(12) International Application Status Report

Received at International Bureau: 08 January 2020 (08.01.2020)

Information valid as of: 29 January 2020 (29.01.2020)

Report generated on: 21 September 2020 (21.09.2020)

(10) Publication number: (43) Publication date: (26) Publication language:
WO 2020/12726425 June 2020 (25.06.2020) German (DE)

(21) Application number: (22) Filing date: (25) Filing language:
PCT/EP2019/08564717 December 2019 (17.12.2019) German (DE)

(31) Priority number(s): (32) Priority date(s): (33) Priority status:
10 2018 132 824.9 (DE)19 December 2018 (19.12.2018) Priority document received (in compliance with PCT Rule 17.1)

(51) International Patent Classification:
H01L 33/00 (2010.01)

(71) Applicant(s):
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (for all designated states)

(72) Inventor(s):
KATZ, Simeon; Sarmanna-Str. 34 93049 Regensburg (DE)

(74) Agent(s):
ZACCO PATENT- & RECHTSANWÄLTE; Bayerstrasse 83 80335 München (DE)

(54) Title (EN): METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE
(54) Title (FR): PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF LUMINEUX OPTOÉLECTRONIQUE
(54) Title (DE): VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG

(57) Abstract:
(EN): A method for producing an optoelectronic lighting device comprises steps in which a first semiconductor wafer (10) is provided, which has a multiplicity of first optoelectronic semiconductor components (11), the first semiconductor wafer (10) is arranged above a carrier (20), a plurality of the first optoelectronic semiconductor components (11) are separated from the first semiconductor wafer (10) by means of laser radiation (30) and fall onto the carrier (20), and the first optoelectronic semiconductor components (11) separated from the first semiconductor wafer (10) are secured to the carrier (20).
(FR): L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif lumineux optoélectronique comprenant : l'utilisation d'une première tranche de semi-conducteurs (10) qui comprend une pluralité de premiers composants semi-conducteurs optoélectroniques (11) ; le placement de la première tranche de semi-conducteurs (10) au-dessus d'un support (20) ; la séparation, de la première tranche de semi-conducteurs (10), de plusieurs des premiers composants semi-conducteurs optoélectroniques (11) au moyen d'un rayonnement laser (30) et leur chute sur le support (20) ; et la fixation, sur le support (20), des premiers composants semi-conducteurs optoélectroniques (11) séparés de la première tranche de semi-conducteurs (10).
(DE): Ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung umfasst, dass ein erster Halbleiterwafer (10) bereitgestellt wird, der eine Vielzahl von ersten optoelektronischen Halbleiterbauelementen (11) aufweist, der erste Halbleiterwafer (10) über einem Träger (20) angeordnet wird, mehrere der ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) mittels einer Laserstrahlung (30) von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennt werden und auf den Träger (20) fallen, und die von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennten ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) an dem Träger (20) befestigt werden.

International search report:
Received at International Bureau: 14 February 2020 (14.02.2020) [EP]

International Report on Patentability (IPRP) Chapter II of the PCT:
Not available

(81) Designated States:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
European Patent Office (EPO) : AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR
African Intellectual Property Organization (OAPI) : BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) : BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW
Eurasian Patent Organization (EAPO) : AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM