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1. WO2020134202 - PREPARATION METHOD FOR QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ ZH ]
权利要求书

[权利要求 1] 量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供基板,将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中,在所述基板 表面打印量子点墨水,制备量子点发光层。

[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述活性气体选自饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、酯类、有机碱中的一 种或两种以上的组合。

[权利要求 3] 根据权利要求 2所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述饱和脂肪酸选自丁酸、辛酸、月桂酸、硬脂酸。

[权利要求 4] 根据权利要求 2所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述不饱和脂肪酸选自丙烯酸、丁烯酸、甲基丙烯酸、 3 -戊烯酸。

[权利要求 5] 根据权利要求 2所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述酯类选自甲基丙烯酸甲酯、丁烯酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸甲酯

[权利要求 6] 根据权利要求 2所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述有机碱选自乙醇胺、四甲基氢氧化铵、苯胺、三乙醇胺。

[权利要求 7] 根据权利要求 1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的 0.01 %-20%。

[权利要求 8] 根据权利要求 1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的 0.01 %- 15%。

[权利要求 9] 根据权利要求 8所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的 0.1 %-3%。

[权利要求 10] 根据权利要求 1至 9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特 征在于,所述活性气体选自饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、酯类、有机 碱中两种以上的组合。

[权利要求 11] 根据权利要求 10所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述活性气体选自不饱和脂肪酸中的至少一种与有机碱中的至少一种 组成的混合活性气体。

[权利要求 12] 根据权利要求 1至 9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特 征在于,将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中,在所述基板表 面打印量子点墨水,制备量子点发光层的步骤,在温度为 10°C-80°C 的条件下进行。

[权利要求 13] 根据权利要求 12所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中,在所述基板表面打印量 子点墨水,制备量子点发光层的步骤,在温度为 30°C-50°C的条件下 进行。

[权利要求 14] 根据权利要求 1至 9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特 征在于,所述惰性气氛为氮气气氛、氖气气氛、氩气气氛、氯气气氛 或氮气气氛。

[权利要求 15] 根据权利要求 1至 9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特 征在于,所述基板为阳极基板,在制备量子点发光层之前,还包括在 所述基板的阳极表面制备空穴功能层的步骤。

[权利要求 16] 根据权利要求 15所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述基板为阳极基板,在制备量子点发光层之前,还包括:在所述基 板的阳极表面制备空穴注入层,在所述空穴注入层背离所述阳极的一 侧制备空穴传输层的步骤。

[权利要求 17] 根据权利要求 1至 9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特 征在于,所述基板为阴极基板,在制备量子点发光层之前,还包括在 所述基板的阴极表面制备电子功能层的步骤。

[权利要求 18] 根据权利要求 17所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于, 所述基板为阴极基板,在制备量子点发光层之前,还包括:在所述基 板的阴极表面制备电子注入层,在所述电子注入层背离所述阴极的一 侧制备电子传输层的步骤。