(12) International Application Status Report

Received at International Bureau: 04 December 2013 (04.12.2013)

Information valid as of: 18 December 2014 (18.12.2014)

Report generated on: 28 January 2020 (28.01.2020)

(10) Publication number: (43) Publication date: (26) Publication language:
WO 2014/08321805 June 2014 (05.06.2014) Spanish (ES)

(21) Application number: (22) Filing date: (25) Filing language:
PCT/ES2013/00026427 November 2013 (27.11.2013) Spanish (ES)

(31) Priority number(s): (32) Priority date(s): (33) Priority status:
12380053.4 (EP)28 November 2012 (28.11.2012) Priority document received (in compliance with PCT Rule 17.1)

(51) International Patent Classification:
C23C 14/10 (2006.01); C23C 14/35 (2006.01); C23C 16/40 (2006.01); C23C 16/509 (2006.01)

(71) Applicant(s):
ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. [ES/ES]; Campus Palmas Altas C/ Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES) (for all designated states)

(72) Inventor(s):
GIL ROSTRA, Jorge; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
RICO GAVIRA, Victor; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
YUBERO VALENCIA, Francisco; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
ESPINÓS MANZORRO, Juan Pedro; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
RODRÍGUEZ GONZÁLEZ-ELIPE, Agustín; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
SÁNCHEZ CORTEZÓN, Emilio; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)
DELGADO SÁNCHEZ, Jose María; Campus Palmas Altas Calle Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla (ES)

(74) Agent(s):
GARCIA-CABRERIZO Y DEL SANTO, Pedro Maria; Vitruvio, 23 E-28006 Madrid (ES)

(54) Title (EN): METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
(54) Title (FR): PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION D'UNE COUCHE OU DE PLUSIEURS COUCHES FORMANT BARRIÈRE ET/OU DE TYPE DIÉLECTRIQUE SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF POUR SA MISE EN OEUVRE
(54) Title (ES): PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA O MULTICAPA BARRERA Y/O DIELÉCTRICA SOBRE UN SUSTRATO Y DISPOSITIVO PARA SU REALIZACIÓN

(57) Abstract:
(EN): The invention relates to a method for producing dielectric and/or barrier layers on a substrate, characterised in that it comprises the following steps: (a) cleaning substrates, (b) placing the substrate in a sample carrier and introducing same into a vacuum chamber, (c) dosing an inert gas and a reactive gas into said vacuum chamber, (d) injecting, into said vacuum chamber, a volatile precursor that has at least one cation of the compound to be deposited, (e) activating a radiofrequency source and activating at least one magnetron, (f) decomposition of the volatile precursor by plasma, producing the reaction between the cation of the volatile precursor and the reactive gas at the same time as the reaction is produced between the reactive gas contained in the plasma with the cation generated from the target by cathode sputtering, thereby generating the deposition of the film on the substrate. The invention also relates to the device for carrying out said method.
(FR): La présente invention concerne un procédé pour la préparation d'une couche ou de plusieurs couches formant barrière et/ou de type diélectrique sur un substrat, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) nettoyage des substrats, (b) mise en place du substrat dans un porte-échantillons et introduction de ce dernier dans une chambre à vide, (c) dosage dans ladite chambre d'un gaz inerte et d'un gaz réactif, (d) injection dans la chambre à vide d'un précurseur volatil qui comporte au moins un cation du composé à déposer, (e) activation d'une source de radiofréquence et activation d'au moins un magnétron, (f) décomposition du précurseur volatil par plasma, la réaction se produisant entre le cation du précurseur volatil et le gaz réactif en même temps que se produit la réaction entre le gaz réactif contenu dans le plasma avec le cation provenant de la cible par pulvérisation cathodique, provoquant ainsi le dépôt de la pellicule sur le substrat. La présente invention porte également sur le dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
(ES): La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un porta muestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose la reacción entre el catión del precursor volátil y el gas reactivo al mismo tiempo que se produce la reacción entre el gas reactivo contenido en el plasma con el catión procedente del blanco por pulverización catódica, provocando así la deposición de la película sobre el sustrato. Es también objeto de la invención el dispositivo para llevar a cabo dicho procedimiento.

International search report:
Received at International Bureau: 12 March 2014 (12.03.2014) [ES]

International Report on Patentability (IPRP) Chapter II of the PCT:
Chapter II demand received: 29 September 2014 (29.09.2014)

(81) Designated States:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
European Patent Office (EPO) : AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR
African Intellectual Property Organization (OAPI) : BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) : BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW
Eurasian Patent Organization (EAPO) : AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM