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1. (US20160018446) Gate drive under-voltage detection

Amt : Vereinigte Staaten von Amerika
Anmeldenummer: 14331438 Anmeldedatum: 15.07.2014
Veröffentlichungsnummer: 20160018446 Veröffentlichungsdatum: 21.01.2016
Erteilungsnummer: 09322852 Erteilungsdatum: 26.04.2016
Veröffentlichungsart : B2
IPC:
H03K 17/00
G01R 19/165
H02M 1/32
H02M 1/08
H02M 7/5387
H02M 3/158
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
G Physik
01
Messen; Prüfen
R
Messen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
19
Anordnungen zum Messen von Strömen oder Spannungen oder zur Anzeige des Vorhandenseins oder des Vorzeichens von Strömen oder Spannungen
165
Anzeigen, dass der Strom oder die Spannung entweder über oder unter einem bestimmten Wert oder innerhalb oder außerhalb eines bestimmten Wertbereichs ist
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
1
Einzelheiten von Umformer-Apparaten
32
Mittel für das Schützen von Umformern, anders als durch selbsttätiges Abschalten
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
1
Einzelheiten von Umformer-Apparaten
08
Schaltungen, die in besonderer Weise für die Erzeugung von Steuerspannungen von in ruhenden Umformern vorhandenen Halbleiterbauelementen ausgebildet sind
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7
Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
42
Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom ohne Umkehrmöglichkeit
44
durch ruhende Umformer
48
unter Verwendung von Entladungsröhren mit Steuerelektrode oder Halbleiterbauelementen
53
unter Verwendung von Vorrichtungen von der Art einer Entladungsröhre oder eines Transistors, die ein stetiges Anlegen eines Steuersignals erfordern
537
unter ausschließlicher Verwendung von Halbleiterbauelementen
5387
in Brückenschaltung
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
3
Umformung von Gleichstrom in Gleichstrom
02
ohne Zwischenumformung in Wechselstrom
04
durch ruhende Umformer
10
unter Verwendung von Entladungsröhren mit Steuerelektrode oder Halbleiterbauelementen mit Steuerelektrode
145
unter Verwendung von Vorrichtungen von der Art einer Entladungsröhre oder eines Transistors, die ein stetiges Anlegen eines Steuersignals erfordern
155
nur mittels Halbleiterbauelementen
156
mit Regeln der Ausgangsspannung oder des Ausgangsstromes, z.B. Schaltregler
158
mit mehreren Halbleiterbauelementen als Stellglied für eine einzige Belastung
Anmelder: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC
Erfinder: Lihua Chen
Dong Cao
Yan Zhou
Craig Rogers
Vertreter: David B. Kelley
MacMillan, Sobanski & Todd, LLC
Prioritätsdaten:
Titel: (EN) Gate drive under-voltage detection
Zusammenfassung: front page image
(EN)

Gate drive faults are detected for an inverter which comprises a phase switch having an insulated gate, such as an IGBT. A complementary transistor pair is adapted to receive a supply voltage and a pulse-width modulated (PWM) signal to alternately charge and discharge the insulated gate. A comparator compares the voltage at the insulated gate with a reference voltage representing a gate drive fault to generate a first logic signal. A latch samples the first logic signal when the PWM signal has a value corresponding to charging the insulated gate. A logic circuit inhibits charging of the insulated gate when the latched logic signal indicates the gate drive fault. An insulated gate voltage less than the reference voltage is indicative of an under-voltage fault as well as other device failures of the IGBT or the complementary transistors.