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1. (EP1935027) HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

Amt : Europäisches Patentamt (EPA)
Anmeldenummer: 06798504 Anmeldedatum: 03.10.2006
Veröffentlichungsnummer: 1935027 Veröffentlichungsdatum: 25.06.2008
Veröffentlichungsart : B1
Designierte Staaten: DE,FI,FR,GB,NL
PCT-Aktenzeichen: Anmeldenummer: JP2006320154 ; Veröffentlichungsnummer: Anklicken zur Anzeige der Daten
IPC:
H01L 29/786
H01L 51/00
H01L 51/10
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05
besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
10
Einzelheiten der Bauelemente
CPC:
H01L 29/7869
H01L 29/41733
H01L 51/0097
H01L 51/105
H01L 2251/5338
Y02E 10/549
Y02P 70/521
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
Erfinder: HONDA TATSUYA
Prioritätsdaten: 2005300825 14.10.2005 JP
2006320154 03.10.2006 JP
Titel: (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(EN) An object is to obtain a semiconductor device with improved characteristics by reducing contact resistance of a semiconductor film with electrodes or wirings, and improving coverage of the semiconductor film and the electrodes or wirings. The present invention relates to a semiconductor device including a gate electrode over a substrate, a gate insulating film over the gate electrode, a first source or drain electrode over the gate insulating film, an island-shaped semiconductor film over the first source or drain electrode, and a second source or drain electrode over the island-shaped semiconductor film and the first source or drain electrode. Further, the second source or drain electrode is in contact with the first source or drain electrode, and the island-shaped semiconductor film is sandwiched between the first source or drain electrode and the second source or drain electrode. Moreover, the present invention relates to a manufacturing method of the semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un objet pour obtenir un dispositif à semi-conducteurs avec des caractéristiques améliorées en réduisant la résistance de contact d'un film à semi-conducteurs avec des électrodes ou des câblages et en améliorant la couverture du film à semi-conducteurs et les électrodes ou les câblages. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une électrode de grille sur un substrat, un film d'isolation de grille sur l'électrode de grille, une première électrode source ou drain sur le film d'isolation de grille, un film à semi-conducteurs en forme d'îlot sur la première électrode source ou drain, et une seconde électrode source ou drain sur le film à semi-conducteurs en forme d'îlot et la première électrode source ou drain. De plus, la seconde électrode source ou drain est en contact avec la première et le film à semi-conducteurs en forme d'îlot est enserré entre la première et la seconde électrode source ou drain. De plus, la présente invention a trait à un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs.
Auch veröffentlicht als:
JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418JP2015144312
WO/2007/043493