(EN) Disclosed herein is a structure comprising: a gate electrode, a dielectric layer, and a planar layer of a topological material being separated from the gate electrode by at least the dielectric layer, and having a contact interface with the dielectric layer to generate an electric field-controlled Rashba spin-orbit interaction on application of an electric field thereto, wherein the topological material exhibits a topological phase transition between a trivial state and a non-trivial state at a critical electric field strength on application of the electric field, wherein the gate electrode is configured to apply the electric field across the planar layer in a direction perpendicular to a plane of the planar layer; and wherein the topological material exhibits a change in bandgap, in the presence of the electric field, having a spin-dependent contribution represented by a proportionality constant αR and a non-spin-dependent contribution represented by a proportionality constant αv; and wherein αR > αv/3.
(FR) Est divulguée ici, une structure comprenant : une électrode de grille, une couche diélectrique et une couche plane d'un matériau topologique qui est séparée de l'électrode de grille par au moins la couche diélectrique, et présentant une interface de contact avec la couche diélectrique pour générer une interaction spin-orbite Rashba commandée par champ électrique lors de l'application d'un champ électrique à cette dernière, le matériau topologique présentant une transition de phase topologique entre un état trivial et un état non trivial à une intensité de champ électrique critique lors de l'application du champ électrique, l'électrode de grille étant configurée pour appliquer le champ électrique à travers la couche plane dans une direction perpendiculaire à un plan de la couche plane ; et le matériau topologique présentant un changement de bande interdite, en présence du champ électrique, présentant une contribution dépendant du spin représentée par une constante de proportionnalité αR et une contribution non dépendante du spin représentée par une constante de proportionnalité αv ; et αR > αv/3.