内表面相互面对。

有益效果

[0053]
本揭示的有益效果为:本揭示提供的一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法,通过使用金属辅助法在基板上制作不同刻蚀模板多晶硅(氧化硅)的立体化图案,在此基础上沉积ITO导电层,以及通过控制刻蚀液的浓度和刻蚀时间,来得到不同宽度/高度比和不同形状的立体电极,具有可调性,满足了不同的电极设计需求,能够降低蓝相液晶显示面板的驱动电压。

附图说明

[0054]
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0055]
图1为本揭示实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的流程图;
[0056]
图2为本揭示实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的示意图;
[0057]
图3为根据本揭示实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板的制作方法制作而成的蓝相液晶显示面板的结构示意图;
[0058]
图4为本揭示实施例二中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的流程图;
[0059]
图5为本揭示实施例二中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的示意图;
[0060]
图6为根据本揭示实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板的制作方法制作而成的蓝相液晶显示面板的结构示意图。

本发明的实施方式

[0061]
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0062]
实施例一
[0063]
参考图1、图2,根据本揭示实施例一的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,包括以下步骤:
[0064]
S10:提供一基板1;
[0065]
S20:在所述基板1表面沉积形成一层多晶硅薄膜2;
[0066]
本实施例一中在所述基板1表面沉积的薄膜的材料选用多晶硅,通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)的方法进行沉积,能够使所述多晶硅薄膜2在所述基板1上分布均匀。所述多晶硅薄膜2的高度根据所需要制备的立体电极的设计高度进行确定,当所述立体电极6的设计高度较高时,沉积而成的所述多晶硅薄膜2的高度随之升高;当所述立体电极2的设计高度较低时,沉积而成的所述多晶硅薄膜2的高度随之降低。一般来说,所述多晶硅薄膜2的高度与所需要制备的立体电极的设计高度大致相等。因为所需制备的立体电极6的设计高度的通常范围在100nm~5um之间,因此,控制所述多晶硅薄膜2的高度也在100nm~5um之间即可。
[0067]
S30:在所述多晶硅薄膜2表面制作阵列图案,形成有多个相间分布的辅助金属层3;
[0068]
在所述多晶硅薄膜2上表面通过电子束光刻方法制作阵列图案,形成多个相间分布的所述辅助金属层3。因为立体电极6的尺寸的最小尺寸可达到纳米级别,因此采用所述电子束光刻方法可直接制作所需图案,能够保证所述辅助金属层的精度,形成超精细图案,为后续立体电极的制备做准备。所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层3的步骤具体包括:
[0069]
S301:在所述多晶硅薄膜2上覆盖一层金属层;
[0070]
S302:在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶;
[0071]
S303:采用电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光;
[0072]
S304:对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影;以及
[0073]
S305:剥离所述电子束光刻胶,形成有所述辅助金属层3。
[0074]
在所述多晶硅薄膜2上形成一层金属层,所述金属层的材料可选择铜或银等金属催化剂,作为金属辅助使用,所述金属层的高度应小于所述多晶硅薄膜2的高度。通过旋转、喷涂、滴涂、丝网印刷等方法,在所述金属层上形成电子束光刻胶,所述电子束光刻胶的材质可以是PMMA(Polymethyl methacrylate,有机玻璃)等。之后,通过电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光,所述电子束曝光系统可选择高斯扫描系统、成型电子束扫描系统等现有电子束曝光系统。同时,所述电子束曝光系统需采用合适的曝光剂量。之后,采用显影液对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影,形成电子束光刻胶图形。最后,对保留的所述电子束光刻胶进行剥离,形成多个所述辅助金属层3。
[0075]
S40:将所述基板1浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,形成多个相间分布的多晶硅立体基底4;
[0076]
