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1. JP2010533719 - 還元的アミノ化によるN-アルキル化オピエートの調製

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第3部門第2区分 2010043 20110616A16333全文3

Claims

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   A1633000133 0013   A1633000143 0014   A1633000273 0027   A1633000283 0028   A1633000373 0037   A1633000383 0038   A1633000393 0039   A1633000732A1633000742
第3部門第2区分 2010043 20110616A16333全文3

Claims

[1]
下記の式を有するN−アルキル化モルフィナン(II)を調製するプロセスであって、
[Chem. 19]


該プロセスが、ルテニウム不斉触媒、ロジウム不斉触媒、もしくはイリジウム不斉触媒および水素源の存在下でN−イミンモルフィナンまたはヘミアミナールモルフィナンを還元する工程を含み、該N−イミンモルフィナンまたはヘミアミナールモルフィナン(I)が、以下の式を有し、
[Chem. 20]


式中、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロ、または−OR 111であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロ、または−OR 211であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 311であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 611であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 711であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 811であり、
14は、水素またはヒドロキシであり、
111は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
211は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
311は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
611は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
711は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
811は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
は、>NCH(OH)(R )または>N =CH(R )であり、
は、>NCH (R )であり、
は、水素、アシル、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または複素環である、プロセス。
[2]
前記触媒が、
(a)ジクロロ(アレーン)Ru(II)二量体、ジクロロ(ペンタメチルシクロペンタジエニル)Rh(II)二量体、BINAP−Ru(II)ジアセテート、BINAP−Ru(II)ジクロリド、BINAP−Ru(II)ジブロミド、BINAP−Ru(II)ジヨージド、[RuCl((RまたはS)BINAP)(C )]Cl、またはジクロロ(ペンタメチルシクロペンタジエニル)イリジウム(III)二量体
(b)窒素、酸素またはリン供与原子を介して前記ルテニウム、ロジウムまたはイリジウム錯体によって錯体化された二座のキラル配位子;
(c)野依触媒;および
(d)以下から成る群から選択される触媒であって、
[Chem. 22]


式中、Arはアリールである、触媒;
から選択される、請求項 1に記載のプロセス。
[3]
(a)または(b)の前記触媒が、式(670)、式(680)、式(690)、または式(700)を有するキラル配位子を含み、
[Chem. 21]


式中、R 671、R 672、R 673、R 681、R 691、R 692、R 701、およびR 702が、独立して、アルキルまたはアリールであり、R 691およびR 692並びにそれらが結合している炭素原子が、必要に応じて、環式化合物または二環式化合物を形成していてもよい、請求項 に記載のプロセス。
[4]
前記水素源が、イソプロパノール、ギ酸、ギ酸の有機塩もしくは無機塩、またはそれらの組み合わせである、請求項 1〜3のいずれか1項に記載のプロセス。
[5]
前記 プロセスが、ニトリル、テトラヒドロフラン (THF)、アルコール、ハロ カーボン、ジメチルホルムアミド (DMF)、ジメチルアセトアミド (DMAc)、N−メチルピロリジノン (NMP)、酢酸アルキル、トルエン 、またはそれらの組み合わせ から成る群から選択される溶媒中で実施される、請求項 1〜4のいずれか1項に記載のプロセス。
[6]
が、水素または−OR 111であり、
111が、水素、アルキル、アシル、アルカリール、アリール、またはヒドロキシル保護基であ り、
が、水素または−OR 211 であり、
211 が、水素、アルキル、アシル、アルカリール、アリール、またはヒドロキシ保護基であり、
が、水素または−OR 311 であり、
311 が、水素、アルキル、アシル、アルカリール、アリール、またはヒドロキシ保護基であり、
が、水素、あるいは置換もしくは非置換のC 1〜8 アルキル、C 2〜8 アルケニル、フェニル、または−OR 611 であり、そして
611 が、C 1〜8 アルキル、C 2〜8 アルケニル、水素、またはヒドロキシ保護基である、請求項1〜 のいずれか1項に記載のプロセス。
[7]
が水素であり、
が水素であり、
が−OR 311であり、
311が水素またはC 1〜8アルキルであ り、
が、>NCH(OH)(R )または>N =CH(R )であり、そして
が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、シクロブチル、ペンチル、又はシクロペンチルである
請求項1〜 のいずれか1項に記載のプロセス。
[8]
前記N−アルキル化モルフィナン(II)が、下記の式のブプレノルフィン
[Chem. 23]


