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1. (EP0561386) Halbleiteranordnung.

Amt : Europäisches Patentamt (EPA)
Anmeldenummer: 93104360 Anmeldedatum: 17.03.1993
Veröffentlichungsnummer: 0561386 Veröffentlichungsdatum: 22.09.1993
Veröffentlichungsart : A1
Designierte Staaten: DE,FR,GB
IPC:
H 03K
H03K 17/0812
H03K 17/082
H03K 17/16
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
08
Ausbildung von Schaltern zum Schutz vor Überstrom oder Überspannung
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
08
Ausbildung von Schaltern zum Schutz vor Überstrom oder Überspannung
081
ohne Rückführung vom Ausgangskreis zum Steuerkreis
0812
mit im Steuerkreis vorgenommenen Maßnahmen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
08
Ausbildung von Schaltern zum Schutz vor Überstrom oder Überspannung
082
mit Rückführung vom Ausgangskreis zum Steuerkreis
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16
Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
CPC:
H03K 17/0828
H03K 17/08128
H03K 17/0822
H03K 17/168
H03K 17/18
Anmelder: FUJI ELECTRIC CO LTD
Erfinder: OGAWA SHOGO
MIYASAKA TADASHI
KOBAYASHI SHINICHI
KUWABARA KESANOBU
Prioritätsdaten: 12521492 19.05.1992 JP
6225492 18.03.1992 JP
6596092 24.03.1992 JP
Titel: (DE) Halbleiteranordnung.
(EN) Semiconductor device.
(FR) Dispositif semi-conducteur.
Zusammenfassung: front page image
(EN) A semiconductor device includes an insulated gate semiconductor portion (2) having a gate electrode (2g); an overcurrent limiting portion (12,13) for judging an overcurrent state of the insulated gate semiconductor portion (2) to make it possible to change a gate voltage applied to the gate electrode (2g); and a driving portion (30) for driving the insulated gate semiconductor portion (2). The driving portion (30) includes a driving section (20) for supplying a control voltage to the insulated gate semiconductor device (2) correspondingly to an input signal (I) supplied to the driving portion; and a comparing section (40) for comparing the gate voltage (VG) with a predetermined reference voltage (Vo). The semiconductor device may further include a gate control relaxation section (141) for relaxing a rate of change of the gate voltage (VG) applied to the gate electrode.