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1. (JP2004064930) DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Amt : Japan
Anmeldenummer: 2002221723 Anmeldedatum: 30.07.2002
Veröffentlichungsnummer: 2004064930 Veröffentlichungsdatum: 26.02.2004
Erteilungsnummer: 3883925 Erteilungsdatum: 21.02.2007
Veröffentlichungsart : B2
IPC:
H01L 27/4
H02M 1/0
H01L 21/822
H02M 1/8
H03K 17/812
H03K 17/16
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
1
Einzelheiten von Umformer-Apparaten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
1
Einzelheiten von Umformer-Apparaten
08
Schaltungen, die in besonderer Weise für die Erzeugung von Steuerspannungen von in ruhenden Umformern vorhandenen Halbleiterbauelementen ausgebildet sind
[IPC code unknown for H03K 17/812]
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16
Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
三菱電機株式会社; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
Erfinder: OI TAKESHI
大井 健史
NAKAYAMA YASUSHI
中山 靖
TANAKA TAKESHI
田中 毅
Prioritätsdaten: 2002221723 30.07.2002 JP
Titel: (EN) DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 電力用半導体素子の駆動回路
Zusammenfassung:
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that if a drive circuit for power semiconductor device is applied to an IGBT 1 high in breakdown voltage, diodes 5 high in the breakdown voltage must be connected in series in multiple stages, and this leads to an increase in the cost and degradation in reliability, short circuit detection by a collector voltage detection circuit 6 is significantly delayed, and the IGBT 1 cannot be protected sometimes.

SOLUTION: During a period for which a sampling circuit 16 permits detection of gate voltage Vge, the gate voltage Vge is detected. If the gate voltage Vge exceeds a reference value, an abnormality is recognized to have occurred in the IGBT 11.

COPYRIGHT: (C)2004,JPO
(JA)


【課題】耐圧の高いIGBT1に適用する場合、耐圧の高いダイオード5を多段に直列接続する必要が生じ、コスト高や信頼性の低下を招く課題があった。
また、コレクタ電圧検知回路6による短絡検知が著しく遅れ、IGBT1を保護することができない場合がある課題があった。
【解決手段】サンプリング回路16がゲート電圧Vgeの検出処理を許可する期間中、そのゲート電圧Vgeを検出して、そのゲート電圧Vgeが基準値を超えると、IGBT11における異常の発生を認定する。
【選択図】    図1


Auch veröffentlicht als:
US20040027762