である、請求項1に記載のプロセス。
[9]
前記プロセスが、約20℃〜約40℃の温度範囲で実施される、請求項1〜 のいずれか1項に記載のプロセス。
[10]
前記ヘミアミナールモルフィナン(I)が、下記の式を有するノル−モルフィナン(X)から調製され、
[Chem. 24]


前記プロセスが、前記ノル−モルフィナン(X)と式CH(O)R のアルデヒドとを溶媒中において反応させて、下記の式を有するヘミアミナールモルフィナン(I)を形成させる工程を含み、
[Chem. 25]


式中、
が>NCH(OH)(R )であり、
が、ヒドロカルビル、アシル、置換ヒドロカルビル、または複素環である、
請求項1に記載のプロセス。
[11]
前記ヘミアミナールモルフィナンが、対応する前記N−イミンモルフィナンと平衡状態にあり、該ヘミアミナールが、Z に対して>NCH(OH)(R )部分を有し、該N−イミンモルフィナンが、Z に対して>N =CH(R )部分を有する、請求項 10に記載のプロセス。
[12]
が−OR 311であり、
311が水素であ り、
が−OR 611 であり、
611 がメチルであり、
が置換アルキルまたは3,3−ジメチルブタン−2−オールであり、そして
がシクロプロピルである、請求項 11に記載のプロセス。
[13]
前記反応が、およそ室温で生じ 、前記溶媒がアセトニトリルである、請求項 11または12に記載のプロセス。
[14]
前記ノル−モルフィナン(X)がノル−ブプレノルフィンである、請求項 1113のいずれか1項に記載のプロセス。
[15]
前記ヘミアミナールモルフィナン(I)が、下記の式(XI)を有する6−ケト−ノル−モルフィナンを、エチレングリコールおよび酸と反応させて、
[Chem. 26]


以下の式(XII)を有する6−ケタールノル−モルフィナンを形成することによって調製される、
[Chem. 27]


請求項1に記載のプロセス。
[16]
前記酸がメタンスルホン酸である、請求項 15に記載のプロセス。
[17]
前記6−ケト−ノル−モルフィナン(XI)がノルオキシモルホンであり、前記6−ケタールノル−モルフィナン(XII)が6−ケタールノルオキシモルホンである、請求項 15または請求項16に記載のプロセス。
[18]
前記6−ケタールノル−モルフィナン(XII)が、さらに、溶媒中で式CH(O)R のアルデヒドと反応して、下記の式を有する前記ヘミアミナールモルフィナン(I)を形成し、
[Chem. 28]


式中、
は、>NCH(OH)(R )であり、
は、ヒドロカルビル、アシル、置換ヒドロカルビル、または複素環である、請求項 1517のいずれか1項に記載のプロセス。
[19]
前記ヘミアミナールモルフィナンが、対応する前記N−イミンモルフィナンと平衡状態にあり、該ヘミアミナールモルフィナンが、Z に対して>NCH(OH)(R )部分を有し、該N−イミンモルフィナンがZ に対して>N =CH(R )部分を有する、請求項 18に記載のプロセス。
[20]
が−OR 311であり、
311が水素であ り、
がシクロプロピルであり、
前記反応が、およそ室温で生じ、そして
前記溶媒がアセトニトリルである、請求項 19に記載のプロセス。
A1633000133
[0013]
他の目的および特徴は、一部については明らかであり、一部については本明細書の以下において指摘する。
本発明の好ましい実施形態では、例えば以下が提供される:
(項目1)
下記の式を有するN−アルキル化モルフィナン(II)を調製するプロセスであって、
[Chem. 19]



該プロセスが、ルテニウム不斉触媒、ロジウム不斉触媒、もしくはイリジウム不斉触媒および水素源の存在下でN−イミンモルフィナンまたはヘミアミナールモルフィナンを還元する工程を含み、該N−イミンモルフィナンまたはヘミアミナールモルフィナン(I)が、以下の式を有し、
[Chem. 20]



