(12) International Application Status Report

Received at International Bureau: 13 September 2017 (13.09.2017)

Information valid as of: 13 February 2019 (13.02.2019)

Report generated on: 25 August 2019 (25.08.2019)

(10) Publication number: (43) Publication date: (26) Publication language:
WO 2019/04389507 March 2019 (07.03.2019) Japanese (JA)

(21) Application number: (22) Filing date: (25) Filing language:
PCT/JP2017/03149631 August 2017 (31.08.2017) Japanese (JA)


(51) International Patent Classification:
H01L 21/304 (2006.01)

(71) Applicant(s):
SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP) (for all designated states)

(72) Inventor(s):
TANIMOTO Ryuichi; c/o SUMCO CORPORATION, 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
YAMAZAKI Ichiro; c/o SUMCO CORPORATION, 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
MIKURIYA Shunsuke; c/o SUMCO CORPORATION, 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)

(74) Agent(s):
SUGIMURA Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku Tokyo 1000013 (JP)

(54) Title (EN): DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER
(54) Title (FR): PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE POUR TRANCHE DE SILICIUM
(54) Title (JA): シリコンウェーハの両面研磨方法

(57) Abstract:
(EN): The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer, the method being capable of suppressing occurrence of micro scratches on the front and back surfaces of a polished silicon wafer. The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer by which the front surface and the back surface of the silicon wafer are polished at the same time by using a double-side polishing apparatus, the method involving continuous implementation of: a first polishing step for performing double-side polishing while supplying, to polishing cloths, a first polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including abrasive grains; a subsequent polishing liquid switching step for stopping the supply of the first polishing liquid and starting the supply of a second polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including an aqueous polymer and not including abrasive grains in a state in which the rotation of an upper polishing plate and a lower polishing plate is continued while the polishing cloth of the upper polishing plate and the polishing cloth of the lower polishing plate remain in contact with the front surface and the rear surface of the silicon wafer, respectively; and a subsequent second polishing step for performing double-side polishing while supplying the second polishing liquid to the polishing cloths.
(FR): La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium, le procédé étant apte à supprimer l'apparition de micro-rayures sur les surfaces avant et arrière d'une tranche de silicium polie. La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium par lequel la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium sont polies en même temps à l'aide d'un appareil de polissage double face, le procédé impliquant la mise en œuvre continue de : une première étape de polissage pour effectuer un polissage double face tout en fournissant, à des tissus de polissage, un premier liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant des grains abrasifs ; une étape de changement de liquide de polissage ultérieure pour arrêter le fourniture du premier liquide de polissage et démarrer la fourniture d'un second liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant un polymère aqueux et ne comprenant pas de grains abrasifs dans un état dans lequel la rotation d'une plaque de polissage supérieure et d'une plaque de polissage inférieure est poursuivie tandis que le tissu de polissage de la plaque de polissage supérieure et le tissu de polissage de la plaque de polissage inférieure restent en contact respectivement avec la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium ; et une seconde étape de polissage ultérieure pour effectuer un polissage double face tout en fournissant le second liquide de polissage aux tissus de polissage.
(JA): 本発明は、研磨後のシリコンウェーハの表裏面にマイクロスクラッチが発生することを抑制できるシリコンウェーハの両面研磨方法を提供する。本発明は、両面研磨装置を用いてシリコンウェーハの表面および裏面を同時に研磨するシリコンウェーハの両面研磨方法であって、砥粒を含むアルカリ水溶液からなる第1の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第1の研磨工程と、その後、シリコンウェーハの表面および裏面に、それぞれ上定盤および下定盤の研磨布を接触させたまま、かつ、上定盤および下定盤の回転を継続した状態で、第1の研磨液の供給を停止するとともに、砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ水溶液からなる第2の研磨液の供給を開始する研磨液切替え工程と、その後、第2の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第2の研磨工程と、を連続して有する。

International search report:
Received at International Bureau: 11 December 2017 (11.12.2017) [JP]

International Report on Patentability (IPRP) Chapter II of the PCT:
Not available

(81) Designated States:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
European Patent Office (EPO) : AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR
African Intellectual Property Organization (OAPI) : BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) : BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW
Eurasian Patent Organization (EAPO) : AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM