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1. (US20180012932) INTERCONNECT STRUCTURES FOR ASSEMBLY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS

Amt : Vereinigte Staaten von Amerika
Anmeldenummer: 15342478 Anmeldedatum: 03.11.2016
Veröffentlichungsnummer: 20180012932 Veröffentlichungsdatum: 11.01.2018
Veröffentlichungsart : A1
IPC:
H01L 27/18
G06N 99/00
H01L 39/02
H01L 39/22
H01L 25/065
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
18
mit Schaltungselementen, die Supraleitung zeigen
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
N
Rechnersysteme, basierend auf spezifischen Rechenmodellen
99
Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
39
Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
02
Einzelheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
39
Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
22
Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, z.B. Josephson-Effekt-Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
065
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L27/87
CPC:
H01L 27/18
H01L 39/223
H01L 25/0652
H01L 25/0657
H01L 39/025
G06N 99/002
H01L 222/06506
H01L 222/06513
H01L 222/06541
H01L 222/06568
Anmelder: Massachusetts Institute of Technology
Erfinder: William D. Oliver
Andrew J. Kerman
Rabindra N. Das
Donna-Ruth W. Yost
Danna Rosenberg
Mark A. Gouker
Prioritätsdaten:
Titel: (EN) INTERCONNECT STRUCTURES FOR ASSEMBLY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING SUPERCONDUCTING INTEGRATED CIRCUITS
Zusammenfassung: front page image
(EN)

A multi-layer semiconductor structure includes a first semiconductor structure and a second semiconductor structure, with at least one of the first and second semiconductor structures provided as a superconducting semiconductor structure. The multi-layer semiconductor structure also includes one or more interconnect structures. Each of the interconnect structures is disposed between the first and second semiconductor structures and coupled to respective ones of interconnect pads provided on the first and second semiconductor structures. Additionally, each of the interconnect structures includes a plurality of interconnect sections. At least one of the interconnect sections includes at least one superconducting and/or a partially superconducting material.