将所述基板1浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,由于多晶硅只可进行垂直方向的刻蚀,因此,所述刻蚀液可将位于所述辅助金属层3下方的多晶硅薄膜2刻蚀掉,形成多晶硅立体基底4,因此,所述多晶硅立体基底4的截面呈矩形形状。所述多晶硅立体基底4的宽度与所述辅助金属层3的宽度有关。所述刻蚀液可以选取一定浓度的HF/AgNO3、HF/H2O2/IPA等溶液,在10℃~100℃的温度条件下,根据所需制作的立体电极6的形状,来进行调整所述刻蚀液的浓度及刻蚀时间的长短。若所需制作的立体电极6的高度较高,则可适当增加所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间;若所需制作的立体电极6的高度较低,则可适当减小所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间。通常将刻蚀时间控制在1分钟~60分钟内。
[0077]
S50:将经过刻蚀处理后的所述基板1进行清洗处理;
[0078]
将所述基板1进行清洗处理,该处理采用水洗即可满足要求,可将残余的所述刻蚀液及被刻蚀掉的多晶硅清除,所述辅助金属层3掉落在相邻两个所述多晶硅立体基底4与所述多晶硅薄膜2之间形成的凹槽内。以及
[0079]
S60:在所述多晶硅立体基底4表面沉积一层ITO导电层5,得到立体电极6。
[0080]
在所述多晶硅立体基底4表面沉积一层ITO导电层5,同时,也可将位于相邻两个所述多晶硅立体基底4与所述多晶硅薄膜2之间形成的凹槽内的所述辅助金属层3表面沉积一层ITO导电层5,得到截面形状为矩形的立体电极6。
[0081]
参考图3,根据本揭示实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板100的制作方法,包括以下步骤:
[0082]
S1:提供上基板7和下基板1;
[0083]
S2:采用本揭示实施例一中所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,在所述上基板7和所述下基板1的内表面分别形成所述立体电极9和所述立体电极6;
[0084]
S3:在所述上基板7和所述下基板1之间填充多个蓝相液晶分子8;以及
[0085]
S4:将所述上基板7和所述下基板1结合,保证两者的内表面相互面对,形成蓝相液晶显示面板100。
[0086]
该蓝相液晶面板100包括上基板7、下基板1、多晶硅薄膜2,位于所述上基板7内表面的立体电极9、位于所述下基板1内表面的立体电极6,以及位于所述上基板7与下基板1之间的多个蓝相液晶分子8。所述立体电极9与所述立体电极6的截面形状为矩形,所述立体电极9与所述立体电极6间隔排列。由于所述蓝相液晶8分布在所述立体电极9与所述立体电极6之间,相比于平面电极,具有所述立体电极9与所述立体电极6的所述蓝相液晶显示面板100的电场线分布更为密集且基本在水平方向平行分布,所述蓝相液晶分子8的轴向方向与所述蓝相液晶显示面板100的电场线位于同一方向,因此,在相同电压条件下其场强更大,因此可大幅度降低所述蓝相液晶显示面板100的驱动电压。
[0087]
实施例二
[0088]
参考图4、图5,根据本揭示实施例二的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,包括以下步骤:
[0089]
S10:提供一基板1';
[0090]
S20:在所述基板1'表面沉积形成一层氧化硅薄膜2';
[0091]
本实施例二中在所述基板1'表面沉积的薄膜所选用的材料与实施例一中有所不同,将实施例一中选用的多晶硅材料替换成了氧化硅材料。通过利用所选不同材料的自身性质的差异性,以此来制作不同形状的立体电极6'。
[0092]
本实施例二中在所述基板1'表面沉积的薄膜的材料选用氧化硅,该氧化硅材料可为二氧化硅。通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)的方法进行沉积,能够使所述氧化硅薄膜2'在所述基板上分布均匀。所述氧化硅薄膜2'的高度根据所需要制备的立体电极6'的设计高度进行确定,当所述立体电极6'的设计高度较高时,沉积而成的所述氧化硅薄膜2'的高度随之升高;当所述立体电极6'的设计高度较低时,沉积而成的所述氧化硅薄膜2'的高度随之降低。一般来说,所述氧化硅薄膜2'的高度与所需要制备的立体电极6'的设计高度大致相等。因所需制备的立体电极6'的设计高度的通常范围在100nm~5um之间,因此,控制所述氧化硅薄膜2'的高度也在100nm~5um之间即可。
[0093]
S30:在所述氧化硅薄膜2'表面制作阵列图案,形成有多个相间分布的辅助金属层3';
[0094]
在所述氧化硅薄膜2'上表面通过电子束光刻方法制作阵列图案,形成多个相间分布的所述辅助金属层3'。因为立体电极6'的尺寸的最小尺寸可达到纳米级别,因此采用所述电子束光刻方法可直接制作所需图案,能够保证所述辅助金属层3'的精度,形成超精细图案,为后续立体电极的制备做准备。所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层3'的步骤具体包括:
[0095]
S301:在所述氧化硅薄膜2'上覆盖一层金属层;
[0096]
S302:在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶;
[0097]
S303:采用电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光;
[0098]
S304:对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影;以及
[0099]
S305:剥离所述电子束光刻胶,形成有所述辅助金属层3'。
[0100]
在所述氧化硅薄膜2'上形成一层金属层,所述金属层的材料可选择铜或银等金属催化剂,作为金属辅助使用,所述金属层的高度应小于所述多晶硅薄膜的高度。通过旋转、喷涂、滴涂、丝网印刷等方法,在所述金属层上形成电子束光刻胶,所述电子束光刻胶的材质可以是PMMA(Polymethyl methacrylate,有机玻璃)等。之后,通过电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光,所述电子束曝光系统可选择高斯扫描系统、成型电子束扫描系统等现有电子束曝光系统。同时,所述电子束曝光系统需采用合适的曝光剂量。之后,采用显影液对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影,形成电子束光刻胶图形。最后,对保留的所述电子束光刻胶进行剥离,形成多个所述辅助金属层3'。
[0101]
S40:将所述基板1'浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,形成有多个相间分布的氧化硅立体基底4';
[0102]
因二氧化硅与多晶硅的性质存在差异,因此本实施例二中经过刻蚀处理得到的阵列图案与实施例一中经过刻蚀处理得到的阵列图案存在差异。
[0103]
将所述基板1'浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,由于二氧化硅材料在进行垂直方向刻蚀的同时可以进行水平方向的刻蚀,且在垂直方向的刻蚀速度与水平方向的刻蚀速度不同,因此,所述刻蚀液可将位于所述辅助金属层3'下方及两侧的氧化硅薄膜2'刻蚀掉,形成多个相间分布的氧化硅立体基底4',因此,所述氧化硅立体基底4'的截面形状呈梯形。所述氧化硅立体基底4'的宽度与所述辅助金属层3'的宽度有关。所述刻蚀液可以选取一定浓度的HF/AgNO3、HF/H2O2/IPA等溶液,在10℃~100℃的温度条件下,根据所需制作的立体电极6'的形状,来进行调整所述刻蚀液的浓度及刻蚀时间的长短。若所需制作的立体电极6'的高度较高,则可适当增加所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间;若所需制作的立体电6'极的高度较低,则可适当减小所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间。通常将刻蚀时间控制在1min~60min内。
[0104]
S50:将经过刻蚀处理后的所述基板1进行清洗处理;
[0105]
将所述基板1进行清洗处理,该处理采用水洗即可满足要求,可将残余的所述刻蚀液及被刻蚀的二氧化硅清除,所述辅助金属层3'掉落在相邻两个所述氧化硅立体基底4'与所述氧化硅薄膜2'之间形成的凹槽内。
[0106]
S60:在所述氧化硅阵列图案4'表面沉积一层ITO导电层5',得到立体电极6'。
[0107]
在所述氧化硅立体基底6'表面沉积一层ITO导电层5',同时,也可将位于相邻两个所述氧化硅立体基底6'与所述氧化硅薄膜2'之间形成的凹槽内的所述辅助金属层3'表面沉积一层ITO导电层5'。得到立体电极6',所述立体电极6'的截面形状呈梯形。
[0108]
参考图6,根据本揭示实施例二中提供的一种蓝相液晶显示面板100'的制作方法,包括以下步骤:
[0109]
S1:提供上基板7'和下基板1';
[0110]
S2:采用本揭示实施例二中所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,在所述上基板7'和/或所述下基板1'的内表面分别形成所述立体电极9'与所述立体电极6';
[0111]
S3:在所述上基板7'和所述下基板1'之间填充多个蓝相液晶分子8;以及
[0112]
S4:将所述上基板7'和所述下基板1'结合,保证两者的内表面相互面对,形成所述蓝相液晶显示面板100'。
[0113]
该蓝相液晶面板100'包括上基板7'、下基板1'、氧化硅薄膜2',位于所述上基板7'内表面的立体电极9'、下基板1'内表面的立体电极6',以及位于所述上基板7'与下基板1'之间的多个蓝相液晶分子8。所述立体电极9'与立体电极6'的截面形状为梯形,所述立体电极9'与所述立体电极6'间隔排列。由于所述多个蓝相液晶分子8分布在所述立体电极9'与所述立体电极6'之间,相比于平面电极,具有所述立体电极9'与所述立体电极6'的所述蓝相液晶显示面板100'的电场线分布更为密集且基本在水平方向平行分布,所述蓝相液晶分子8的轴向方向与所述蓝相液晶显示面板100'的电场线位于同一方向,因此,在相同电压条件下其场强更大,因此可大幅度降低所述蓝相液晶显示面板100'的驱动电压。
[0114]
本揭示通过提供的一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法,通过使用金属辅助法在基板上制作不同刻蚀模板多晶硅(氧化硅)的立体化图案,在此基础上沉积ITO导电层,以及通过控制刻蚀液的浓度和刻蚀时间,来得到不同宽度/高度比和不同形状的立体电极,具有可调性,满足了不同的电极设计需求,能够降低蓝相液晶显示面板的驱动电压。
[0115]
综上所述,虽然本揭示已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本揭示,本领域的普通技术人员,在不脱离本揭示的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为准。

权利要求书

[权利要求 1]
一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,包括以下步骤: S10:提供一基板; S20:在所述基板表面沉积形成一层薄膜,所述薄膜的材料为多晶硅或氧化硅,所述薄膜的高度为100nm~5um; S30:在所述薄膜表面制作阵列图案,形成有多个相间分布的辅助金属层; S40:将所述基板浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,形成多个相间分布的立体基底; S50:将经过刻蚀处理后的所述基板进行清洗处理;以及 S60:在所述立体基底表面沉积一层ITO导电层,得到立体电极。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中采用低压力化学气相沉积方法在所述基板表面形成所述薄膜。
[权利要求 3]
根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层。
[权利要求 4]
根据权利要求3所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层的步骤包括: S301:在所述薄膜上覆盖一层金属层,所述金属层的高度小于所述薄膜的高度; S302:在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶; S303:采用电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光; S304:对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影;以及 S305:剥离所述电子束光刻胶,形成所述辅助金属层。
[权利要求 5]
根据权利要求4所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述电子束光刻胶的材质为有机玻璃。
[权利要求 6]
根据权利要求4所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述辅助金属层的材料为铜或银。
[权利要求 7]
根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述立体电极的截面形状为矩形或梯形。
[权利要求 8]
根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中通过调整所述刻蚀液的浓度与刻蚀时间来调整所述电极的宽度,以改变所述立体电极的截面形状。
[权利要求 9]
根据权利要求8所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述刻蚀时间控制在1分钟~60分钟内。
[权利要求 10]
一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,包括以下步骤: S10:提供一基板; S20:在所述基板表面沉积形成一层薄膜; S30:在所述薄膜表面制作阵列图案,形成有多个相间分布的辅助金属层; S40:将所述基板浸入刻蚀液中进行刻蚀处理,形成多个相间分布的立体基底; S50:将经过刻蚀处理后的所述基板进行清洗处理;以及 S60:在所述立体基底表面沉积一层ITO导电层,得到立体电极。
[权利要求 11]
根据权利要求10所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述薄膜的材料为多晶硅或氧化硅。
[权利要求 12]
根据权利要求10所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述薄膜的高度为100nm~5um。
[权利要求 13]
根据权利要求12所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中采用低压力化学气相沉积方法在所述基板表面形成所述薄膜。
[权利要求 14]
根据权利要求10所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层。
[权利要求 15]
根据权利要求14所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层的步骤包括: S301:在所述薄膜上覆盖一层金属层; S302:在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶; S303:采用电子束曝光系统,对所述电子束光刻胶进行曝光; S304:对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影;以及 S305:剥离所述电子束光刻胶,形成所述辅助金属层。
[权利要求 16]
根据权利要求14所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述电子束光刻胶的材质为有机玻璃。
[权利要求 17]
根据权利要求14所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述辅助金属层的材料为铜或银。
[权利要求 18]
根据权利要求10所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中所述立体电极的截面形状为矩形或梯形。
[权利要求 19]
根据权利要求10所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,其中通过调整所述刻蚀液的浓度与刻蚀时间来调整所述电极的宽度,以改变所述立体电极的截面形状。
[权利要求 20]
一种蓝相液晶面板的制作方法,包括以下步骤: S1:提供上基板和下基板; S2:采用如权利要求10中的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法,在所述上基板和/或所述下基板的内表面分别形成多个所述立体电极; S3:在所述上基板和所述下基板之间填充多个蓝相液晶分子;以及 S4:将所述上基板和所述下基板结合,保证两者的内表面相互面对。

附图