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1. DE102009042600 - Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleitermodul

Amt Deutschland
Aktenzeichen/Anmeldenummer 102009042600
Anmeldedatum 23.09.2009
Veröffentlichungsnummer 102009042600
Veröffentlichungsdatum 08.07.2010
Veröffentlichungsart B4
IPC
H01L 21/60
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
60Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen
H01L 23/40
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
34Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
40Montage- oder Befestigungsmittel für lösbare Kühl- oder Heizeinrichtungen
H01L 21/56
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
56Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge
H01L 23/48
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
H01L 25/07
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
CPC
H01L 23/3735
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
H01L 21/565
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
565Moulds
H01L 23/3121
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3121a substrate forming part of the encapsulation
H01L 23/4006
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements
4006with bolts or screws
H01L 23/4334
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
42Fillings or auxiliary members in containers ; or encapsulations; selected or arranged to facilitate heating or cooling
433Auxiliary members ; in containers; characterised by their shape, e.g. pistons
4334Auxiliary members in encapsulations
H01L 23/49811
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
Anmelder Mitsubishi Electric Corp.
Erfinder Oka Seiji
Obiraki Yoshiko
Oi Takeshi
Vertreter Meissner, Bolte & Partner GbR
Prioritätsdaten 2008304545 28.11.2008 JP
Titel
(DE) Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleitermodul
Zusammenfassung
(DE)

Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls, Folgendes umfassend: – Ausbilden eines Konstrukts durch Anbringen eines Leistungshalbleiterelements (5) und eines rohrförmigen Außenanschluss-Körpers (7) an einer Leiterplatte (4), die aus einer Metallgrundplatte (1), einer mit einer Fläche der Metallgrundplatte (1) auf einer Seite verbundenen hochwärmeleitfähigen Isolierschicht (2) und einem Verdrahtungsmuster (3) besteht, das an einer Fläche der hochwärmeleitfähigen Isolierschicht (2) auf einer Seite vorgesehen ist, die der mit der Metallgrundplatte (1) verbundenen Fläche entgegengesetzt ist, und durch Ausbilden eines Schaltkreisausbildungsabschnitts (9), der das Leistungshalbleiterelement (5) und das Verdrahtungsmuster (3) elektrisch verbindet; – Versehen der Metallgrundplatte (1) mit einer Durchgangsöffnung (10), um ein Anbringungsteil (14) anzuordnen, das eine Kühlrippe (13) an einer Fläche der Metallgrundplatte (1) auf der anderen Seite befestigt; – Verstopfen der Durchgangsöffnung (10) mit einem Pressgut (15), um eine Einstecköffnung (12, 24) für das Anbringungsteil (14) zu bilden, die mit der Durchgangsöffnung (10) in Verbindung steht und einen Durchmesser hat, der größer ist als ein Durchmesser der Durchgangsöffnung (10); und – Ausbilden eines Pressspritzharzkörpers (11) durch Einsetzen des Konstrukts, bei dem die Durchgangsöffnung (10) mit dem Pressgut (15) verstopft ist, in eine Form (16) durch Anordnen der Fläche der Metallgrundplatte (1) auf der anderen Seite anliegend an eine innere untere Fläche der Form (16) und Anordnen eines oberen Abschnitts des rohrförmigen Außenanschluss-Körpers (7) und eines oberen Abschnitts des Pressguts (15) anliegend an eine innere obere Fläche der Form (16), während ein vorbestimmter Zwischenraum zwischen Seitenflächen der Metallgrundplatte (1) und inneren Seitenflächen der Form (16) aufrechterhalten wird, und durch Verfüllen eines durch das Konstrukt und das Pressgut (15) im Inneren der Form (16) gebildeten freien Abschnitts mit Pressharz wobei das Pressgut (15) einen in die Durchgangsöffnung (10) einzuführenden Positionierungsabschnitt (15b) aufweist.

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