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1. US20100133684 - Power semiconductor module and manufacturing method thereof

Amt Vereinigte Staaten von Amerika
Aktenzeichen/Anmeldenummer 12535222
Anmeldedatum 04.08.2009
Veröffentlichungsnummer 20100133684
Veröffentlichungsdatum 03.06.2010
Erteilungsnummer 08299601
Erteilungsdatum 30.10.2012
Veröffentlichungsart B2
IPC
H01L 23/48
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
Anmelder Mitsubishi Electric Corporation
Erfinder Oka Seiji
Obiraki Yoshiko
Oi Takeshi
Vertreter Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
Prioritätsdaten 2008304545 28.11.2008 JP
Titel
(EN) Power semiconductor module and manufacturing method thereof
Zusammenfassung
(EN)

A power semiconductor module includes: a circuit board having a metal base plate, a high thermal conductive insulating layer, and a wiring pattern; power semiconductor elements electrically connected to the wiring pattern; tubular external terminal connection bodies provided to the wiring pattern for external terminals; and a transfer mold resin body encapsulated to expose through-holes in the metal base plate and used to fixedly attach cooling fins to the face of the metal base plate on the other side with attachment members, the face of the metal base plate on the other side, and top portions of the tubular external terminal connection bodies, to form insertion holes for the attachment members communicating with the through-holes and having a larger diameter than the through-holes, and to cover the one side and side faces of the metal base plate and the power semiconductor elements.

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