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1. JP2004303745 - CAPACITIVE ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS

Amt Japan
Aktenzeichen/Anmeldenummer 2003091171
Anmeldedatum 28.03.2003
Veröffentlichungsnummer 2004303745
Veröffentlichungsdatum 28.10.2004
Veröffentlichungsart A
IPC
H01L 21/822
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
H01G 4/255
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
GKondensatoren; Kondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs
4Festkondensatoren; Verfahren zu ihrer Herstellung
002Einzelheiten
255Mittel zur Korrektur des Kapazitätswerts
H01G 4/33
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
GKondensatoren; Kondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs
4Festkondensatoren; Verfahren zu ihrer Herstellung
33Dünn- oder Dickschichtkondensatoren
H01L 27/04
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
Anmelder MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
パナソニック株式会社
Erfinder KAWASAKI TETSUO
川崎 哲生
MORINO TAKASHI
森野 貴
YAMAGUCHI MASAKO
山口 雅子
Vertreter 岩橋 文雄
坂口 智康
内藤 浩樹
Titel
(EN) CAPACITIVE ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS
(JA) 容量素子およびその製造方法
Zusammenfassung
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitive element n which the capacitance can be regulated in both increasing and decreasing directions.

SOLUTION: The capacitive element comprises a first lower electrode 12a, a second lower electrode 12b and a third lower electrode 12c provided separately at three or more positions on a substrate 11, a dielectric layer 13 provided continuously on the substrate 11 while overlapping the first lower electrode 12a, a first resistor layer 14a provided across the dielectric layer 13 and the second lower electrode 12b not to be connected with the first lower electrode 12a, a second resistor layer 14b provided continuously across the third lower electrode 12c and the first lower electrode 12a, the second lower electrode 12b or a fourth lower electrode 12d through the substrate 11, and an upper electrode 15 provided at least on the first resistor layer 14a and across the first resistor layer 14a and the dielectric layer 13 on the first lower electrode 12a.

COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】容量値の調整を増減両方向に行うことを可能にした容量素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板11の上に三箇所以上に分離して設けた第一の下部電極12a、第二の下部電極12bおよび第三の下部電極12cと、前記第一の下部電極12aの上に重なりながら基板11の上に渡って連続して設けた誘電体層13と、この誘電体層13の上から第二の下部電極12bの上に渡って第一の下部電極12aと接続しないように設けた第一の抵抗体層14aと、第三の下部電極12cの上から基板11の上を経由し第一の下部電極12aまたは第二の下部電極12bあるいは第四の下部電極12dの上に渡って連続して設けた第二の抵抗体層14bと、少なくとも第一の抵抗体層14aの上と、この第一の抵抗体層14aの上から第一の下部電極12aの上の誘電体層13の上に渡って設けた上部電極15とからなる。
【選択図】 図1