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1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Amt : Vereinigte Staaten von Amerika
Anmeldenummer: 13219118 Anmeldedatum: 26.08.2011
Veröffentlichungsnummer: 20110318857 Veröffentlichungsdatum: 29.12.2011
Erteilungsnummer: 09343622 Erteilungsdatum: 17.05.2016
Veröffentlichungsart : B2
IPC:
H01L 33/12
H01L 33/00
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
12
mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
Anmelder: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
Erfinder: Suk Hun Lee
Vertreter: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
Prioritätsdaten: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
Titel: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
Zusammenfassung: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


Auch veröffentlicht als:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374