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1. DE102008023054 - Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe

Amt Deutschland
Aktenzeichen/Anmeldenummer 102008023054
Anmeldedatum 09.05.2008
Veröffentlichungsnummer 102008023054
Veröffentlichungsdatum 19.11.2009
Veröffentlichungsart B4
IPC
C30B 25/18
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
18gekennzeichnet durch das Substrat
H01L 21/2
CPC
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
10Heating of the reaction chamber or the substrate
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
Anmelder SILTRONIC AG
Erfinder SCHAUER REINHARD
HAGER CHRISTIAN
Titel
(DE) Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe
Zusammenfassung
(DE)

Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe, bei dem eine wenigstens auf ihrer Vorderseite polierte Halbleiterscheibe bereitgestellt, in einem Einzelscheiben-Epitaxiereaktor auf einem Suszeptor abgelegt wird und durch Aufbringen einer epitaktischen Schicht auf ihrer polierten Vorderseite durch chemische Gasphasenabscheidung bei Temperaturen von 14001200°C beschichtet wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach erfolgter epitaktischer Beschichtung die Halbleiterscheibe im Temperaturbereich von 1200°C bis 900°C mit einer Rate von gleich oder kleiner als 3°C pro Sekunde abgekühlt wird.