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1. WO1997023906 - SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

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[ JA ]

請 求の範囲

1 . 第 1、第 2のトランスファゲートトランジスタ及び第

1 . 第 2のドライバトランジスタ及び第 1、第 2の抵抗索子 を有したメモリセルを具備し、 第 1、第 2のトランスファゲ ー トトランジスタと第 1、第 2の抵抗素子を用いてクロス力 ップリングすることによりフリップフロップ構造をなす半導 体記憶装置であって、

半導体基板表面内に形成された前記第 1 のドライバ卜ラン ジスタの拡散領域の埋め込みコンタク開口部に形成され前記 拡散領域と同一導電型の埋め込み拡散領域と、

前記埋め込み拡散領域の表面に接続され前記第 2の ドライ バトラ ンジスタのゲートに接続された多結晶シリコンによる 配線層と,

を具備することを特徴とする。

2 . 前記抵抗索子は 2層目の多結晶シリコンを用いて形成 されていることを特徴とする請求項 1 による半導体記憶装置,

3 . 前記メ モリセルのパターンが点対称であることを特徴 とする請求項 1による半導体記憶装置。

4 . 第 1、第 2のトランスファゲートトランジスタ及び第 1、 第 2のドライバトランジスタ及び第 1、第 2の抵抗素子 を有したメモリセルを具備し、 第 1、第 2のトランスファゲ ー トトランジスタと第 1、第 2の抵抗素子を用いてクロス力 ップリ ングすることによりフリップフロップ構造をなす半導 体記憶装置であつて、

半導体基板表面内に形成された前記第 1の ドライバトラン ジス夕の拡散領域の埋め込みコンタク開口部に形成され前記 拡散領域と同一導電型の埋め込み拡散領域と、

前記埋め込み拡散領域の表面に導体を介して接続され前記 第 2のドライバトランジスタのゲートに接铳された多結晶シ リコンによる配線層と,

を具備することを特徴とする。

5 . 前記抵抗索子は 2層目の多結晶シリ コンを用いて形成 されているこ とを特徴とする請求項 4による半導体記憶装置。

6 . 前記メモリセルのパターンが点対称であることを特徴 とする請求項 4による半導体記憶装置。

7 . 第 1、第 2のトランスファゲートトランジスタ及び第 1、 第 2のドライバトランジス夕及び抵抗負荷として機能す る第 1、第 2の薄膜トランジスタとを有したメモリセルを具 備し、第 1、第 2のトランスファゲートトランジスタと第 1 、 第 2の薄膜 トランジスタを用いてクロスカップリングするこ とによりフ リップフ口ッブ構造をなす半導体記憶装置であつ て、

半導体基板表面内に形成された前記第 1の ドライバトラン ジスタの拡散領域の埋め込みコ ンタク開口部に形成され、前 記拡散領域と同一導電型の埋め込み拡散領域と、

前記埋め込み拡散領域の表面に接続され前記第 2の ドライ ノくトランジスタのゲー卜に接続された多結晶シリコンによる 配線層と,

を具備することを特徴とする。

8 . 前記抵抗索子は 2層目の多結晶シ リコンを用いて形成 されていることを特徴とする請求項 7による半導体記憶装置,

9 . 前記メモリセルのパターンが点対称であることを特徴 とする請求項 7による半導体記憶装置。

1 0 . —対のトランスファゲートトランジスタ及び一対の ドライバトランジスタ及び一対の抵抗素子を有したメモリセ ルを具備し、 一対のトランスファゲートトランジスタと一対 の抵抗素子を用いてク ロスカツプリングすることによりフリ ップフロップ構造をなす半導体記憶装置を製造する方法にお いて、

半導体基板表面内の拡散領域の埋め込みコンタク開口部を 介して不純物イオンを注入し、 前記拡散領域と同一導電型の 埋め込み拡散領域を形成する工程と、

多結晶シリコンによる配線を前記埋め込み拡散領域に接続 させる工程と、

を具備することを特徴とする。

1 1 . 前記抵抗素子は 2層目の多結晶シリコンを用いて形 成されていることを特徴とする請求項 1 0による半導体記憶 装置の製造方法。

1 2 . 前記メモリセルのパターンが点対称であることを特 徴とする請求項 1 0による半導体記憶装置の製造方法。

1 3 . 第 1 、第 2のトランスファゲートトランジスタ及び 第 1、第 2のドライバトランジスタ及び抵抗負荷として機能 する第 1、第 2の薄膜トランジスタとを有したメモリセルを 具備し、第 1、第 2のトランスファゲートトランジスタと第 1、第 2の薄膜トランジスタを用いてクロスカツプリングす ることによりフ リップフロップ構造をなす半導体記憶装置の 製造方法であって、

半導体基板表面内に形成された前記第 1の ドライバトラン ジスタの拡散領域の埋め込みコンタク開口部に、 前記拡散領 域と同一導電型の埋め込み拡散領域を形成する工程と、

前記埋め込み拡散領域の表面に接続され前記第 2の ドライ バ トランジスタのゲートに接続された多結晶シリコンによる 配線層を形成する工程と,

を具備することを特徴とする。

1 4 . 前記抵抗索子は 2層目の多結晶シリコンを用いて形 成されていることを特徴とする請求項 1 3による半導体記憶 装置の製造方法。

1 5 . 前記メモリセルのパ夕一ンが点対称であることを特 徴とする請求項 1 3による半導体記憶装置の製造方法。