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1. DE102015224446 - Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe

Amt Deutschland
Aktenzeichen/Anmeldenummer 102015224446
Anmeldedatum 07.12.2015
Veröffentlichungsnummer 102015224446
Veröffentlichungsdatum 08.06.2017
Veröffentlichungsart A1
IPC
C30B 25/14
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
14Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms
CPC
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/165
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
16Controlling or regulating
165the flow of the reactive gases
Anmelder Siltronic AG
Erfinder Haberecht Jörg
Titel
(DE) Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe
Zusammenfassung
(DE)

Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe, wobei die Oberflächenrauigkeit der epitaktisch abschiedenen Schicht während des Abkühlvorgangs in der Reaktorkammer gezielt durch den eingeleiteten Wasserstoffstrom eingestellt wird.