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1. WO2020133059 - FUNCTIONAL DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR


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INTERNATIONAL SEARCH REPORT (ISR)
Part 1:  1  2  3  4  5  6          Part 2:  A  B  C  D  E 
国际申请号 申请人或代理人的档案号
PCT/CN2018/124342 PCT19616RY
国际申请日 (年/月/日) (最早的)优先权日 (年/月/日)
2018年 12月 27日
申请人
深圳市柔宇科技有限公司
关于后续行为: 见PCT/ISA/220表和 适用时,见下面第5项
按照条约第18条,本国际检索报告由本国际检索单位做出并送交申请人。报告副本送交国际局。
它还附有本报告所引用的各现有技术文件的副本。
1. 报告的基础
a. 关于语言,进行国际检索基于:
国际申请提交时使用的语言。
该国际申请的                                          语言译文,为了国际检索的目的提供该种语言的译文(细则12.3(a)和23.1(b))。
b.
本国际检索报告考虑了本单位许可或被通知的根据细则91所做出的明显错误更正(细则43.6之二(a))。
c.
关于国际申请中所公开的任何核苷酸和/或氨基酸序列,国际检索是基于下列序列表进行的:
2. 某些权利要求被认为是不能检索的
3. 缺乏发明的单一性
4. 发明名称
同意申请人提出的发明名称。
发明名称由本单位确定如下:
5. 摘要
同意申请人提出的摘要。
根据细则38.2(b),摘要由本单位制定,如第IV栏中所示。自本国际检索报告发文日起一个月内,申请人可以向本单位提出意见。

一种功能器件的制造方法及功能器件,所述方法包括:提供衬底基板(110)(S110);形成第一非晶态半导体层(130)(S120);沉积第一绝缘层(140)在第一非晶态半导体层(130)上(S130);在第一绝缘层(140)上形成第一开口(141)以使第一非晶态半导体层(130)部分裸露(S140);沉积金属催化层(160),并且所述金属催化层(160)沉积到第一开口(141)中且与第一非晶态半导体层(130)接触(S150);进行退火结晶处理,以使所述第一非晶态半导体层(130)通过金属催化结晶为第一多晶态半导体层(230)(S160);对所述金属催化层(160)处理以形成功能金属层(161)(S170);制备其他膜层以形成功能器件(S180)。该方法具有可简化制程、减少步骤、降低成本的优点。


6. 附图
a.
随摘要一起公布的附图是:     1    
按照申请人建议的。
由本单位选择的,因为申请人没有建议一幅图。
由本单位选择的,因为该图能更好地表示发明的特征。
b.
没有与摘要一起公布的附图

A. 主题的分类

按照国际专利分类(IPC)或者同时按照国家分类和IPC两种分类

B. 检索领域

检索的最低限度文献(标明分类系统和分类号):
     H01L
包含在检索领域中的除最低限度文献以外的检索文献:
在国际检索时查阅的电子数据库(数据库的名称,和使用的检索词(如使用)):
CNPAT,CNKI,WPI,EPODOC,IEEE:功能器件,TFT,薄膜晶体管,CMOS,PMOS,NMOS,非晶,金属催化,结晶,晶化,孔,槽,开口,诱导,接触,amorphous, catalyze, crystallization, bore, hole, groove, trench, opening, induce, contact

C. 相关文件

类 型* 引用文件,必要时,指明相关段落 相关的权利要求
(1)
X
CN 1431711 A (三星SDI株式会社) 2003年 7月 23日 (2003-07-23)
1-24
说明书第3页第21行至第6页第12行,附图1A-2D
(2)
X
US 2004110329 A1 (JOO, SEUNG KI) 2004年 6月 10日 (2004-06-10)
1-24
说明书第[0034]-[0039]段,附图3A-4
(3)
A
CN 101041413 A (株式会社半导体能源研究所) 2007年 9月 26日 (2007-09-26)
1-24
全文
(4)
A
CN 105990138 A (中芯国际集成电路制造上海有限公司) 2016年 10月 5日 (2016-10-05)
1-24
全文
(5)
A
US 2005110022 A1 (KIM, HOON等) 2005年 5月 26日 (2005-05-26)
1-24
全文
*
引用文件的具体类型:
"A"
认为不特别相关的表示了现有技术一般状态的文件
"D"
申请人在国际申请中引证的文件
"E"
在国际申请日的当天或之后公布的在先申请或专利
"L"
可能对优先权要求构成怀疑的文件,或为确定另一篇引用文件的公布日而引用的或者因其他特殊理由而引用的文件(如具体说明的)
"O"
涉及口头公开、使用、展览或其他方式公开的文件
"P"
公布日先于国际申请日但迟于所要求的优先权日的文件
"T"
在申请日或优先权日之后公布,与申请不相抵触,但为了理解发明之理论或原理的在后文件
"X"
特别相关的文件,单独考虑该文件,认定要求保护的发明不是新颖的或不具有创造性
"Y"
特别相关的文件,当该文件与另一篇或者多篇该类文件结合并且这种结合对于本领域技术人员为显而易见时,要求保护的发明不具有创造性
"&"
同族专利的文件

D. 关于同族专利的信息

检索报告引用的专利文件 公布日
(年/月/日)
同族专利 公布日
(年/月/日)
CN 1431711 A
2003年 7月 23日
KR 20030050804 A
US 7211475 B2
KR 100477102 B1
US 2003111691 A1
US 6933526 B2
CN 1222039 C
US 2005095758 A1
2003年 6月 25日
2007年 5月 1日
2005年 3月 17日
2003年 6月 19日
2005年 8月 23日
2005年 10月 5日
2005年 5月 5日
US 2004110329 A1
2004年 6月 10日
KR 100378259 B1
US 2002115242 A1
KR 20020062463 A
2003年 3月 29日
2002年 8月 22日
2002年 7月 26日
CN 101041413 A
2007年 9月 26日
US 8008735 B2
US 9487390 B2
CN 101041413 B
US 2007215963 A1
US 8884384 B2
US 8470695 B2
US 2011297940 A1
EP 1837304 A2
EP 1837304 A3
US 2013285059 A1
US 2015053985 A1
JP 2007283480 A
JP 5095244 B2
2011年 8月 30日
2016年 11月 8日
2011年 12月 14日
2007年 9月 20日
2014年 11月 11日
2013年 6月 25日
2011年 12月 8日
2007年 9月 26日
2012年 4月 18日
2013年 10月 31日
2015年 2月 26日
2007年 11月 1日
2012年 12月 12日
CN 105990138 A
2016年 10月 5日
US 2005110022 A1
2005年 5月 26日
KR 100611224 B1
JP 2005159305 A
CN 1645630 A
JP 4202987 B2
US 7202501 B2
CN 100388508 C
KR 20050049684 A
2006年 8月 9日
2005年 6月 16日
2005年 7月 27日
2008年 12月 24日
2007年 4月 10日
2008年 5月 14日
2005年 5月 27日
ISA/CN的名称和邮寄地址 :
中国国家知识产权局(ISA/CN)
中国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号 100088
传真号 (86-10)62019451
国际检索实际完成的日期:
2019年 8月 31日
国际检索报告邮寄日期:
2019年 9月 30日
受权官员:
黄万国
电话号码 86-10-53961457
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