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1. WO2020134208 - QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

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[ ZH ]

权利要求书

[权利要求 1] 量子点发光二极管,其特征在于,包括相对设置的阴极和阳极,在所 述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层,设置在所述阴极和所述 量子点发光层之间的叠层,所述叠层包括第一金属氧化物纳米颗粒层 以及设置在所述第一金属氧化物纳米颗粒层背离所述量子点发光层表 面的混合材料层,所述混合材料层的材料包括第一金属氧化物纳米颗 粒和分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属氧化物, 所述第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米颗粒为电子 传输材料;

且所述混合材料层中,沿所述量子点发光层到所述阴极的方向,所述 第二金属氧化物的含量逐渐增加。

[权利要求 2] 如权利要求 1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述混合材料 层的材料由第一金属氧化物纳米颗粒与第二金属氧化物组成。

[权利要求 3] 如权利要求 1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述混合材料 层还包括分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属。

[权利要求 4] 如权利要求 3所述的量子点发光二极管,其特征在于,沿所述量子点 发光层到所述阴极的方向,所述第二金属氧化物的含量逐渐增加,第 二金属含量逐渐增加。

[权利要求 5] 如权利要求 3或 4所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述混合材 料层由所述第一金属氧化物纳米颗粒和分散在所述第一金属氧化物纳 米颗粒间隙中的第二金属氧化物和第二金属组成。

[权利要求 6] 如权利要求 1至 3任一项所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述 第二金属氧化物选自铝的氧化物、镁的氧化物、钛的氧化物、铜的氧 化物、钙的氧化物和铟的氧化物中的一种或多种。

[权利要求 7] 如权利要求 3或 4所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第二金 属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中的一种或多种。

[权利要求 8] 如权利要求 1至 4任一项所述的量子点发光二极管,其特征在于,还包 括结合在所述叠层的朝向所述阴极表面的第二金属层。

[权利要求 9] 如权利要求 8所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第二金属 层的厚度为 0~5nm。

[权利要求 10] 如权利要求 8所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第二金属 层中的第二金属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中的一种或多种。

[权利要求 11] 如权利要求 1至 4任一项所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述 第一金属氧化物纳米颗粒选自 ZnO、 Ti0 2、 Sn0 2、 Ta 20 3、 ZrO 2 、 NiO、 TiLiO、 ZnAlO、 ZnMgO、 ZnSnO、 ZnLiO和 InSnO中的一种 或多种。

[权利要求 12] 如权利要求 1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发 光层、所述叠层与所述阴极层叠结合。

[权利要求 13] 一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供阳极基板,所述阳极基板表面设置有初始第一金属氧化物纳米颗 粒层,所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米 颗粒为电子传输材料;

在所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层上蒸镀初始第二金属层,对蒸 镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理。

[权利要求 14] 如权利要求 13所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包 括以下步骤:

提供阳极基板,所述阳极基板设置阳极,且所述阳极基板的表面设置 有初始第一金属氧化物纳米颗粒层,所述初始第一金属氧化物纳米颗 粒层中的材料为电子传输材料;

在所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层上蒸镀初始第二金属层,对蒸 镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理,在所述阳极 基板表面形成一叠层,所述叠层包括第一金属氧化物纳米颗粒层以及 设置在所述第一金属氧化物纳米颗粒层背离所述量子点发光层表面的 混合材料层,所述混合材料层的材料包括第一金属氧化物纳米颗粒和 分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙中的第二金属氧化物,所述 第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米颗粒为电子传输

材料;

且所述混合材料层中,沿着远离所述阳极的方向,所述第二金属氧化 物的含量逐渐増加。

[权利要求 15] 如权利要求 13或 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层的厚度为 30〜 50nm。

[权利要求 16] 如权利要求 13或 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,所述初始第二金属层的厚度为 1〜 10nm。

[权利要求 17] 如权利要求 13或 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,蒸镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理的温度为

80°C~140°C的条件下,时间为 25min~50min。

[权利要求 18] 如权利要求 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,蒸 镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理的温度为 120 °C~140°C, 所述混合材料层由所述第二金属氧化物和第一金属氧化物 纳米颗粒组成。

[权利要求 19] 如权利要求 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,蒸 镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理的温度为 80°C ~120°C,所述混合材料层还包括分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒 间隙中的第二金属。

[权利要求 20] 如权利要求 13或 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,所述初始第二金属层中的第二金属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中 的一种或多种。

[权利要求 21] 如权利要求 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,还 包括形成一层结合在所述叠层朝向阴极表面的第二金属层。

[权利要求 22] 如权利要求 13或 14所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,在经加热退火处理后的基板表面沉积一层阴极。

[权利要求 23] 一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供阴极基板,所述阴极基板设置阴极,在所述阴极基板表面蒸镀初 始第二金属层;

在所述初始第二金属层上沉积初始第一金属氧化物纳米颗粒层,所述 初始第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属氧化物纳米颗粒为电子 传输材料,对沉积有所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层的阴极基板 进行加热退火处理。

[权利要求 24] 如权利要求 23所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包 括以下步骤:

提供阴极基板,所述阴极基板设置阴极,在所述阴极基板表面蒸镀初 始第二金属层;

在所述初始第二金属层上沉积初始第一金属氧化物纳米颗粒层,所述 初始第一金属氧化物纳米颗粒层中的金属氧化物纳米颗粒为电子传输 材料,对沉积有所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层的阴极基板进行 加热退火处理,在所述阴极基板表面形成一叠层,所述叠层包括第一 金属氧化物纳米颗粒层以及设置在所述第一金属氧化物纳米颗粒层背 离所述量子点发光层表面的混合材料层,所述混合材料层的材料包括 第一金属氧化物纳米颗粒和分散在所述第一金属氧化物纳米颗粒间隙 中的第二金属氧化物,所述第一金属氧化物纳米颗粒层中的第一金属 氧化物纳米颗粒为电子传输材料;

且所述混合材料层中,沿靠近所述阴极的方向,所述第二金属氧化物 的含量逐渐增加。

[权利要求 25] 如权利要求 23或 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,所述初始第一金属氧化物纳米颗粒层的厚度为 30~50nm

[权利要求 26] 如权利要求 23或 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,所述初始第二金属层的厚度为 l~10nm

[权利要求 27] 如权利要求 23或 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,蒸镀有所述初始第二金属层的阳极基板进行加热退火处理的温度为

80°C~140°C的条件下,时间为 25min~50min

[权利要求 28] 如权利要求 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,对 蒸镀有所述初始第二金属层的阴极基板进行加热退火处理的温度为 12 0°C~140°C, 所述混合材料层由所述第二金属氧化物和第一金属氧化 物纳米颗粒组成。

[权利要求 29] 如权利要求 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,对 蒸镀有所述初始第二金属层的阴极基板进行加热退火处理的温度为 80 °C~120°C的,所述混合材料层还包括分散在所述第一金属氧化物纳米 颗粒间隙中的第二金属。

[权利要求 30] 如权利要求 23或 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,所述初始第二金属层中的第二金属选自铝、镁、钛、铜、钙和铟中 的一种或多种。

[权利要求 31] 如权利要求 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,还 包括形成一层结合在所述叠层朝向所述阴极表面的第二金属层。

[权利要求 32] 如权利要求 23或 24所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于 ,在经加热退火处理后的基板表面沉积一层量子点发光层。