(EN) The present application provides a ferroelectric memory and a storage device, used to improve the integration degree and scaling capability of a memory cell, thereby reducing the area of the ferroelectric memory. The ferroelectric memory comprises at least one basic cell, and the basic cell in the at least one basic cell comprises a plurality of ferroelectric capacitors and a first transistor, wherein the first transistor comprises a first gate electrode, a first channel, and a first source electrode and a first drain electrode located at both ends of the first channel; and one electrodes of the plurality of ferroelectric capacitors are formed on the first gate electrode.
(FR) La présente invention concerne une mémoire ferroélectrique et un dispositif de mémoire, utilisés pour améliorer le degré d'intégration et la capacité de mise à l'échelle d'une cellule de mémoire, ce qui permet de réduire la surface de la mémoire ferroélectrique. La mémoire ferroélectrique comprend au moins une cellule de base, et la cellule de base dans la ou les cellules de base comprend une pluralité de condensateurs ferroélectriques et un premier transistor, le premier transistor comprenant une première électrode de grille, un premier canal et une première électrode de source et une première électrode de drain situées aux deux extrémités du premier canal; et une électrode de la pluralité de condensateurs ferroélectriques est formée sur la première électrode de grille.
(ZH) 本申请提供一种铁电存储器及存储设备，用于提高存储单元的集成度和微缩能力，进而减小该铁电存储器的面积。所述铁电存储器包括至少一个基本单元，所述至少一个基本单元中的基本单元包括多个铁电电容和第一晶体管；其中，所述第一晶体管包括第一栅极、第一沟道、以及位于所述第一沟道两端的第一源极和第一漏极，所述多个铁电电容的一极均形成于所述第一栅极上。
