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1. US20100065962 - Power semiconductor module including a multilayer substrate

Amt Vereinigte Staaten von Amerika
Aktenzeichen/Anmeldenummer 12624622
Anmeldedatum 24.11.2009
Veröffentlichungsnummer 20100065962
Veröffentlichungsdatum 18.03.2010
Erteilungsnummer 08018047
Erteilungsdatum 13.09.2011
Veröffentlichungsart B2
IPC
H01L 23/053
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
02Gehäuse; Abdichtungen
04gekennzeichnet durch die Form
053Gehäuse mit einem Hohlraum und mit einer isolierenden Grundplatte als Montagesockel für den Halbleiterkörper
H01L 23/12
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
12Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate
H01L 23/48
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
H01L 23/52
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
H01L 29/40
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40Elektroden
Anmelder Infineon Technologies AG
Erfinder Bayerer Reinhold
Hunger Thomas
Vertreter Dicke, Billig & Czaja, PLLC
Titel
(EN) Power semiconductor module including a multilayer substrate
Zusammenfassung
(EN)

A semiconductor module includes a multilayer substrate. The multilayer substrate includes a first metal layer and a first ceramic layer over the first metal layer. An edge of the first ceramic layer extends beyond an edge of the first metal layer. The multilayer substrate includes a second metal layer over the first ceramic layer and a second ceramic layer over the second metal layer. An edge of the second ceramic layer extends beyond an edge of the second metal layer. The multilayer substrate includes a third metal layer over the second ceramic layer.