式中、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロ、または−OR 111 であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロ、または−OR 211 であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 311 であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 611 であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 711 であり、
は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または−OR 811 であり、
14 は、水素またはヒドロキシであり、
111 は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
211 は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
311 は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
611 は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
711 は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
811 は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、またはヒドロキシ保護基であり、
は、>NCH(OH)(R )または>N =CH(R )であり、
は、>NCH (R )であり、
は、水素、アシル、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または複素環である、プロセス。
(項目2)
前記触媒が、ルテニウム錯体またはロジウム錯体を含む、項目1に記載のプロセス。
(項目3)
前記触媒が、ジクロロ(アレーン)Ru(II)二量体、ジクロロ(ペンタメチルシクロペンタジエニル)Rh(II)二量体、BINAP−Ru(II)ジアセテート、BINAP−Ru(II)ジクロリド、BINAP−Ru(II)ジブロミド、BINAP−Ru(II)ジヨージド、[RuCl((RまたはS)BINAP)(C )]Cl、またはジクロロ(ペンタメチルシクロペンタジエニル)イリジウム(III)二量体を含む、項目1または項目2に記載のプロセス。
(項目4)
前記触媒が、窒素、酸素またはリン供与原子を介して前記ルテニウム、ロジウムまたはイリジウム錯体によって錯体化された二座のキラル配位子を含む、項目1〜3のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目5)
前記触媒が、式(670)、式(680)、式(690)、または式(700)を有するキラル配位子を含み、
[Chem. 21]



式中、R 671 、R 672 、R 673 、R 681 、R 691 、R 692 、R 701 、およびR 702 が、独立して、アルキルまたはアリールであり、R 691 およびR 692 並びにそれらが結合している炭素原子が、必要に応じて、環式化合物または二環式化合物を形成していてもよい、項目1〜4のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目6)
前記配位子が前記式(670)を有し、R 672 およびR 673 がフェニルであり、R 671 がアリールである、項目5に記載の方法。
(項目7)
671 が、トリル、メシチル、またはナフチルである、項目6に記載のプロセス。
(項目8)
前記配位子が前記式(680)を有し、R 681 が、トリル、メシチル、2,4,6−トリイソプロピルフェニル、またはナフチルである、項目5に記載のプロセス。
(項目9)
前記配位子が前記式(700)を有し、R 701 およびR 702 が水素である、項目5に記載のプロセス。
(項目10)
前記配位子が、(1S,2S)−(+)−N−4−トルエンスルホニル−1,2−ジフェニルエチレン−1,2−ジアミン、(1R,2R)−(−)−N−4−トルエンスルホニル−1,2−ジフェニルエチレン−1,2−ジアミン、dl−N−トシル−1,2−ジフェニルエチレンジアミン、N−トシル−1,2−ジフェニルエチレンジアミン、N−トシル−1,2−エチレンジアミン、またはN−トシル−1,2−ジアミノシクロヘキサンである、項目4〜5のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目11)
前記触媒が、以下の式から成る群から選択され、
[Chem. 22]



式中、Arはアリールである、項目1〜4のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目12)
前記触媒が野依触媒である、項目1〜4のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目13)
前記水素源がプロトン性化合物を含む、項目1〜12のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目14)
前記水素源が、イソプロパノール、ギ酸、ギ酸の有機塩もしくは無機塩、またはそれらの組み合わせである、項目13に記載のプロセス。
(項目15)
前記水素源が、ギ酸およびトリエチルアミンの混合物である、項目13または項目14に記載のプロセス。
(項目16)
ギ酸とトリエチルアミンとの比率が約5:2である、項目15に記載のプロセス。
(項目17)
前記プロセスが非プロトン性の極性溶媒中で実施される、項目1〜16のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目18)
前記溶媒が、ニトリル、テトラヒドロフラン、アルコール、ハロカーボン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリジノン、酢酸アルキル、トルエン、水、またはそれらの組み合わせである、項目17に記載のプロセス。
(項目19)
前記溶媒が、メタノール、アセトニトリル、酢酸エチル、酢酸プロピル、またはそれらの組み合わせである、項目18に記載のプロセス。
(項目20)
が、水素または−OR 111 であり、R 111 が、水素、アルキル、アシル、アルカリール、アリール、またはヒドロキシル保護基である、項目1〜19のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目21)
が、水素または−OR 211 であり、R 211 が、水素、アルキル、アシル、アルカリール、アリール、またはヒドロキシ保護基である、項目1〜20のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目22)
が、水素または−OR 311 であり、R 311 が、水素、アルキル、アシル、アルカリール、アリール、またはヒドロキシ保護基である、項目1〜21のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目23)
311 が、水素またはアルキルである、項目22に記載のプロセス。
(項目24)
が、水素、あるいは置換もしくは非置換のC 1〜8 アルキル、C 2〜8 アルケニル、フェニル、または−OR 611 であり、R 611 が、C 1〜8 アルキル、C 2〜8 アルケニル、水素、またはヒドロキシ保護基である、項目1〜23のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目25)
が−OR 611 であり、R 611 が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、シクロブチル、水素、またはヒドロキシ保護基である、項目24に記載のプロセス。
(項目26)
611 が、メチル、エチル、水素、またはヒドロキシ保護基である、項目25に記載のプロセス。
(項目27)
611 が、水素またはヒドロキシル保護基である、項目26に記載のプロセス。
(項目28)
が水素であり、
が水素であり、
が−OR 311 であり、
311 が水素またはC 1〜8 アルキルである、
項目1〜27のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目29)
が−OR 611 であり、R 611 が、水素、メチル、またはヒドロキシル保護基である、項目1〜28のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目30)
が水素である、項目1〜29のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目31)
が、水素または3,3−ジメチルブタン−2−オールである、項目1〜30のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目32)
が、>NCH(OH)(R )または>N =CH(R )であり、R が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、シクロブチル、ペンチル、又はシクロペンチルである、項目1〜31のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目33)
が、>NCH(OH)(R )または>N =CH(R )であり、R がシクロプロピル又はシクロブチルである、項目1〜32のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目34)
前記N−アルキル化モルフィナン(II)が、下記の式のブプレノルフィン
[Chem. 23]



