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1. US20090277376 - Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer

Amt Vereinigte Staaten von Amerika
Aktenzeichen/Anmeldenummer 12386220
Anmeldedatum 15.04.2009
Veröffentlichungsnummer 20090277376
Veröffentlichungsdatum 12.11.2009
Erteilungsnummer 09240316
Erteilungsdatum 19.01.2016
Veröffentlichungsart B2
IPC
H01L 21/324
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
324Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern
H01L 21/02
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
C30B 33/02
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
33Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur
02Wärmebehandlung
C30B 25/02
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
C30B 25/10
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
10Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats
C30B 29/06
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
02Elemente
06Silicium
Anmelder Reinhard Schauer
SILTRONIC AG
Christian Hager
Erfinder Reinhard Schauer
Christian Hager
Vertreter Brooks Kushman P.C.
Prioritätsdaten 10 2008 023 054 09.05.2008 DE
Titel
(EN) Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer
Zusammenfassung
(EN)

Epitaxially coated semiconductor wafers are prepared by a process in which a semiconductor wafer polished at least on its front side is placed on a susceptor in a single-wafer epitaxy reactor and epitaxially coated on its polished front side at temperatures of 1000-1200° C., wherein, after coating, the semiconductor wafer is cooled in the temperature range from 1200° C. to 900° C. at a rate of less than 5° C. per second. In a second method for producing an epitaxially coated wafer, the wafer is placed on a susceptor in the epitaxy reactor and epitaxially coated on its polished front side at a deposition temperature of 1000-1200° C., and after coating, and while still at the deposition temperature, the wafer is raised for 1-60 seconds to break connections between susceptor and wafer produced by deposited semiconductor material before the wafer is cooled.