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1. WO2021204654 - OPTOELECTRONIC COMPONENT

Publication Number WO/2021/204654
Publication Date 14.10.2021
International Application No. PCT/EP2021/058575
International Filing Date 01.04.2021
IPC
H01L 33/46 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 33/50 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
H01L 33/58 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
CPC
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 33/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
H01L 33/504
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
502Wavelength conversion materials
504Elements with two or more wavelength conversion materials
H01L 33/58
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
Applicants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventors
  • KREINER, Laura
Agents
  • KANZIAN, Tanja
Priority Data
10 2020 204 539.908.04.2020DE
Publication Language German (de)
Filing Language German (DE)
Designated States
Title
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract
(DE) Das optoelektronische Bauelement (10) umfasst einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich und einer Austrittsfläche, sowie einen ersten (3a) und einen zweiten (3b) dielektrischen Spiegel jeweils auf der Austrittsfläche (2) und weiter ein Konversionselement (4) zwischen dem zweiten dielektrische Spiegel (3b) und der Austrittsfläche (2). Eine vom Bauelement emittierte Strahlung weist einen ersten Peak bei einer ersten Wellenlänge und einen zweiten Peak bei einer zweiten Wellenlänge auf. Der zweite Peak resultiert zumindest teilweise aus der Konversion von im Bauelement erzeugter Strahlung durch das Konversionselement. Die spektrale Breite des ersten und des zweiten Peaks beträgt jeweils höchstens 50 nm. Der erste dielektrische Spiegel ist für Strahlung der ersten Wellenlänge, die in einem ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für Strahlung der ersten Wellenlänge, die in einem zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend. Der zweite dielektrische Spiegel ist für Strahlung der zweiten Wellenlänge, die in dem ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für Strahlung der zweiten Wellenlänge, die in dem zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend.
(EN) The optoelectronic component (10) comprises a semiconductor body (1) with an active region and an exit area, and further comprises a first dielectric mirror (3a) and a second dielectric mirror (3b), each of which is located on the exit area (2), as well as a conversion element (4) between the second dielectric mirror (3b) and the exit area (2). Radiation emitted by the component has a first peak at a first wavelength and a second peak at a second wavelength. The second peak is at least the partial result of the conversion of component-generated radiation by the conversion element. The maximum spectrum width of each of the first and second peaks is 50 nm. The first dielectric mirror is permeable to radiation that has the first wavelength and is incident within a first range of angles, while being reflective for radiation that has the first wavelength and is incident within a second range of angles. The second dielectric mirror is permeable to radiation that has the second wavelength and is incident within the first range of angles, while being reflective for radiation that has the second wavelength and is incident within the second range of angles.
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (10) comprenant un corps en semi-conducteur (1) ayant une région active et une zone de sortie, et comprenant en outre un premier miroir diélectrique (3a) et un deuxième miroir diélectrique (3b), dont chacun est situé sur la zone de sortie (2), ainsi qu'un élément de conversion (4) entre le deuxième miroir diélectrique (3b) et la zone de sortie (2). Le rayonnement émis par le composant présente un premier pic à une première longueur d'onde et un deuxième pic à une deuxième longueur d'onde. Le deuxième pic est au moins le résultat partiel de la conversion du rayonnement généré par le composant par l'élément de conversion. La largeur de spectre maximale de chacun des premier et deuxième pics est de 50 nm. Le premier miroir diélectrique est perméable au rayonnement qui présente la première longueur d'onde et qui est incident dans une première plage d'angles, tout en étant réfléchissant pour un rayonnement qui présente la première longueur d'onde et qui est incident dans une deuxième plage d'angles. Le deuxième miroir diélectrique est perméable au rayonnement qui présente la deuxième longueur d'onde et qui est incident dans la première plage d'angles, tout en étant réfléchissant pour un rayonnement qui présente la deuxième longueur d'onde et qui est incident dans la deuxième plage d'angles.
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