である、項目1に記載のプロセス。
(項目35)
前記プロセスが、約0℃〜約120℃の温度範囲で実施される、項目1〜34のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目36)
前記プロセスが、約20℃〜約40℃の温度範囲で実施される、項目1〜35のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目37)
前記ヘミアミナールモルフィナン(I)が、下記の式を有するノル−モルフィナン(X)から調製され、
[Chem. 24]



前記プロセスが、前記ノル−モルフィナン(X)と式CH(O)R のアルデヒドとを溶媒中において反応させて、下記の式を有するヘミアミナールモルフィナン(I)を形成させる工程を含み、
[Chem. 25]



式中、
が>NCH(OH)(R )であり、
が、ヒドロカルビル、アシル、置換ヒドロカルビル、または複素環である、
項目1に記載のプロセス。
(項目38)
前記ヘミアミナールモルフィナンが、対応する前記N−イミンモルフィナンと平衡状態にあり、該ヘミアミナールが、Z に対して>NCH(OH)(R )部分を有し、該N−イミンモルフィナンが、Z に対して>N =CH(R )部分を有する、項目37に記載のプロセス。
(項目39)
が−OR 311 であり、R 311 が水素である、項目37または項目38に記載のプロセス。
(項目40)
が−OR 611 であり、R 611 がメチルである、項目37〜39のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目41)
が置換アルキルである、項目37〜40のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目42)
が、3,3−ジメチルブタン−2−オールである、項目37〜41のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目43)
がシクロプロピルである、項目37〜42のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目44)
前記反応が、およそ室温で生じる、項目37〜43のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目45)
前記溶媒がアセトニトリルである、項目37〜44のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目46)
前記ノル−モルフィナン(X)がノル−ブプレノルフィンである、項目37〜45のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目47)
前記ヘミアミナールモルフィナン(I)が、下記の式(XI)を有する6−ケト−ノル−モルフィナンを、エチレングリコールおよび酸と反応させて、
[Chem. 26]



以下の式(XII)を有する6−ケタールノル−モルフィナンを形成することによって調製される、
[Chem. 27]



項目1に記載のプロセス。
(項目48)
前記酸がメタンスルホン酸である、項目47に記載のプロセス。
(項目49)
前記反応が、およそ室温で生じる、項目47または項目48に記載のプロセス。
(項目50)
前記6−ケト−ノル−モルフィナン(XI)がノルオキシモルホンであり、前記6−ケタールノル−モルフィナン(XII)が6−ケタールノルオキシモルホンである、項目47〜49のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目51)
前記6−ケタールノル−モルフィナン(XII)が、さらに、溶媒中で式CH(O)R のアルデヒドと反応して、下記の式を有する前記ヘミアミナールモルフィナン(I)を形成し、
[Chem. 28]



