(12) International Application Status Report

Received at International Bureau: 17 December 2019 (17.12.2019)

Information valid as of: 06 January 2020 (06.01.2020)

Report generated on: 24 September 2020 (24.09.2020)

(10) Publication number: (43) Publication date: (26) Publication language:
WO 2020/11514811 June 2020 (11.06.2020) German (DE)

(21) Application number: (22) Filing date: (25) Filing language:
PCT/EP2019/08370204 December 2019 (04.12.2019) German (DE)

(31) Priority number(s): (32) Priority date(s): (33) Priority status:
10 2018 131 386.1 (DE)07 December 2018 (07.12.2018) Priority document received (in compliance with PCT Rule 17.1)

(51) International Patent Classification:
H01L 33/62 (2010.01)

(71) Applicant(s):
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (for all designated states)

(72) Inventor(s):
PORTEN, Pascal; Prinzenweg 8 93047 Regensburg (DE)
KÄMPF, Mathias; Richard-Wagner-Str. 52 93133 Burglengenfeld (DE)
ZENGER, Marcus; Kreuther Str. 12 a 93345 Hausen (DE)

(74) Agent(s):
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)

(54) Title (EN): METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(54) Title (FR): PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(54) Title (DE): VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL

(57) Abstract:
(EN): In one embodiment the method for producing optoelectronic semiconductor components (1) comprises the following steps: A) providing a chip substrate (13); B) creating holes (14) for electrical vias in the chip substrate (13); C) producing a thin metallization (21) in the holes (14); D) filling the metallized holes (14) with a plastic filler (3); and E) attaching optoelectronic semiconductor chips (4) to the metallized holes (14) so that the semiconductor chips (4) are connected ohmically conductively to the associated metallization (21).
(FR): Dans un mode de réalisation, le procédé de fabrication de composants semi-conducteurs optoélectroniques (1) comprend les étapes consistant à : A) fournir un support de puce (13), B) créer des trous (14) pour le contact électrique traversant dans le support de puce (13), C) créer une fine métallisation (21) dans les trous (14), D) remplir les trous métallisés (14) d'une charge (3) en plastique, et E) appliquer des puces semi-conductrices optoélectroniques (4) sur les trous métallisés (14) de telle manière que les puces semi-conductrices (4) sont reliées à la métallisation correspondante (21) de façon ohmiquement conductrice.
(DE): In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Chipträgers (13), B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13), C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (21) in den Löchern (14), D) Verfüllen der metallisierten Löcher (14) mit einer Füllung (3) aus einem Kunststoff, und E) Anbringen von optoelektronischen HalbleiterChips (4) auf den metallisierten Löchern (14), sodass die HalbleiterChips (4) ohmsch leitend mit der zugehörigen Metallisierung (21) verbunden werden.

International search report:
Received at International Bureau: 19 March 2020 (19.03.2020) [EP]

International Report on Patentability (IPRP) Chapter II of the PCT:
Not available

(81) Designated States:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
European Patent Office (EPO) : AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR
African Intellectual Property Organization (OAPI) : BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) : BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW
Eurasian Patent Organization (EAPO) : AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM