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1. (WO2012003821) IONICALLY CONTROLLED THREE-GATE COMPONENT
Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters


P a t e n t a n s p r ü c h e Dreitorbauelement mit einer einer und einem schen die und die geschalteten Kanal aus einem dessen elektronische Leitfähigkeit durch Abführung von Ionen derlich dadurch dass es ein mit einer kontaktiertes Ionenreservoir welches derart in Verbindung mit dem Kanal dass es bei Beaufschlagung der Gate mit nem Potential Ionen mit dem Kanal auszutauschen Dreitorbauelement nach vorhergehendem dadurch dass das Ionenreservoir bei Normbedingungen ein Festkörper Dreitorbauelement nach vorhergehendem dadurch dass das Ionenreservoir mindestens ein Kation oder Anion mit variabler Valenz Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass das Ionenreservoir über einen der elektronisch um mindestens eine ßenordnung schlechter leitet als der mit dem Kanal verbunden Dreitorbauelement nach vorhergehendem dadurch dass die Aktivierungsenergie für den lonentransport durch den lonenleiter von der Richtung des Transports Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 2 dadurch dass der Ionenleiter eine Dicke von 100 Nanometern oder weniger Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 3 dadurch dass das Ionenreservoir zugleich Ionenleiter Dreitorbaulement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der das Ionenreservoir der Kanal jeweils einen elektrolyten Dreitorbauelement nach vorhergehendem dadurch dass der Festkörperelektrolyt ein Material in dem die Aktivierungsenergie für die Diffusion von Sauerstoffionen bei Temperaturen oberhalb 400 weniger als 1 bevorzugt niger als Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der Ionenleiter der Festkörperelektrolyt eine anisotrope Beweglichkeit für Ionen 1 Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der Kanal ein Metalloxid dessen elektronischer Widerstand durch oder Auslagerung von Ionen aus dem Ionenreservoir um mindestens eine Größenordnung änderlich Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass das Ionenreservoir und der Kanal Halbleiter mit gleichgerichteten Dotierungen umfassen und der Ionenleiter einen Halbleiter mit der entgegengesetzten rung Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass das Ionenreservoir und der Kanal Halbleiter mit entgegengesetzten Dotierungen Dreitor bauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der durch den Kanal überbrückte Abstand zwischen der und der Elektrode zwischen 20 nm und 10 μm Drei torbaue lement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der Kanal als dünne Schicht mit einer Dicke zwischen 3 und 50 nm ausgebildet Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass das Ionenreservoir Sauerstoffionen mit dem Kanal auszutauschen Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der das Ionenreservoir der Ionenleiter jeweils entweder eine tallstruktur die sich beim Austausch von Ionen zwischen dem Ionenreservoir und dem Kanal nicht oder amorph Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass das Material des Kanals gegenüber seiner stöchiometrischen Zusammensetzung im Gehalt eines Elements erhöht oder erniedrigt dessen Ionen zwischen dem Kanal und dem Ionenreservoir ausgetauscht werden Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass der Kanal eine leitfähige Grenzschicht zwischen zwei um mindestens eine ordnung schlechter leitenden Materialien Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden dadurch dass mindestens ein Abschnitt des Kanals eine Sprungtemperatur unterhalb der er supraleitend Dreitorbauelement nach vorhergehendem dadurch dass in dem Abschnitt eine Mehrzahl von Defekten elektrisch in Reihe geschaltet Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 2 dadurch dass zwei Abschnitte des die unterhalb einer Sprungtemperatur supraleitend durch eine Barriere beabstandet die Ionen mit dem Ionenreservoir schen Dreitorbauelement nach vorhergehendem dadurch dass der Kanal als ausgebildet dessen die Barriere Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 2 dadurch dass die Abschnitte aus dem gleichen supraleitenden Material jedoch terschiedliche Kristallorientierungen so dass die Korngrenze zwischen den Abschnitten die Barriere Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 3 dadurch dass die Abschnitte die gleiche Kristallorientierung aufweisen wie das auf dem sie angeordnet Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 6 dadurch dass die Sprungtemperatur oberhalb von 77 K Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 7 dadurch dass der Kanal ein insbesondere ein Kuprat der Formel oder ein Kuprat der Formel worin R ein Seltenerdmetall oder eine Kombination von Seltenerdmetallen Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 8 dadurch dass der Kanal ein Material aus der Klasse der oder Oxopniktide Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 9 dadurch dass der Kanal ein Material das durch eine Veränderung seines gehalts oder Fluorgehalts von einem Normalleiter in einen Supraleiter verwandelt werden Quantenelektronisches insbesondere supraleitendes Quanteninterferometer oder Quelle Detektor für elektromagnetische Strahlung im Frequenzbereich schen und 10 umfassend mindestens ein Dreitorbauelement nach einem der vorhergehenden 10 insufficientOCRQuality