式中、
は、>NCH(OH)(R )であり、
は、ヒドロカルビル、アシル、置換ヒドロカルビル、または複素環である、項目47〜50のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目52)
前記ヘミアミナールモルフィナンが、対応する前記N−イミンモルフィナンと平衡状態にあり、該ヘミアミナールモルフィナンが、Z に対して>NCH(OH)(R )部分を有し、該N−イミンモルフィナンがZ に対して>N =CH(R )部分を有する、項目51に記載のプロセス。
(項目53)
が−OR 311 であり、R 311 が水素である、項目51または項目52に記載のプロセス。
(項目54)
がシクロプロピルである、項目51〜53のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目55)
前記反応が、およそ室温で生じる、項目51〜54のいずれか1項に記載のプロセス。
(項目56)
前記溶媒がアセトニトリルである、項目51〜55のいずれか1項に記載のプロセス。
A1633000143
[0014]
(発明の詳細な説明)
本発明は、N−アルキル化モルフィナン、それらの塩、中間体、および類似体の調製のための改善された合成方法を対象とする。本発明の一態様において、当該合成方法は、ルテニウム不斉 均一触媒、ロジウム不斉 均一触媒、もしくはイリジウム不斉 均一触媒および水素源を用いて、モルフィナンのN−イミン部分またはヘミアミナール部分(本明細書において、一括して「N−イミン/ヘミアミナールモルフィナン」と呼ぶ場合もある)を対応するアルキル基に還元する。
A1633000273
[0027]
例示的モルフィナン(II)生成物としては、以下のブプレノルフィン、6−ケタールナルトレキソン 、ナルメフェン、ナルブフィン、およびジプレノルフィンが挙げられる。
A1633000283
[0028]
[Chem. 6]


ルテニウム不斉触媒、ロジウム不斉触媒、またはイリジウム不斉触媒
一般的に、本発明のルテニウム不斉触媒、ロジウム不斉触媒、またはイリジウム不斉触媒は、ヘミアミナール(Z =>NCH(OH)(R ))部分および/またはイミン(Z =>N =CH)(R ))部分の還元を促進する。一般的に、これらの不斉触媒は、(a)ルテニウム錯体、ロジウム錯体、イリジウム錯体、またはそれらの組み合わせからなる金属源、並びに(b)1つ以上のキラル配位子、を含む。通常、金属とキラル配位子の比率は、約1:1である。一例において、当該金属源は、ルテニウム錯体またはロジウム錯体である。別の実施例において、当該金属源は、ジクロロ(アレーン)Ru(II)二量体、ジクロロ(ペンタメチルシクロペンタジエニル)Rh(II)二量体、BINAP−Ru(II)ジアセテート、BINAP−Ru(II)ジクロリド、BINAP−Ru(II)ジブロミド、BINAP−Ru(II)ジヨージド、[RuCl((RまたはS)BINAP)(C )]Cl、またはジクロロ(ペンタメチルシクロペンタジエニル)イリジウム(III)二量体である。
A1633000373
[0037]
水素源
プロセスの水素源は、当業者に既知の任意の水素源である。水素化の 方法としては、インサイチューでの水素移動および高圧水素化が挙げられる。一例において、当該水素源は水素ガスである。しかしながら、この供給源を使用して還元を達成するためには、特別な反応器が必要である。 調製規模において、これは、安全面での問題を提起 し得る。水素ガスの代替案は、水素移動法によりインサイチューで水素を生成する方法である。インサイチューで水素源を生成することにより、標準的な水素化の圧力(ときには、50atmのH の場合もある)が回避され、それにより、より安全な調製環境が可能になる。さらに、これらの反応は、非常に穏和な傾向にある。例えば、記載された水素移動手法を使用した場合、エステル、アミド、エーテル、アルケン、ヒドロキシルなどの官能基は、当該プロセスを通して損なわれないままである。
A1633000383
[0038]
一般的に、本発明のプロセスのための水素源は 、イソプロパノール、ギ酸、ギ酸の有機塩もしくは無機塩、またはそれらの組み合わせ から選択される。いくつかの例において、少量の塩基を使用して触媒を活性化してもよい。例えば、イソプロパノール中において、活性化剤としてKOHがしばしば使用される。他の例では、トリエチルアミンを使用してもよい。一例において、当該水素源は、ギ酸の有機または無機塩、好ましくは、ギ酸のトリエチルアミン塩を含む。好ましい例において、当該水素源は、ギ酸とトリエチルアミンの約5:2混合物である。
A1633000393
[0039]
溶媒
通常、本発明のプロセスのための溶媒は 、ニトリル(例えば、アセトニトリル、プロピオンニトリル)、テトラヒドロフラン(THF)、アルコール(例えば、メタノール、エタノールなど)、ハロ カーボン(例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、またはテトラクロロエチレンなどのクロロアルキル)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、N−メチルピロリジノン(NMP)、酢酸アルキル(例えば、酢酸エチルまたは酢酸プロピル)、トルエン 、またはそれらの組み合わせ から選択される。より限定的な例において、当該溶媒は、アセトニトリル、DMAc、あるいはアセトニトリルおよびメタノールの組み合わせである。
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